Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Sochacki, A." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-3 z 3
    Tytuł:
    Edge termination design for 1.7 kV silicon carbide p-i-n diodes
    Autorzy:
    Taube, A.
    Sochacki, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/199922.pdf
    Data publikacji:
    2020
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    edge termination
    silicon carbide
    4H-SiC
    p-i-n diode
    breakdown voltage
    JTE
    Opis:
    In this work, in order to obtain breakdown voltage values of the 4H-SiC p-i-n diodes above 1.7 kV, three designs have been examined: single-zone junction termination extention (JTE), double-zone JTE and a structure with concentric rings outside each of the areas of the double-zone JTE (space-modulated JTE). The influence of geometry and the level of p-type doping in the JTE area as well as the charge as the interface between the p-type JTE area and the passivation layer on the diode breakdown voltage was studied. The effect of statistical dispersion of drift layer parameters (thickness, doping level) on diodes breakdown voltage with various JTE structures was investigated as well. The obtained results showed that the breakdown volatge values for a diode with single zone JTE are very sensitive both to the dose of JTE area and charge accumulated at the JTE/dielectric interface. The use of a double zone or space-modulated JTE structures allows for obtaining breakdown voltage above 1.7 kV for a much wider range of doping parameters and with better tolerance to positive charge at the JTE/dielectric interface, as well as better tolerance to statistical dispersion of active layer parameters compared to a single zone JTE structure.
    Źródło:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2020, 68, 2; 367-375
    0239-7528
    Pojawia się w:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Geoportale regionalne wybranych krajów europy - studium porównawcze
    Regional geoportals of selected european countries – a comparative study
    Autorzy:
    Dukaczewski, D.
    Ciołkosz-Styk, A.
    Sochacki, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/346554.pdf
    Data publikacji:
    2012
    Wydawca:
    Polskie Towarzystwo Informacji Przestrzennej
    Tematy:
    geoportale regionalne
    INSPIRE
    regional geoportals
    Opis:
    Wzrost zapotrzebowania na informację przestrzenną i jej szybkie upowszechnienie, rozwój technologii informatycznych, jak również uwarunkowania prawne związane z wprowadzeniem dyrektywy INSPIRE przyczyniły się na przestrzeni ostatnich 5 lat do znacznej intensyfikacji prac koncepcyjnych i implementacyjnych w zakresie geoportali regionalnych na terenie krajów Unii Europejskiej i Europejskiego Obszaru Gospodarczego. Rozwój ten implikuje potrzebę prowadzenia stałych badań, dotyczących stanu zaawansowania prac w zakresie geoportali regionalnych, możliwości i ograniczeń ich rozwoju, jak również ich relacji z INSPIRE. Jak wynika z kwerendy przeprowadzonej w maju 2012 r. w krajach tych istniały 143 geoportale regionalnych jednostek podziału terytorialnego najwyższego szczebla. Ponadto zbiory danych przestrzennych były również udostępniane (w ograniczonym zakresie) za pośrednictwem 151 portali regionalnych administracji publicznej jednostek tego szczebla. Dwa sposoby udostępniania zbiorów danych przestrzennych były stosowane w przypadku 87,23 % jednostek podziału terytorialnego najwyższego szczebla (odpowiednio 42,43 % i 44,80 %) krajów UE i EOG. Przeprowadzone badanie 130 geoportali regionalnych działających w maju 2012 r. objęło analizę zakresu tematycznego udostępnianych zbiorów danych przestrzennych, jak również stosowanych metod prezentacji kartograficznej (i ich poprawności). Wykorzystanie bertinowskiej metody porządkowania danych pozwoliło na zaproponowanie typologii geoportali regionalnych w oparciu o kryterium podobieństwa zakresu tematycznego. Autorzy zaproponowali również typologię opartą o kryterium liczby grup tematycznych i dostępnych funkcji. Wyniki badań zostały wykorzystane do aktualizacji i rozbudowy usługi GEMS – Geoportals in Europe Metadata Service, utrzymywanej przez Instytut Geodezji i Kartografii.
    The growing need for spatial information, technical progress, as well as legal requirements of the INSPIRE Directive has resulted in a considerable intensification of the development of regional geoportals in European Union and the countries of the European Economic Area. This implies the need for monitoring the state of art of regional geoportals, taking into consideration the opportunities and limitations of their development and relations with INSPIRE. According to the survey of May 2012, in EU and EEA countries 143 geoportals of first – level public administration units existed. The spatial data were also distributed (in limited extent) by 151 public administration portals at this level. The research carried on 130 regional geoportals (working in May 2012) included analysis of the thematic scope of spatial data accessible with these geoportals, their functionalities, as well as employed methods of cartographic presentation (and its semiotic correctness). The application of Bertin’s method of data order allowed to propose a typology of thematic scope of spatial data accessible with geoportals. The authors also proposed a typology of geoportals, employing the criterion of thematic scope and functionalities. The results of the research carried out were used to update and to extend the GEMS – Geoportals in Europe Metadata Service, maintained by the Institute of Geodesy and Cartography.
    Źródło:
    Roczniki Geomatyki; 2012, 10, 4; 77-93
    1731-5522
    2449-8963
    Pojawia się w:
    Roczniki Geomatyki
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Modelling and Simulation of Normally-Off AlGaN/GaN MOS-HEMTs
    Autorzy:
    Taube, A.
    Sochacki, M.
    Szmidt, J.
    Kamińska, E.
    Piotrowska, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/226802.pdf
    Data publikacji:
    2014
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    gallium nitride
    MOS-HEMT
    high electron mobility
    transistor
    AlGaN
    GaN
    simulation
    Opis:
    The article presents the results of modelling and simulation of normally-off AlGaN/GaN MOS-HEMT transistors. The effect of the resistivity of the GaN:C layer, the channel mobility and the use of high-κ dielectrics on the electrical characteristics of the transistor has been examined. It has been shown that a low leakage current of less than 10⁻⁶ A/mm can be achieved for the acceptor dopant concentration at the level of 5×10¹⁵cm⁻³. The limitation of the maximum on-state current due to the low carrier channel mobility has been shown. It has also been demonstrated that the use of HfO₂, instead of SiO₂, as a gate dielectric increases on-state current above 0.7A/mm and reduces the negative influence of the charge accumulated in the dielectric layer.
    Źródło:
    International Journal of Electronics and Telecommunications; 2014, 60, 3; 253-258
    2300-1933
    Pojawia się w:
    International Journal of Electronics and Telecommunications
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-3 z 3

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies