Autor: Rudziński, W. - Katalog OPAC zbiorów

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Straty energii jako nieodzowne potrzeby własne sieci
Autorzy:: Kulczycki, J.
Rudziński, M.
Szpyra, W.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/397004.pdf
Data publikacji:: 2009
Wydawca:: ENERGA
Tematy:: straty energii elektrycznej
sieć elektroenergetyczna
Iow voltage network
electric power losse
Opis:: W artykule rozważane są problemy strat energii elektrycznej w sieciach rozdzielczych z silnymi odniesieniami do sieci rzeczywistej. Pierwszy z serii artykułów na temat strat i sposobów ich minimalizacji.
Źródło:: Acta Energetica; 2009, 1; 63-80
2300-3022
Pojawia się w:: Acta Energetica
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Rentgenowska metoda określania profilu składu chemicznego w heterostrukturach GaN/InGaN otrzymywanych metodą MOCVD na podłożu szafirowym
HRXRD investigation of the chemical composition profile in the GaN/InGaN heterostructures grown by the MOCVD method on a sapphire substrate
Autorzy:: Wójcik, M.
Strupiński, W.
Rudziński, M.
Gaca, J.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/192140.pdf
Data publikacji:: 2012
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:: HRXRD
heterostruktura
interfejs
GaN
InGaN
heterostructure
interface
Opis:: Opracowano procedurę graficznego modelowania profilu składu chemicznego w obszarze interfejsu dla związków A^IIIN, która w znacznym stopniu ułatwia i skraca proces tworzenia modelu kryształu wielowarstwowego InGaN/GaN. Procedurę tę wykorzystano w trójstopniowej metodzie modelowania heterostruktur InGaN/GaN i z powodzeniem zastosowano do zbadania realnej struktury systemów epitaksjalnych wytworzonych w ITME.
A procedure for forming a graphical chemical composition profile in the interface region was developed for A^IIIN compounds. It greatly simplifies and shortens the process of creating the model of InGaN/GaN heterostructures. The three-step-method was successfully worked out and used for modeling the InGaN/GaN structure, and finally applied to the investigation of the real structure of epitaxial systems produced at ITME by means of the MOCVD technique.
Źródło:: Materiały Elektroniczne; 2012, T. 40, nr 4, 4; 48-57
0209-0058
Pojawia się w:: Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Informacja

Wyszukujesz frazę "Rudziński, W." wg kryterium: Autor

Źródło danych

Dostawca treści

Kolekcja

Rok wydania

Wydawca

Temat

Autor

Typ dokumentu

Język