Wszystkie pola: Rudziński, M. - Katalog OPAC zbiorów

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Znaczenie pojemności kabla w układach zasilających silniki indukcyjne za pośrednictwem przekształtników częstotliwości
Importance of cables capacity in motor-frequency converter configuration
Autorzy:: Trajdos, M.
Rudziński, M.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1373888.pdf
Data publikacji:: 2009
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Napędów i Maszyn Elektrycznych Komel
Tematy:: pojemność kabla
kabel
przekształtniki częstotliwości
układ zasilania
Opis:: The paper shows the influence of capacity of motor cables on proper functioning of system included frequency converter. Its shows the methods of reduction of cables capacity and results of using a cables about incorrect parameters. Its shows also all the conditions which has to be comply by the cables functioning of system included frequency converter.
Źródło:: Maszyny Elektryczne: zeszyty problemowe; 2009, 81; 61-65
0239-3646
2084-5618
Pojawia się w:: Maszyny Elektryczne: zeszyty problemowe
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Straty energii jako nieodzowne potrzeby własne sieci
Autorzy:: Kulczycki, J.
Rudziński, M.
Szpyra, W.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/397004.pdf
Data publikacji:: 2009
Wydawca:: ENERGA
Tematy:: straty energii elektrycznej
sieć elektroenergetyczna
Iow voltage network
electric power losse
Opis:: W artykule rozważane są problemy strat energii elektrycznej w sieciach rozdzielczych z silnymi odniesieniami do sieci rzeczywistej. Pierwszy z serii artykułów na temat strat i sposobów ich minimalizacji.
Źródło:: Acta Energetica; 2009, 1; 63-80
2300-3022
Pojawia się w:: Acta Energetica
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Rentgenowska metoda określania profilu składu chemicznego w heterostrukturach GaN/InGaN otrzymywanych metodą MOCVD na podłożu szafirowym
HRXRD investigation of the chemical composition profile in the GaN/InGaN heterostructures grown by the MOCVD method on a sapphire substrate
Autorzy:: Wójcik, M.
Strupiński, W.
Rudziński, M.
Gaca, J.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/192140.pdf
Data publikacji:: 2012
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:: HRXRD
heterostruktura
interfejs
GaN
InGaN
heterostructure
interface
Opis:: Opracowano procedurę graficznego modelowania profilu składu chemicznego w obszarze interfejsu dla związków A^IIIN, która w znacznym stopniu ułatwia i skraca proces tworzenia modelu kryształu wielowarstwowego InGaN/GaN. Procedurę tę wykorzystano w trójstopniowej metodzie modelowania heterostruktur InGaN/GaN i z powodzeniem zastosowano do zbadania realnej struktury systemów epitaksjalnych wytworzonych w ITME.
A procedure for forming a graphical chemical composition profile in the interface region was developed for A^IIIN compounds. It greatly simplifies and shortens the process of creating the model of InGaN/GaN heterostructures. The three-step-method was successfully worked out and used for modeling the InGaN/GaN structure, and finally applied to the investigation of the real structure of epitaxial systems produced at ITME by means of the MOCVD technique.
Źródło:: Materiały Elektroniczne; 2012, T. 40, nr 4, 4; 48-57
0209-0058
Pojawia się w:: Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Informacja

Wyszukujesz frazę "Rudziński, M." wg kryterium: Wszystkie pola

Źródło danych

Dostawca treści

Kolekcja

Rok wydania

Wydawca

Temat

Autor

Typ dokumentu

Język