Temat: 85.60.Gz - Katalog OPAC zbiorów

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Gain Studies on Photoconductors Made on Partly Compensated GaAs
Autorzy:: Riesz, F.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1872925.pdf
Data publikacji:: 1995-02
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 73.50.Pz
85.60.Gz
Opis:: The gain behavior of GaAs photoconductors realized on the partly compensated channel of a MESFET is studied. The gain versus light power dependence hints at the domination of the bimolecular recombination and the trap-mediated gain, and only a minor role of the surface photovoltaic effect. The possible correlation between dark current and gain mechanism is pointed out.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 2; 373-376
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Gain and Dark Current Studies on Planar Photodetectors Made on Annealed GaAs-on-Si
Autorzy:: Riesz, F.
Vo van, Tuven
Varrio, J.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1933966.pdf
Data publikacji:: 1995-11
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 85.60.Gz
73.50.Pz
73.40.Sx
Opis:: Interdigital, planar photodetectors were fabricated from annealed GaAs/Si heterostructures grown by molecular beam epitaxy using alloyed AuGe/Ni and non-alloyed Cr/Au contacts. The dark current and optical gain of the Cr/Au devices is higher than that of the AuGe/Ni devices. Contact degradation due to annealing and a p-like background doping consistently explains our data. The gain-optical power relationship follows a power law with an exponent close to -1.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 5; 889-892
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Informacja