Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Ratajczak, R." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-7 z 7
    Tytuł:
    Ecological innovation as an instrument for improving the competitive position of manufacturing enterprises
    Innowacje ekologiczne, jako instrument poprawy pozycji konkurencyjnej przedsiębiorstw produkcyjnych
    Autorzy:
    Burda, M.
    Janiak, R.
    Krzeszowski, M.
    Motykiewicz, M.
    Musiałowska, P.
    Ratajczak, E.
    Ratajczak, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/112911.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    STE GROUP
    Tematy:
    ecological innovation
    manufacturing enterprises
    innowacje ekologiczne
    przedsiębiorstwo produkcyjne
    Opis:
    The paper discusses the question of ecological innovation in manufacturing enterprises as an instrument for improving their competitive position. On the basis of the analysis of background literature, the origins of the concept of innovation and eco-innovation are presented, as well as typology of its forms used in practical operation of contemporary production firms.
    Artykuł podejmuje zagadnienie innowacji ekologicznych (eko-innowacji) w przedsiębiorstwach produkcyjnych, jako instrumentów poprawy ich pozycji konkurencyjnej. Na podstawie analizy piśmiennictwa omówiono w nim genezę pojęcia innowacja i eko-innowacja, jednocześnie przedstawiający typologię ich form występującą w praktyce funkcjonowania współczesnych firm produkcyjnych.
    Źródło:
    Systemy Wspomagania w Inżynierii Produkcji; 2016, 3 (15); 34-43
    2391-9361
    Pojawia się w:
    Systemy Wspomagania w Inżynierii Produkcji
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Cele strategii "Europa 2020" w obszarach gospodarki opartej na wiedzy i efektywności energetycznej gospodarki
    Autorzy:
    Ratajczak, J.
    Cichowicz-Major, M.
    Lew-Starowicz, R.
    Chojecki, J.
    Nasilowska, E.
    Pacuska, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/12051.pdf
    Data publikacji:
    2014
    Wydawca:
    Naukowe Wydawnictwo IVG
    Tematy:
    strategia Europa 2020
    gospodarka oparta na wiedzy
    gospodarka narodowa
    efektywnosc energetyczna
    rozwoj zrownowazony
    rozwoj inteligentny
    poziom zatrudnienia
    gospodarka niskoemisyjna
    ochrona zdrowia
    fundusze unijne
    miejsca pracy
    inwestycje
    dzialalnosc badawczo-rozwojowa
    technologia informatyczna
    technika cyfrowa
    Źródło:
    Ekonomia i Zarządzanie: Wiedza. Raporty. Diagnozy. Analizy. Przykłady; 2014, 3
    2084-963X
    Pojawia się w:
    Ekonomia i Zarządzanie: Wiedza. Raporty. Diagnozy. Analizy. Przykłady
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Analiza zapotrzebowania gospodarki na absolwentów kierunków kluczowych w kontekście realizacji strategii Europa 2020
    Autorzy:
    Ratajczak, J.
    Cichowicz-Major, M.
    Lew-Starowicz, R.
    Chojecki, J.
    Nasilowska, E.
    Pacuska, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/12141.pdf
    Data publikacji:
    2014
    Wydawca:
    Naukowe Wydawnictwo IVG
    Tematy:
    strategia Europa 2020
    gospodarka
    Europa
    dzialalnosc uslugowa
    dzialalnosc innowacyjna
    nowe technologie
    szkolnictwo wyzsze
    Polska
    absolwenci
    zapotrzebowanie
    miejsca pracy
    rozwoj zrownowazony
    kwalifikacje zawodowe
    kompetencje
    ksztalcenie
    Źródło:
    Ekonomia i Zarządzanie: Wiedza. Raporty. Diagnozy. Analizy. Przykłady; 2014, 3
    2084-963X
    Pojawia się w:
    Ekonomia i Zarządzanie: Wiedza. Raporty. Diagnozy. Analizy. Przykłady
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Response of ZnO/GaN Heterostructure to Ion Irradiation
    Autorzy:
    Barcz, A.
    Pągowska, K.
    Kozubal, M.
    Guziewicz, E.
    Borysiewicz, M.
    Dyczewski, J.
    Jakieła, R.
    Ratajczak, J.
    Snigurenko, D.
    Dynowska, E.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1402192.pdf
    Data publikacji:
    2015-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.82.Fk
    61.85.+p
    68.35.Dv
    Opis:
    In this paper we report on the analysis of Al⁺-implanted ZnO/GaN bilayers in search for the damage production mechanism and possible ion mixing. 100 nm or 200 nm thick ZnO epitaxial layers were grown on GaN substrates by either sputter deposition or atomic layer deposition technique followed by adequate annealing. Ion irradiations of ZnO/GaN were carried out at room temperature using 200 keV Al⁺ ions with fluences of 2×10¹⁵ and 10¹⁶ at./cm². Unprocessed and irradiated samples were characterized by the Rutherford backscattering spectrometry in channeling geometry (RBS\c), X-ray diffraction and transmission electron microscopy. Additionally, secondary ion mass spectrometry was employed for the aforementioned samples as well as for the implanted samples subjected to further annealing. It was found that the damage distributions in ZnO/GaN differ considerably from the corresponding defect profiles in the bulk ZnO and GaN crystals, most probably due to an additional strain originating from the lattice mismatch. Amount of intermixing appears to be relatively small; apparently, efficient recombination prevents foreign atoms to relocate to large distances.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2015, 128, 5; 832-835
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Transmission electron microscopy of In(Ga)As quantum dot structure
    Autorzy:
    Kątcki, J.
    Ratajczak, J.
    Łaszcz, A.
    Phillipp, F.
    Paranthoen, C.
    Cheng, X. L.
    Fiore, A.
    Passaseo, A.
    Cingolani, R.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/378389.pdf
    Data publikacji:
    2003
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Elektronowej
    Opis:
    The application of transmission electron microscopy (TEM) to the investigation of In(Ga)As quantum dot (QD) structures grown on GaAs substrates is reviewed. Using various examples of the QD structures the advantages of using TEM for the analysis of QDs are presented. From plan-view TEM images the areal density of dots can be determined in real structures where QDs are embedded in the structure. Cross-sectional TEM images inform us about the real geometry of the structure, the shape, width and height as well as the distribution of QDs. It is especially useful for the investigations of multilayer QD structures.
    Źródło:
    Electron Technology : Internet Journal; 2003, 35, 4; 1-6
    1897-2381
    Pojawia się w:
    Electron Technology : Internet Journal
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Technology of Ultrathin NbN and NbTiN Films for Superconducting Photodetectors
    Autorzy:
    Guziewicz, M.
    Slysz, W.
    Borysiewicz, M.
    Kruszka, R.
    Sidor, Z.
    Juchniewicz, M.
    Golaszewska, K.
    Domagala, J.
    Rzodkiewicz, W.
    Ratajczak, J.
    Bar, J.
    Wegrzecki, M.
    Sobolewski, R.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1492719.pdf
    Data publikacji:
    2011-12
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    74.62.Bf
    74.78.-w
    81.15.Cd
    81.15.Jj
    Opis:
    We report fabrication and characterization of ultrathin NbN and NbTiN films designed for superconducting photodetectors. Our NbN and NbTiN films were deposited on $Al_2O_3$ and Si single-crystal wafers by a high-temperature, reactive magnetron sputtering method and, subsequently, annealed at 1000°C. The best, 18 nm thick NbN films deposited on sapphire exhibited the critical temperature of 15.0 K and the critical current density as high as ≈ 8 × $10^6$ A/$cm^2$ at 4.8 K.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 6A; A-076-A-079
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Ultrathin NbN Films for Superconducting Single-Photon Detectors
    Autorzy:
    Słysz, W.
    Guziewicz, M.
    Borysiewicz, M.
    Domagała, J.
    Pasternak, I.
    Hejduk, K.
    Rzodkiewicz, W.
    Ratajczak, J.
    Bar, J.
    Węgrzecki, M.
    Grabiec, P.
    Grodecki, R.
    Węgrzecka, I.
    Sobolewski, R.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1504147.pdf
    Data publikacji:
    2011-07
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    74.62.Bf
    74.78.-w
    81.15.Cd
    81.15.Jj
    Opis:
    We present our research on fabrication and structural and transport characterization of ultrathin superconducting NbN layers deposited on both single-crystal $Al_2O_3$ and Si wafers, and $SiO_2$ and $Si_3N_4$ buffer layers grown directly on Si wafers. The thicknesses of our films varied from 6 nm to 50 nm and they were grown using reactive RF magnetron sputtering on substrates maintained at the temperature 850°C. We have performed extensive morphology characterization of our films using the X-ray diffraction method and atomic force microscopy, and related the results to the type of the substrate used for the film deposition. Our transport measurements showed that even the thinnest, 6 nm thick NbN films had the superconducting critical temperature of 10-12 K, which was increased to 14 K for thicker films.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 1; 200-203
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-7 z 7

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies