Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "gas resistance" wg kryterium: Wszystkie pola


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Layered thin film nanostructures of Pd/WO3-x as resistance gas sensors
Autorzy:
Urbańczyk, M.
Maciak, E.
Gut, K.
Pustelny, T.
Jakubik, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/200121.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
tungsten trioxide
palladium
layered nanostructure
resistance sensor
nitrogen dioxide
ammonia
Opis:
Layered nanostructures of tungsten trioxide WO3-x about 62 nm thick, with a very thin film of palladium (about 3.3 nm) on the top, have been studied for gas-sensing application at temperatures 50.C and 120.130.C and low NO2 and NH3 concentrations in 6%, 30% or 45% relative humidity in the air. Thin film WO3-x nanostructures were obtained by vacuum deposition on a common Si-SiO2 substrate at room temperature and 120.C. The palladium was coated by vacuum evaporation at room temperature and 4 �E 10.6 mbar on WO3-x layers obtained at two different substrate temperatures. The average rate of growth of the films, controlled by a QCM, was 0.1.0.2 nm/s. A multi-channel (four-channel interdigital gold electrodes) planar resistance gas sensor structure was used in the experiments. The surface of the nanostructures was characterized by means of the AFM method. Good sensor results have been observed at these layered nanostructures with an increasing resistance for NO2 molecules and decreasing resistance for NH3 molecules in a humid air atmosphere. The interaction and recovery speed were higher in the case of the nanostructure obtained at room temperature.
Źródło:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2011, 59, 4; 401-407
0239-7528
Pojawia się w:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Studies of changes in electrical resistance of zinc oxide nanostructures under the influence of variable gaseous environments
Autorzy:
Procek, M.
Pustelny, T.
Stolarczyk, A.
Maciak, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/201073.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
zinc oxide
ZnO
flower-like nanostructures
gas sensor
wide gap semiconductors
electric properties of semiconductors
tlenek cynku
kwiatopodobne nanostruktury
czujnik gazu
właściwości elektryczne półprzewodników
Opis:
The paper deals with the investigations concerning the influence of the changing gas environment on electrical resistance of zinc oxide (ZnO) nanostructures. The investigated structures are wide-gap semiconductors with the morphology of ZnO flower-shaped agglomerates of nanostructures. The resistance changes of these nanostructures were tested under the influence of various gases such as nitrogen dioxide (NO2), hydrogen (H2), ammonia (NH3) and also of humidity changes of carrier gases. To clarify the mechanisms of physicochemical processes in ZnO nanostructures during their interaction with gaseous environments, investigations were performed in two different carrier gases, viz. in synthetic air and in nitrogen. The study was carried out at a structure temperature of 200◦C.
Źródło:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2014, 62, 4; 635-639
0239-7528
Pojawia się w:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies