Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Pustelny, B." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-4 z 4
    Tytuł:
    Transverse Acoustoelectric Effect Applying in Surface Study of GaP:Te(111)
    Autorzy:
    Pustelny, B.
    Pustelny, T.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1807750.pdf
    Data publikacji:
    2009-09
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    72.80.Ey
    73.61.Ey
    73.61.Jc
    85.30.-z
    71.20.Mq
    Opis:
    The possibility of using the transverse acoustoelectric phenomena in experimental investigations of near surface region in semiconductor crystals was discussed. The results of experimental investigations of GaP:Te(111) surfaces by means of the transverse acoustoelectric voltage were presented. Applying the transverse acoustoelectric voltage method, the lifetime τ of minority carrier in the near-surface region and the surface potential $V_{s}$ in GaP:Te(111) surfaces after their different technological treatments were determined.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2009, 116, 3; 383-384
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Termofalowa metoda pomiaru dyfuzyjności cieplnej
    Thermal wave method for the determination of thermal diffusivity
    Autorzy:
    Mazur, J.
    Pustelny, B.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/257034.pdf
    Data publikacji:
    2008
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Eksploatacji - Państwowy Instytut Badawczy
    Tematy:
    dyfuzyjność cieplna
    właściwości cieplne
    metoda pomiarowa
    fala termiczna
    fotoakustyka
    radiometria w podczerwieni
    thermal diffusivity
    thermal properties
    measurement methods
    thermal waves
    photoacoustics
    infrared radiometry
    Opis:
    W niniejszej pracy przedstawiono termofalową metodę pomiaru dyfuzyjności cieplnej z detekcją fotoakustyczną i radiometryczną. Opracowana procedura bazuje na pomiarze przesunięcia fazowego między sygnałami rejestrowanymi przez detektor a sygnałem sterującym modulacją źródła światła. Zastosowanie materiału referencyjnego pozwoliło na wyeliminowanie wpływu komponentów układu pomiarowego na rejestrowane przesunięcie fazowe.
    This paper presents a proposition of the thermal wave method of measuring the thermal diffusivity by means of photoacoustic and infrared radiometry detection. The described procedure is based on the determination of the phase-shift between the light source and the registered signal. A reference material is used for the elimination of the measurement set-up contribution to phase.
    Źródło:
    Problemy Eksploatacji; 2008, 3; 177-187
    1232-9312
    Pojawia się w:
    Problemy Eksploatacji
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Determination of Some Kinetic Parameters of Fast Surface States in Silicon Single Crystals by Means of Surface Acoustic Wave Method
    Autorzy:
    Pustelny, T.
    Opilski, A.
    Pustelny, B.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1811565.pdf
    Data publikacji:
    2008-12
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    72.50.+b
    77.65.Dq
    73.50.Rb
    73.20.-r
    73.61.-r
    Opis:
    The paper presents the acoustic method for determining some parameters of fast surface states in semiconductors. This method uses the interactions of the phonon-electron type for determining both the effective carrier lifetime τ influenced by the fast surface energetic states and the velocity g of the carrier trapped by the surface states. Some experimental results of the parameters τ and g in near-surface region of real Si(111) samples for their various surface treatments, obtained by the offered method, are presented.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2008, 114, 6A; A-183-A-190
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Zinc Oxide Semiconductor for Photonics Structures Applications
    Autorzy:
    Struk, P.
    Pustelny, T.
    Pustelny, B.
    Gołaszewska, K.
    Kamińska, E.
    Piotrowska, A.
    Borysiewicz, M.
    Ekielski, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1506857.pdf
    Data publikacji:
    2010-12
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    42.25.Hz
    42.70.-a
    42.82.-m
    68.35.Ct
    Opis:
    The paper presents investigations concerning the analysis of photonic structures with grating couplers. In the paper basic theoretically information on photonic structures with grating couplers is presented. The results of numerical investigations on photonic structures with grating couplers are discussed, too. Investigations show an essential influence of the geometrical parameters of grating couplers on the effectiveness of the input and output of optic power into and out of this photonic structure. In the paper the selected results of experimental realizations of photonic structures with grating couplers based on zinc oxide ZnO are presented.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2010, 118, 6; 1242-1245
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-4 z 4

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies