Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Leszczyński, B." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-4 z 4
    Tytuł:
    Thermal Expansion of GaN Bulk Crystals and Homoepitaxial Layers
    Autorzy:
    Leszczyński, M.
    Teisseyre, H.
    Suski, T.
    Grzegory, I.
    Boćkowski, M.
    Jun, J.
    Pałosz, B.
    Porowski, S.
    Pakuła, K.
    Baranowski, J. M.
    Barski, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1952040.pdf
    Data publikacji:
    1996-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.72.Ji
    61.72.Vv
    Opis:
    Thermal expansion of gallium nitride was measured using high resolution X-ray diffraction. The following samples were examined: (i) single monocrystals grown at pressure of about 15 kbar, (ii) homoepitaxial layers. The main factor influencing both, the lattice parameters and the thermal expansion coefficient, are free electrons related to the nitrogen vacancies. The origin of an increase in the lattice constants by free electrons is discussed in terms of the deformation potential of the conduction-band minimum. An increase of the thermal expansion by free electrons is explained by a decrease of elastic constants.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 5; 887-890
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    High Resistivity GaN Single Crystalline Substrates
    Autorzy:
    Porowski, S.
    Boćkowski, M.
    Łucznik, B.
    Grzegory, I.
    Wróblewski, M.
    Teisseyre, H.
    Leszczyński, M.
    Litwin-Staszewska, E.
    Suski, T.
    Trautman, P.
    Pakuła, K.
    Baranowski, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1968415.pdf
    Data publikacji:
    1997-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    71.55.Eq
    72.80.Ey
    Opis:
    High resistivity 10$\text{}^{4}$-10$\text{}^{6}$ Ω cm (300 K) GaN single crystals were obtained by solution growth under high N$\text{}_{2}$ pressure from melted Ga with 0.1-0.5at.% of Mg. Properties of these crystals are compared with properties of conductive crystals grown by a similar method from pure Ga melt. In particular, it is shown that Mg-doped GaN crystals have better structural quality in terms of FWHM of X-ray rocking curve and low angle boundaries. Temperature dependence of electrical resistivity suggests hopping mechanism of conductivity. It is also shown that strain free GaN homoepitaxial layers can be grown on the Mg-doped GaN substrates.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 5; 958-962
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Polarity Related Problems in Growth of GaN Homoepitaxial Layers
    Autorzy:
    Leszczyński, M.
    Prystawko, P.
    Śliwinski, A.
    Suski, T.
    Litwin-Staszewska, E.
    Porowski, S.
    Paszkiewicz, R.
    Tłaczała, M.
    Beaumont, B.
    Gibart, P.
    Barski, A.
    Langer, R.
    Knap, W.
    Frayssinet, E.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1991873.pdf
    Data publikacji:
    1998-09
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.72.Vv
    65.70.+y
    Opis:
    Homoepitaxial layers of GaN were grown by metalorganic chemical vapour deposition on single crystals obtained by high-pressure, high-temperature technology. For each metalorganic chemical vapour deposition run, four samples were placed, (00.1) and (00.1̲) faces of the Mg-doped insulating and undoped highly-conductive substrates. The layers were examined using X-ray diffraction, photoluminescence and far-infrared reflectivity. It was found that the (00.1̲) easier incorporates donors resulting in higher free-electron concentrations in the layers grown on these sides of the crystals, both, undoped and Mg-doped.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 3; 427-430
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Blue Laser on High N$\text{}_{2}$ Pressure-Grown Bulk GaN
    Autorzy:
    Grzegory, I.
    Boćkowski, M.
    Krukowski, S.
    Łucznik, B.
    Wróblewski, M.
    Weyher, J.
    Leszczyński, M.
    Prystawko, P.
    Czernecki, R.
    Lehnert, J.
    Nowak, G.
    Perlin, P.
    Teisseyre, H.
    Purgał, W.
    Krupczyński, W.
    Suski, T.
    Dmowski, L.
    Litwin-Staszewska, E.
    Skierbiszewski, C.
    Łepkowski, S.
    Porowski, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2030423.pdf
    Data publikacji:
    2001-12
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Opis:
    In this note we report briefly on the details of pulsed-current operated "blue" laser diode, constructed in our laboratories, which utilizes bulk GaN substrate. As described in Ref. [1] the substrate GaN crystal was grown by HNPSG method, and the laser structure was deposited on the conducting substrate by MOCVD techniques (for the details see Sec. 2 and Sec. 4 of Ref.~[1], respectively).
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2001, 100, Supplement; 229-232
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-4 z 4

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies