Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Szczęsny, Paweł" wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Structural, morphological and photoluminescent properties of annealed ZnO thin layers obtained by the rapid sol-gel spin-coating method
Autorzy:
Sypniewska, Małgorzata
Szczesny, Robert
Popielarski, Paweł
Strzałkowski, Karol
Derkowska-Zielinska, Beata
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1818231.pdf
Data publikacji:
2020
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Stowarzyszenie Elektryków Polskich
Tematy:
FTIR and Raman spectroscopies
photoluminescence
SEM
XRD
ZnO thin films
Opis:
ZnO thin layers were deposited on p-type silicon substrates by the sol-gel spin-coating method and, then, annealed at various temperatures in the range of 573-873 K. Photoluminescence was carried out in the temperature range of 20-300 K. All samples showed two dominant peaks that have UV emissions from 300 nm to 400 nm and visible emissions from 400 nm to 800 nm. Influence of temperature on morphology and chemical composition of fabricated thin layers was examined by XRD, SEM, FTIR, and Raman spectroscopy. These measurements indicate that ZnO structure is obtained for samples annealed at temperatures above 573 K. It means that below this temperature, the obtained thin films are not pure zinc oxide. Thus, annealing temperature significantly affected crystallinity of the thin films.
Źródło:
Opto-Electronics Review; 2020, 28, 4; 182--190
1230-3402
Pojawia się w:
Opto-Electronics Review
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Structural, morphological and photoluminescent properties of annealed ZnO thin layers obtained by the rapid sol-gel spin-coating method
Autorzy:
Sypniewska, Małgorzata
Szczesny, Robert
Popielarski, Paweł
Strzalkowski, Karol
Derkowska-Zielinska, Beata
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1818237.pdf
Data publikacji:
2020
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Stowarzyszenie Elektryków Polskich
Tematy:
FTIR and Raman spectroscopies
photoluminescence
SEM
XRD
ZnO thin films
Opis:
ZnO thin layers were deposited on p-type silicon substrates by the sol-gel spin-coating method and, then, annealed at various temperatures in the range of 573-873 K. Photoluminescence was carried out in the temperature range of 20-300 K. All samples showed two dominant peaks that have UV emissions from 300 nm to 400 nm and visible emissions from 400 nm to 800 nm. Influence of temperature on morphology and chemical composition of fabricated thin layers was examined by XRD, SEM, FTIR, and Raman spectroscopy. These measurements indicate that ZnO structure is obtained for samples annealed at temperatures above 573 K. It means that below this temperature, the obtained thin films are not pure zinc oxide. Thus, annealing temperature significantly affected crystallinity of the thin films.
Źródło:
Opto-Electronics Review; 2020, 28, 4; 182--190
1230-3402
Pojawia się w:
Opto-Electronics Review
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies