- Tytuł:
-
Półprzewodnikowe źródło promieniowania IR z przestrajaną emisyjnością
Semiconductor IR source with controlled emissivity - Autorzy:
-
Piątkowski, T.
Polakowski, H.
Trzaskawka, P.
Piotrowski, T. - Powiązania:
- https://bibliotekanauki.pl/articles/157674.pdf
- Data publikacji:
- 2009
- Wydawca:
- Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
- Tematy:
-
promiennik podczerwieni
emisyjność
termowizja
IR source
emissivity
thermography - Opis:
-
W pracy dokonano analizy wpływu parametrów geometrycznych i optycznych planarnej diody krzemowej na jej właściwości emisyjne. Przeprowadzono analizy teoretyczne oraz dokonano pomiarów emisyjności różnicowej, weryfikujących obliczenia. Wykonano badania wpływu parametrów impulsów sterujących oraz właściwości promiennych testowanego źródła. Zbadano rozkład promieniowania w obszarze optycznie czynnym. Promienniki podczerwieni takiego typu można użyć zarówno do tworzenia sceny termalnej sterowanej elektrycznie jak do pomiarów parametrów dynamicznych kamer termowizyjnych.
The paper presents the influence of geometrical and optical parameters of a planar silicon diode on its emissive properties, especially the maximal value of differential emissivity that can be achieved at 100°C operating temperature. The theoretical analysis was performed (Figs. 1, 2) and was verified by emissivity measurements for two silicon structures, 0.3 and 0.5 mm thick, with and without an aluminum reflective layer. The pulse mode for carrier injection into p-n junction was applied. The pulse parameters as well as radiative properties of silicon structure were optimized and verified experimentally. The pulse amplitude, duration and repetition frequency were determined to obtain optimal source characteristics. The apparent temperature distribution across the active surface with and without carrier injection was measured with use of a thermal camera (Fig. 7). Due to generally promising results for a single diode, the next stage of research concerning a 4-element source (2x2 matrix) is planned. The mutual influence of adjacent diodes will be investigated and the designed control electronics will be tested. - Źródło:
-
Pomiary Automatyka Kontrola; 2009, R. 55, nr 11, 11; 886-889
0032-4140 - Pojawia się w:
- Pomiary Automatyka Kontrola
- Dostawca treści:
- Biblioteka Nauki
Artykuł