Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Szymczyk, R." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Electrode erosion mechanism in the rod plasma injector type of generator as deduced from the structure of irradiated substrates
Autorzy:
Piekoszewski, J.
Stanisławski, J.
Grotzschel, R.
Matz, W.
Jagielski, J.
Szymczyk, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/147032.pdf
Data publikacji:
2002
Wydawca:
Instytut Chemii i Techniki Jądrowej
Tematy:
plasma alloying
plasma melting
vapor ionization
Opis:
Titanium atoms were alloyed into a polycrystalline alundum substrate using a various number of intense pulses consisting of plasma of the working gas and vapor and low energy ions of Ti eroded from electrodes of the rod plasma injector type generator. It appears that at a single pulse titanium always forms a thin metallic film not mixed with the substrate material. With increasing number of pulses the amount of titanium atoms mixed into the substrate increases, whereas the thickness of the film - decreases. Analyses of phase composition and of structural properties, as well as computer simulations of thermal evolution brought the present authors to the conclusion that increase of number of pulses leads to decrease of melting temperature of the top layer of the substrate. It has also been confirmed that metallic ions eroded from electrodes do not undergo such acceleration like working gas ions do; their energy remains on the 200-300 eV level. It is concluded that erosion of the electrode material occurs during the last phase of the discharge via the vacuum arc mechanism.
Źródło:
Nukleonika; 2002, 47, 3; 113-117
0029-5922
1508-5791
Pojawia się w:
Nukleonika
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Implanted manganese redistribution in Si after He+ irradiation and hydrogen pulse plasma treatment
Autorzy:
Werner, Z.
Pochrybniak, C.
Barlak, M.
Piekoszewski, J.
Korman, A.
Heller, R.
Szymczyk, W.
Bocheńska, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/147018.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Instytut Chemii i Techniki Jądrowej
Tematy:
dilute magnetic semiconductors (DMS)
Mn-implanted Si
ion beam induced epitaxial crystallization
Opis:
Si-Mn alloy with a Mn content of a few percent is potentially a candidate for room temperature (RT) dilute magnetic semiconductor (DMS). However, the present methods of material manufacture suffer from problems with poor Mn solubility and thermodynamical limitations. We study a non-equilibrium method in which silicon is first implanted with 160 keV manganese ions to a dose of 1 × 1016 ions/cm2 and next either irradiated with 1.5 MeV 4He+ ions from the Warsaw Van de Graaff accelerator at 400°C or treated with high-energy hydrogen plasma pulses. Conclusion from Rutherford backscattering spectrometry (RBS) examination of the samples is that both approaches lead to recovery of crystalline surface layer with manganese occupying off-substitutional sites. The potential development of the method is discussed.
Źródło:
Nukleonika; 2011, 56, 1; 5-8
0029-5922
1508-5791
Pojawia się w:
Nukleonika
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies