Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Domagala, J" wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-8 z 8
    Tytuł:
    Application-of Quasi-Forbidden Reflections for Determination of Composition of Pseudobinary Semiconductors
    Autorzy:
    Bąk-Misiuk, J.
    Paszkowicz, W.
    Domagała, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1929715.pdf
    Data publikacji:
    1993-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.10.Wg
    Opis:
    An application of X-ray quasi-forbidden reflection method of composition determination for A$\text{}^{II}$B$\text{}^{VI}$ pseudobinary compounds is discussed. Three typical cases of the intensity dependence on the composition, as well as the choice of the most suitable reflection are presented.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1993, 84, 4; 681-684
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Composition Determination of Some A$\text{}^{II}$B$\text{}^{VI}$ Ternary Semiconductors from Quasi-Forbidden Reflection Intensity
    Autorzy:
    Bąk-Misiuk, J.
    Domagała, J.
    Dynowska, E.
    Miotkowska, S.
    Paszkowicz, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1931658.pdf
    Data publikacji:
    1994-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.10.Wg
    Opis:
    The aim of the present paper is to study the possibility of application of the X-ray quasi-forbidden reflection method to the composition determination of the sphalerite-type Cd$\text{}_{1-x}$M$\text{}_{x}$Te = Mg, Zn, Mn) single crystals. The method is based on the property of quasi-forbidden reflections that their integral intensity is very sensitive to composition and weakly sensitive to crystal lattice defects. An example of application for a Cd$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Te single crystal is presented.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1994, 86, 4; 575-578
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Optical and Structural Properties of Zn$\text{}_{1-x}$Be$\text{}_{x}$Se Mixed Crystals
    Autorzy:
    Firszt, F.
    Łęgowski, S.
    Męczyńska, H.
    Szatkowski, J.
    Zakrzewski, J.
    Paszkowicz, W.
    Domagała, J.
    Marczak, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1969072.pdf
    Data publikacji:
    1998-08
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.55.Et
    78.20.-e
    62.65.+k
    Opis:
    Optical and structural properties of Zn$\text{}_{1-x}$Be$\text{}_{x}$Se bulk crystals in the range of composition 0 ≤ x ≤ 0.41 have been studied. These crystals were grown by Bridgman method under an argon overpressure. Transmission, absorption, photoluminescence and photoacoustic spectra as a function of composition were investigated. It has been found that the crystal structure is of sphalerite type. The crystal quality increases when the crystallization process of the same boule is performed more than once. In the investigated composition range the lattice constant decreases and the energy gap increases with increasing beryllium content. From photoluminescence measurements the excitonic energy gap about 3.64 eV at 40 K was estimated for the highest obtained Be concentration (x=0.41).
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 2; 309-312
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Properties of Fe Doped β-HgS under Hydrostatic Pressure
    Autorzy:
    Szuszkiewicz, W.
    Skierbiszewski, C.
    Paszkowicz, W.
    Dybko, K.
    Domagała, J.
    Dynowska, E.
    Witkowska, B.
    Zinn, P.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1992279.pdf
    Data publikacji:
    1998-09
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.10.Gs
    64.60.My
    71.55.Gs
    Opis:
    High pressure- high temperature studies of the structural (zinc blende- cinnabar) phase transitions were performed in Hg$\text{}_{1-x}$Fe$\text{}_{x}$ S mixed crystals (x<0.1) using synchrotron radiation and multianvil X-ray diffraction press. Pressure investigations of the Hall effect and conductivity of crystals containing up to a few percent of Fe were also performed at 295 K and 77 K. It was demonstrated that Fe in β-HgS creates deep, localized donor state resonant with the conduction band.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 3; 570-574
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    X-Ray Characterization of GaAs:Zn Gas-transport Grown Whiskers Using Conventional and Synchrotron Sources
    Autorzy:
    Paszkowicz, W.
    Górecka, J.
    Domagała, J.
    Dmitruk, N.
    Varshava, S. S.
    Härtwig, J.
    Ohler, M.
    Pietraszko, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1964165.pdf
    Data publikacji:
    1997-05
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.72.Dd
    68.70.+w
    Opis:
    GaAs:Zn whiskers grown by the gas-transport method are characterized by diffraction methods using white and monochromatic radiation. The methods applied include the white-beam topography at ESRF synchrotron source and Laue patterns, 4-circle Bond diffractometry and high-resolution diffractometry at conventional X-ray sources. The results obtained concern the growth morphology and defect structure. It is found that GaAs:Zn whiskers grown by the described method have the form of long needles and blades of the morphologies represented by growth direction and largest lateral face ⟨112⟩{111} and ⟨111⟩{112}, respectively, with a single exception of a blade of uncommon morphology ⟨111⟩{110}.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1997, 91, 5; 997-1002
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Monocrystalline and Polycrystalline ZnO and ZnMnO Films Grown by Atomic Layer Epitaxy - Growth and Characterization
    Autorzy:
    Wójcik, A.
    Kopalko, K.
    Godlewski, M.
    Łusakowska, E.
    Paszkowicz, W.
    Dybko, K.
    Domagała, J.
    Szczerbakow, A.
    Kamińska, E.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2038164.pdf
    Data publikacji:
    2004-06
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    68.55.Jk
    68.55.Ln
    68.55.Nq
    78.66.Hf
    81.15.Kk
    Opis:
    Recently we demonstrated growth of monocrystalline ZnO films by atomic layer epitaxy in the gas flow variant using inorganic precursors. In this study, we discuss properties of ZnO films grown with organic precursors. Successful Mn doping of the ZnO films during the growth was achieved using the Mn-thd complex. Secondary ion mass spectroscopy and X-ray investigations reveal the contents of Mn up to about 20% of the cationic component.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2004, 105, 6; 667-673
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    ZnO by ALD - Advantages of the Material Grown at Low Temperature
    Autorzy:
    Guziewicz, E.
    Godlewski, M.
    Krajewski, T.
    Wachnicki, Ł.
    Łuka, G.
    Paszkowicz, W.
    Domagała, J.
    Przeździecka, E.
    Łusakowska, E.
    Witkowski, B.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1791286.pdf
    Data publikacji:
    2009-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.61.Ga
    78.66.Hf
    72.80.Ey
    Opis:
    The 3D-architecture is a prospective way in miniaturization of electronic devices. However, this approach can be realized only if metal paths are placed not only at the top, but also beneath the electronic parts, which imposes drastic temperature limitations for the electronic device processing. Therefore last years a lot of investigations are focused on materials which can be grown at low temperature with electrical parameters appropriate for electronic applications. Zinc oxide grown by the atomic layer deposition method is one of the materials of choice. We obtained ZnO-ALD films at growth temperature range between 100°C and 200°C, and with controllable electrical parameters. Free carrier concentration was found to scale with deposition temperature, so it is possible to grow ZnO films with desired conductivity without any intentional doping. We used correlation of electrical and optical parameters to optimize the deposition process. Zinc oxide layers obtained in that way have free carrier concentration as low as $10^{16} cm^{-3}$ and high mobility ($10-50 cm^{2}$/(Vs)), which satisfies requirements for a material used in three-dimensional memories.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2009, 116, 5; 814-817
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Effect of Doping on Ga$\text{}_{1-x}$Al$\text{}_{x}$As Structural Properties
    Autorzy:
    Bąk-Misiuk, J.
    Domagała, J.
    Paszkowicz, W.
    Trela, J.
    Żytkiewicz, Z. R.
    Leszczyński, M.
    Regiński, K.
    Muszalski, J.
    Härtwig, J.
    Ohler, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1964092.pdf
    Data publikacji:
    1997-05
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    81.05.Ea
    81.40.-z
    68.55.Ln
    61.10.Nz
    Opis:
    The microstructure of Ga$\text{}_{1-x}$Al$\text{}_{x}$As layers was studied using methods of high resolution diffractometry and topography. Mapping out the reciprocal space in the vicinity of 004 reciprocal lattice points shows a difference in diffuse scattering between doped and undoped layers. This result is attributed to a difference in a point-defect density. From the measurements of lattice parameters at different temperature it was found that the thermal expansion coefficients for the doped layers are higher than for the undoped ones. This phenomenon is attributed to the change of the anharmonic part of lattice vibrations by free electrons or/and point defects.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1997, 91, 5; 911-915
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-8 z 8

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies