Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Paszkiewicz, B" wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-3 z 3
    Tytuł:
    Improvement of the electron beam lithography contact pads fabrication process
    Autorzy:
    Indykiewicz, K.
    Paszkiewicz, R.
    Paszkiewicz, B.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/173623.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
    Tematy:
    electron beam lithography
    EBL
    exposition of big areas
    exposition time optimization
    Opis:
    In the paper, the verification of using the electron beam lithography technique as a main lithography tool for device fabrication is presented. The results of conducted experiments allow us to minimize the exposition time of big areas and retain acceptable metallic structures resolution and designed distances for structures in the neighborhood of a few micrometers. Conducted statistical analysis allows us to define the significance of the selected factors influence on the objectives of this study.
    Źródło:
    Optica Applicata; 2016, 46, 2; 249-254
    0078-5466
    1899-7015
    Pojawia się w:
    Optica Applicata
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    AlGaN/GaN Heterostructure FET - Processing and Parameters Evaluation
    Autorzy:
    Boratyński, B.
    Paszkiewicz, B.
    Paszkiewicz, R.
    Tłaczała, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1585274.pdf
    Data publikacji:
    2009-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    81.05.Hd
    85.30.De
    85.30.Tv
    Opis:
    AlGaN/GaN heterostructure field effect transistors were investigated in terms of microwave and sensor applications. Heterostructure layers grown on sapphire substrates were evaluated using impedance spectroscopy measurements. The 2DEG sheet concentration of 8× $10^{12} cm^{-2}$ and mobility of 1600 $cm^{2}$/(Vs) were obtained. The measured I-V characteristics of the heterostructure field effect transistors devices revealed the saturated drain current 180 mA/mm and the gate pinch-off voltage -2.0 V with the transconductance 200 mS/mm. The structures have been characterized in microwave frequency range with the measured cut-off frequency of 6 GHz for 1 μm gate device. Studies of an AlGaN/GaN heterostructure Schottky diode with a catalytic Pt electrode as a hydrogen gas sensor confirmed high sensitivity of the Schottky barrier on hydrogen adsorption. Differential conductance of the Schottky diode was found to be a convenient parameter to estimate changes of the Schottky barrier height.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2009, 116, 5; 800-805
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Effect of surface coating with palladium on hydrogen permeability of Pd33Ni52Si15 amorphous alloy membrane
    Autorzy:
    Prochwicz, W.
    Macherzyński, W.
    Paszkiewicz, B.
    Stępień, Z.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/173174.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
    Tematy:
    permeability
    hydrogen
    palladium alloys
    metallic glasses
    Opis:
    In the paper, the effect of the surface coating with palladium on hydrogen permeation of a Pd33Ni52Si15 amorphous alloy membrane was investigated. We have measured the hydrogen flow through the melt-spun amorphous membrane covered with palladium film of 10, 20, and 30 nm in thickness. Membranes have been tested in the temperature rage 294–358 K, and at pressure fixed at 102 kPa. We investigate the role of this film thickness on the activation energy for hydrogen permeability. It seemed that a relatively thin layer of the palladium on the surface of the membrane which contains over 30% of this element, should not considerably influence the permeability of the membrane for hydrogen. The membrane hydrogen permeability is correlated to permeation activation energy: the lower activation energy is, the higher permeability is observed. The activation energy for permeation strongly depends on palladium film thickness. The rapid increase of its value was recorded when the film thickness was growing up. As the result, the increase of the film thickness suppressed hydrogen permeability. Our findings are discussed in terms of a potential barrier between the two different phases.
    Źródło:
    Optica Applicata; 2016, 46, 2; 173-179
    0078-5466
    1899-7015
    Pojawia się w:
    Optica Applicata
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-3 z 3

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies