Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Pasternak, K." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-8 z 8
Tytuł:
Comparison of CVD graphene grown on copper foil and PVD copper
Porównanie własności grafenu otrzymanego metodą CVD na folii miedzianej oraz warstwie PVD miedzi
Autorzy:
Pasternak, I.
Grodecki, K.
Piątkowska, A.
Ciuk, T.
Caban, P.
Strupiński, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192272.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
graphene on copper foils
PVD copper films
grain boundaries
Raman spectroscopy
grafen na folii miedzianej
warstwy PVD miedzi
granice ziaren
spektroskopia ramanowska
Opis:
Graphene synthesis by the CVD method performed on the surface of copper is one of the most promising techniques for producing graphene for low cost and large scale applications. Currently, the most commonly used Cu substrate for graphene growth is foil, however, there is still a need to find new substrates and improve the quality of graphene layers. Sputtered Cu films on insulating substrates are considered as an alternative. Here we show the properties of graphene grown by the CVD method on thin copper foil and PVD copper films on Si/SiO2 substrates. We compare data on the properties of graphene films transferred from different copper substrates onto SiO2/Si substrates. We note that graphene grown on sputtered Cu films creates a multilayer form on the boundaries which can be identified on micro-Raman maps and in SEM images.
Wytwarzanie grafenu metodą CVD na podłożach miedzianych jest jedną z najbardziej perspektywicznych metod otrzymywania grafenu ze względu na niski koszt podłoża oraz szerokie możliwości zastosowania w przemyśle. Obecnie najczęściej stosowanym do wzrostu grafenu podłożem miedzianym jest folia, jednakże ciągle istnieje potrzeba znalezienia nowego podłoża tak by poprawić jakość warstw grafenu. Jako alternatywę rozważa się cienkie warstwy miedzi wytwarzane metodami PVD osadzane na nieprzewodzącym podłożu. W niniejszym artykule przedstawiamy własności grafenu wytwarzanego metodą CVD na cienkiej folii miedzianej oraz na warstwach miedzi osadzonych na Si/SiO2. Porównujemy także wyniki otrzymane dla przeniesionych warstw grafenu z obu rodzajów próbek.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2013, T. 41, nr 2, 2; 26-33
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Planar Optical Waveguides Based on Thin ZnO Layers
Autorzy:
Struk, P.
Pustelny, T.
Gut, K.
Gołaszewska, K.
Kamińska, E.
Ekielski, M.
Pasternak, I.
Łusakowska, E.
Piotrowska, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1807757.pdf
Data publikacji:
2009-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
42.25.Hz
42.25.-p
42.70.-a
42.82.-m
42.82.Et
68.35.Ct
Opis:
The paper quotes the results of investigations concerning planar optical waveguides with a high value of the refractive index, achieved basing on a broad-band gap semiconductor ZnO, deposited on glass or quartz substrates. The investigations were focused on the properties of the waveguides, determining the modal characteristics, the attenuation coefficient and the structure of the surface.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2009, 116, 3; 414-418
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Optical and Electrical Studies of Graphene Deposited on GaN Nanowires
Autorzy:
Kierdaszuk, J.
Kaźmierczak, P.
Drabińska, A.
Wysmołek, A.
Korona, K.
Kamińska, M.
Pakuła, K.
Pasternak, I.
Krajewska, A.
Żytkiewicz, Z.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1195433.pdf
Data publikacji:
2014-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.05.ue
72.10.Fk
78.67.Wj
72.80.Vp
Opis:
In this paper using scanning electron microscope, contactless microwave electronic transport and the Raman spectroscopy we studied the properties of graphene deposited on GaN nanowires and compared it with the graphene deposited on GaN epilayer. The Raman micro-mapping showed that nanowires locally change the strain and the concentration of carriers in graphene. Additionally we observed that nanowires increase the intensity of the Raman spectra by more than one order of magnitude.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2014, 126, 5; 1087-1089
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Planar Optical Waveguides for Application in Optoelectronic Gas Sensors
Autorzy:
Golaszewska, K.
Kamińska, E.
Pustelny, T.
Struk, P.
Piotrowski, T.
Piotrowska, A.
Ekielski, M.
Kruszka, R.
Wzorek, M.
Borysiewicz, M.
Pasternak, I.
Gut, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1811559.pdf
Data publikacji:
2008-12
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
42.82.Et
07.07.Df
42.79.Pw
81.15.-z
Opis:
In the paper, the results of technological investigations on planar optical waveguides based on high band gap oxide semiconductors were presented. Investigations concerned the technologies of depositing very thin layers of: zinc oxide ZnO, titanium dioxide $TiO_2$ and tin dioxide $SnO_2$ on substrates of quartz glass plates. There were investigated both morphological structures of the produced layers and their optical properties. The paper also presents investigations on the technology of input-output light systems in the Bragg grating structures.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2008, 114, 6A; A-223-A-230
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
The Influence of Humidity on the Resistance Structures with Graphene Sensor Layer
Autorzy:
Pustelny, T.
Setkiewicz, M.
Drewniak, S.
Maciak, E.
Stolarczyk, A.
Procek, M.
Urbańczyk, M.
Gut, K.
Opilski, Z.
Pasternak, I.
Strupinski, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1418032.pdf
Data publikacji:
2012-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
07.07.Df
42.81.Pa
82.47.Rs
Opis:
In the paper the results of investigations are presented concerning the influence of humidity of air on the resistance of a gas sensor structure with a graphene layer. The affects of nitrogen dioxide and humidity action on graphene were studied. We indicated that humidity might play an important role in determining the gas sensing properties of the graphene layer. In the paper it has been shown that in the case of a nitrogen oxide sensor, the reaction of $NO_2$ with water vapour can generate permanent defects in graphene.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2012, 122, 5; 870-873
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
The sensibility of resistance sensor structures with graphene to the action of selected gaseous media
Autorzy:
Pustelny, T.
Setkiewicz, M.
Drewniak, S.
Maciak, E.
Stolarczyk, A.
Urbańczyk, M.
Procek, M.
Gut, K.
Opilski, Z.
Pasternak, I.
Strupinski, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/200915.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
graphene
resistance
sensor
hydrogen sensor
nitrogen dioxide sensor
Opis:
The paper presents resistance sensor structures with a graphene sensing layer. The structures were tested concerning their sensitivity to the affects of hydrogen, nitrogen dioxide and steam in an atmosphere of a synthetic air. Investigations have proved that resistance structures with a graphene layer are sensitive to the presence of the tested gases. The resistance of the structures amounted to about 10Ω, whereas changes in the resistances affected by the external gaseous medium were contained within the range of a several mΩ. The investigations confirmed that the resistance structures with graphene exposed to the affect of hydrogen in atmosphere of synthetic air change their resistances practically at once (within the order of only a few seconds). This indicates that such structures might be practically applied in sensors of hydrogen ensuring a short time of response.
Źródło:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2013, 61, 2; 293-300
0239-7528
Pojawia się w:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Morphology and Selected Properties of Core/Shell ZnTe-Based Nanowire Structures Containing ZnO
Autorzy:
Gas, K.
Janik, E.
Zaleszczyk, W.
Pasternak, I.
Dynowska, E.
Fronc, K.
Kolkovsky, V.
Kret, S.
Morhange, J. F.
Reszka, A.
Wiater, M.
Caliebe, W.
Karczewski, G.
Kowalski, B. J.
Szuszkiewicz, W.
Wojtowicz, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2047950.pdf
Data publikacji:
2011-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.37.Hk
68.37.Lp
68.65.La
81.07.Vb
Opis:
We report on an approach to fabricate ZnTe-based core/shell radial heterostructures containing ZnO, as well as on some of their physical properties. The molecular beam epitaxy grown ZnTe nanowires constituted the core of the investigated structures and the ZnO shells were obtained by thermal oxidation of ZnTe NWs. The influence of the parameters characterizing the oxidation process on selected properties of core/shell NWs were examined. Scanning electron microscopy revealed changes of the NWs morphology for various conditions of the oxidation process. X-ray diffraction, high resolution transmission electron microscopy, and Raman scattering measurements were applied to reveal the presence of ZnTe single crystal core and polycrystalline ZnO-shell of investigated structure.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 5; 612-614
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Ultrathin NbN Films for Superconducting Single-Photon Detectors
Autorzy:
Słysz, W.
Guziewicz, M.
Borysiewicz, M.
Domagała, J.
Pasternak, I.
Hejduk, K.
Rzodkiewicz, W.
Ratajczak, J.
Bar, J.
Węgrzecki, M.
Grabiec, P.
Grodecki, R.
Węgrzecka, I.
Sobolewski, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1504147.pdf
Data publikacji:
2011-07
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
74.62.Bf
74.78.-w
81.15.Cd
81.15.Jj
Opis:
We present our research on fabrication and structural and transport characterization of ultrathin superconducting NbN layers deposited on both single-crystal $Al_2O_3$ and Si wafers, and $SiO_2$ and $Si_3N_4$ buffer layers grown directly on Si wafers. The thicknesses of our films varied from 6 nm to 50 nm and they were grown using reactive RF magnetron sputtering on substrates maintained at the temperature 850°C. We have performed extensive morphology characterization of our films using the X-ray diffraction method and atomic force microscopy, and related the results to the type of the substrate used for the film deposition. Our transport measurements showed that even the thinnest, 6 nm thick NbN films had the superconducting critical temperature of 10-12 K, which was increased to 14 K for thicker films.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 1; 200-203
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-8 z 8

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies