Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Pasternak, A." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-10 z 10
    Tytuł:
    ZnO Thin Films Deposited on Sapphire by High Vacuum High Temperature Sputtering
    Autorzy:
    Borysiewicz, M. A.
    Pasternak, I.
    Dynowska, E.
    Jakieła, R.
    Kolkovski, V.
    Dużyńska, A.
    Kamińska, E.
    Piotrowska, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2048109.pdf
    Data publikacji:
    2011-05
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    81.05.Dz
    81.15.Cd
    61.05.cp
    68.37.Hk
    68.37.Ps
    68.49.Sf
    78.55.Et
    Opis:
    ZnO (0001) layers on sapphire (0001) substrates were fabricated by means of high temperature high vacuum magnetron sputtering. The layers were deposited onto a thin MgO buffer and a low temperature ZnO nucleation layer, which is a technology commonly used in MBE ZnO growth. This paper reports on using this technology in the sputtering regime.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 5; 686-688
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Comparison of CVD graphene grown on copper foil and PVD copper
    Porównanie własności grafenu otrzymanego metodą CVD na folii miedzianej oraz warstwie PVD miedzi
    Autorzy:
    Pasternak, I.
    Grodecki, K.
    Piątkowska, A.
    Ciuk, T.
    Caban, P.
    Strupiński, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192272.pdf
    Data publikacji:
    2013
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    graphene on copper foils
    PVD copper films
    grain boundaries
    Raman spectroscopy
    grafen na folii miedzianej
    warstwy PVD miedzi
    granice ziaren
    spektroskopia ramanowska
    Opis:
    Graphene synthesis by the CVD method performed on the surface of copper is one of the most promising techniques for producing graphene for low cost and large scale applications. Currently, the most commonly used Cu substrate for graphene growth is foil, however, there is still a need to find new substrates and improve the quality of graphene layers. Sputtered Cu films on insulating substrates are considered as an alternative. Here we show the properties of graphene grown by the CVD method on thin copper foil and PVD copper films on Si/SiO2 substrates. We compare data on the properties of graphene films transferred from different copper substrates onto SiO2/Si substrates. We note that graphene grown on sputtered Cu films creates a multilayer form on the boundaries which can be identified on micro-Raman maps and in SEM images.
    Wytwarzanie grafenu metodą CVD na podłożach miedzianych jest jedną z najbardziej perspektywicznych metod otrzymywania grafenu ze względu na niski koszt podłoża oraz szerokie możliwości zastosowania w przemyśle. Obecnie najczęściej stosowanym do wzrostu grafenu podłożem miedzianym jest folia, jednakże ciągle istnieje potrzeba znalezienia nowego podłoża tak by poprawić jakość warstw grafenu. Jako alternatywę rozważa się cienkie warstwy miedzi wytwarzane metodami PVD osadzane na nieprzewodzącym podłożu. W niniejszym artykule przedstawiamy własności grafenu wytwarzanego metodą CVD na cienkiej folii miedzianej oraz na warstwach miedzi osadzonych na Si/SiO2. Porównujemy także wyniki otrzymane dla przeniesionych warstw grafenu z obu rodzajów próbek.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2013, T. 41, nr 2, 2; 26-33
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Ti-Al-N MAX Phase a Candidate for Ohmic Contacts to n-GaN
    Autorzy:
    Borysiewicz, M.
    Kamińska, E.
    Piotrowska, A.
    Pasternak, I.
    Jakieła, R.
    Dynowska, E.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1811915.pdf
    Data publikacji:
    2008-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.05.cp
    68.49.Sf
    68.55.ag
    81.40.Ef
    Opis:
    Fabrication of a Ti₂AlN MAX phase for contact applications to GaN-based devices is reported. Sample characterisation was done by means of X-ray diffraction and secondary ion mass spectroscopy. Successful Ti₂AlN monocrystalline growth was observed on GaN and Al₂O₃ substrates by annealing sputter-deposited Ti, Al and TiN layers in Ar flow at 600°C. The phase was not seen to grow when the layers were deposited on Si (111) or when the first layer on the substrate was TiN. N-type GaN samples with Ti₂AlN layers showed ohmic behaviour with contact resistivities in the range 10¯⁴ Ωcm².
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2008, 114, 5; 1061-1066
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Electronic Properties of Thin HfO$\text{}_{2}$ Films Fabricated by Atomic Layer Deposition on 4H-SiC
    Autorzy:
    Taube, A.
    Gierałtowska, S.
    Gutt, T.
    Małachowski, T.
    Pasternak, I.
    Wojciechowski, T.
    Rzodkiewicz, W.
    Sawicki, M.
    Piotrowska, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2048120.pdf
    Data publikacji:
    2011-05
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    77.55.dj
    77.22.Jp
    73.40.Qv
    81.15.Gh
    Opis:
    Applicability of thin HfO$\text{}_{2}$ films as gate dielectric for SiC MOSFET transistor is reported. Layers characterisation was done by means of atomic force microscopy and scanning electron microscopy, spectroscopic ellipsometry and C-V and I-V measurements of MIS structures. High permittivity dielectric layers were deposited using atomic layer deposition. Investigation showed high value of κ = 15 and existence of high density surface states (5 × 10$\text{}^{12}$ eV$\text{}^{-1}$ cm$\text{}^{-2}$) on HfO$\text{}_{2}$/SiC interface. High leakage current is caused probably due to low conduction band offset between hafnium oxide and silicon carbide.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 5; 696-698
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Optical and Electrical Studies of Graphene Deposited on GaN Nanowires
    Autorzy:
    Kierdaszuk, J.
    Kaźmierczak, P.
    Drabińska, A.
    Wysmołek, A.
    Korona, K.
    Kamińska, M.
    Pakuła, K.
    Pasternak, I.
    Krajewska, A.
    Żytkiewicz, Z.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1195433.pdf
    Data publikacji:
    2014-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    81.05.ue
    72.10.Fk
    78.67.Wj
    72.80.Vp
    Opis:
    In this paper using scanning electron microscope, contactless microwave electronic transport and the Raman spectroscopy we studied the properties of graphene deposited on GaN nanowires and compared it with the graphene deposited on GaN epilayer. The Raman micro-mapping showed that nanowires locally change the strain and the concentration of carriers in graphene. Additionally we observed that nanowires increase the intensity of the Raman spectra by more than one order of magnitude.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2014, 126, 5; 1087-1089
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Planar Optical Waveguides Based on Thin ZnO Layers
    Autorzy:
    Struk, P.
    Pustelny, T.
    Gut, K.
    Gołaszewska, K.
    Kamińska, E.
    Ekielski, M.
    Pasternak, I.
    Łusakowska, E.
    Piotrowska, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1807757.pdf
    Data publikacji:
    2009-09
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    42.25.Hz
    42.25.-p
    42.70.-a
    42.82.-m
    42.82.Et
    68.35.Ct
    Opis:
    The paper quotes the results of investigations concerning planar optical waveguides with a high value of the refractive index, achieved basing on a broad-band gap semiconductor ZnO, deposited on glass or quartz substrates. The investigations were focused on the properties of the waveguides, determining the modal characteristics, the attenuation coefficient and the structure of the surface.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2009, 116, 3; 414-418
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    The Influence of Humidity on the Resistance Structures with Graphene Sensor Layer
    Autorzy:
    Pustelny, T.
    Setkiewicz, M.
    Drewniak, S.
    Maciak, E.
    Stolarczyk, A.
    Procek, M.
    Urbańczyk, M.
    Gut, K.
    Opilski, Z.
    Pasternak, I.
    Strupinski, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1418032.pdf
    Data publikacji:
    2012-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    07.07.Df
    42.81.Pa
    82.47.Rs
    Opis:
    In the paper the results of investigations are presented concerning the influence of humidity of air on the resistance of a gas sensor structure with a graphene layer. The affects of nitrogen dioxide and humidity action on graphene were studied. We indicated that humidity might play an important role in determining the gas sensing properties of the graphene layer. In the paper it has been shown that in the case of a nitrogen oxide sensor, the reaction of $NO_2$ with water vapour can generate permanent defects in graphene.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2012, 122, 5; 870-873
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    The sensibility of resistance sensor structures with graphene to the action of selected gaseous media
    Autorzy:
    Pustelny, T.
    Setkiewicz, M.
    Drewniak, S.
    Maciak, E.
    Stolarczyk, A.
    Urbańczyk, M.
    Procek, M.
    Gut, K.
    Opilski, Z.
    Pasternak, I.
    Strupinski, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/200915.pdf
    Data publikacji:
    2013
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    graphene
    resistance
    sensor
    hydrogen sensor
    nitrogen dioxide sensor
    Opis:
    The paper presents resistance sensor structures with a graphene sensing layer. The structures were tested concerning their sensitivity to the affects of hydrogen, nitrogen dioxide and steam in an atmosphere of a synthetic air. Investigations have proved that resistance structures with a graphene layer are sensitive to the presence of the tested gases. The resistance of the structures amounted to about 10Ω, whereas changes in the resistances affected by the external gaseous medium were contained within the range of a several mΩ. The investigations confirmed that the resistance structures with graphene exposed to the affect of hydrogen in atmosphere of synthetic air change their resistances practically at once (within the order of only a few seconds). This indicates that such structures might be practically applied in sensors of hydrogen ensuring a short time of response.
    Źródło:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2013, 61, 2; 293-300
    0239-7528
    Pojawia się w:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Planar Optical Waveguides for Application in Optoelectronic Gas Sensors
    Autorzy:
    Golaszewska, K.
    Kamińska, E.
    Pustelny, T.
    Struk, P.
    Piotrowski, T.
    Piotrowska, A.
    Ekielski, M.
    Kruszka, R.
    Wzorek, M.
    Borysiewicz, M.
    Pasternak, I.
    Gut, K.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1811559.pdf
    Data publikacji:
    2008-12
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    42.82.Et
    07.07.Df
    42.79.Pw
    81.15.-z
    Opis:
    In the paper, the results of technological investigations on planar optical waveguides based on high band gap oxide semiconductors were presented. Investigations concerned the technologies of depositing very thin layers of: zinc oxide ZnO, titanium dioxide $TiO_2$ and tin dioxide $SnO_2$ on substrates of quartz glass plates. There were investigated both morphological structures of the produced layers and their optical properties. The paper also presents investigations on the technology of input-output light systems in the Bragg grating structures.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2008, 114, 6A; A-223-A-230
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Morphology and Selected Properties of Core/Shell ZnTe-Based Nanowire Structures Containing ZnO
    Autorzy:
    Gas, K.
    Janik, E.
    Zaleszczyk, W.
    Pasternak, I.
    Dynowska, E.
    Fronc, K.
    Kolkovsky, V.
    Kret, S.
    Morhange, J. F.
    Reszka, A.
    Wiater, M.
    Caliebe, W.
    Karczewski, G.
    Kowalski, B. J.
    Szuszkiewicz, W.
    Wojtowicz, T.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2047950.pdf
    Data publikacji:
    2011-05
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    68.37.Hk
    68.37.Lp
    68.65.La
    81.07.Vb
    Opis:
    We report on an approach to fabricate ZnTe-based core/shell radial heterostructures containing ZnO, as well as on some of their physical properties. The molecular beam epitaxy grown ZnTe nanowires constituted the core of the investigated structures and the ZnO shells were obtained by thermal oxidation of ZnTe NWs. The influence of the parameters characterizing the oxidation process on selected properties of core/shell NWs were examined. Scanning electron microscopy revealed changes of the NWs morphology for various conditions of the oxidation process. X-ray diffraction, high resolution transmission electron microscopy, and Raman scattering measurements were applied to reveal the presence of ZnTe single crystal core and polycrystalline ZnO-shell of investigated structure.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 5; 612-614
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-10 z 10

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies