Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "niskie temperatury" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-4 z 4
    Tytuł:
    Pomiar wzmocnienia napięciowego scalonych wzmacniaczy operacyjnych CMOS w zakresie temperatur od 4,2 K do 300 K
    Open loop gain measurement of CMOS Operational Amplifiers of range from 4,2 K to 300 K
    Autorzy:
    Pająkowski, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/152165.pdf
    Data publikacji:
    2008
    Wydawca:
    Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
    Tematy:
    wzmacniacze operacyjne
    niskie temperatury
    CMOS
    operational amplifiers
    low temperatures
    Opis:
    W artykule opisane jest badanie wzmacniaczy operacyjnych CMOS w zakresie temperatur od 4,2 K do 300 K. Charakterystyczną cechą wzmacniaczy operacyjnych CMOS jest histereza wejściowego napięcia niezrównoważenia dla pracy wzmacniacza przy otwartej pętli sprzężenia zwrotnego. W artykule opisany jest sposób, który pomimo istnienia histerezy wejściowego napięcia niezrównoważenia, pozwala na wykonanie pomiarów wzmocnienia napięciowego wzmacniaczy operacyjnych CMOS.
    The article describes study of the CMOS operational amplifiers within the temperatures ranging from 4,2 K to 300 K. The characteristic feature of CMOS operational amplifiers is hysteresis of input offset voltage for performance of amplifiers with open loop feedback. The method presented allows conducting measurements of voltage gain of CMOS operational amplifiers despite this hysteresis.
    Źródło:
    Pomiary Automatyka Kontrola; 2008, R. 54, nr 6, 6; 371-373
    0032-4140
    Pojawia się w:
    Pomiary Automatyka Kontrola
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Optoelektroniczny przetwornik E/U operujący w 77K
    An optoelectronic light to voltage converter operating at 77K
    Autorzy:
    Pająkowski, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/152870.pdf
    Data publikacji:
    2014
    Wydawca:
    Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
    Tematy:
    czujnik optyczny
    fotodioda
    niskie temperatury
    optoelectronic sensor
    photodiode
    low temperature
    Opis:
    W pracy przedstawiono wyniki badań zachowania fotodiody BPW34S w temperaturze z zakresu od 77 K do 300 K Przedstawiono zmiany wybranych parametrów wzmacniaczy operacyjnych BiFET w niskiej temperaturze. Zaproponowano rozwiązanie kriogenicznego przetwornika E/U (natężenie oświetlenia/napięcie) pracującego w temperaturze z zakresu od 77 K do 300 K, z użyciem fotodiody BPW34S i wzmacniacza TL081 wykonanego w technologii BiFET. Porównano wyniki badań temperaturowych kriogenicznego przetwornika E/U z wynikami badań nad pracą scalonego czujnika optoelektronicznego OPT101 w temperaturach z zakresu od 77 K do 300 K. Pokazano pracę skonstruowanego przetwornika E/U mogącego operować w 77 K.
    The paper presents the results of performance tests of a BPW34S photodiode in the temperature range from 77 K to 300 K (Fig. 2). Also the results of tests of a BiFET operational amplifier are presented: the open loop gain and gain bandwidth of TL081 in the temperature range from 77 K to 300 K (Fig. 4). There is introduced a cryogenic light to voltage converter operating within the above mentioned temperature range. (Fig. 5). In the cryogenic light to voltage converter there are used the BPW34S photodiode and TL081 BiFET operational amplifier. The stand for testing characteristics of electric parameters of electronic elements in low temperatures is shown in the block diagram (Fig. 7) and the photo (Fig. 9). It was proved that the cryogenic light to voltage converter could operate in temperature range 77 K to 300 K with a relative error less than 6% (Tab. 1) (Fig. 8). Finally, the results of low temperature tests of the designed converter with the results of tests of the optoelectronic sensor OPT101 are compared (Fig. 10, 11). There is also presented the spectral sensitivity of the tested light sensors (Fig. 12). The presented solutions can be used in devices working in temperature of 77 K in e.g. high-temperature superconductivity equipment.
    Źródło:
    Pomiary Automatyka Kontrola; 2014, R. 60, nr 8, 8; 583-586
    0032-4140
    Pojawia się w:
    Pomiary Automatyka Kontrola
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Wpływ niskiej temperatury na pracę czujnika optoelektronicznego OPT101
    Influence of low temperature on OPT101 optoelectronic sensor operation
    Autorzy:
    Pająkowski, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/155976.pdf
    Data publikacji:
    2011
    Wydawca:
    Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
    Tematy:
    czujnik optyczny
    fotodioda
    niskie temperatury
    optical sensor
    photodiode
    low temperatures
    Opis:
    W pracy przedstawiono wyniki badań zachowania czujnika optoelektronicznego OPT101, który jest fotodiodą zintegrowaną z wewnętrznym wzmacniaczem operacyjnym. Czujnik jest przetwornikiem natężenie oświetlenia/napięcie. Przedstawiono charakterystyki napięcia na wyjściu czujnika VO w funkcji temperatury T dla różnych wartości natężenia oświetlenia. Przedstawiono wyniki badań prądu fotodiody ID w funkcji temperatury i natężenia oświetlenia. Przebadano wzmocnienie wewnętrznego wzmacniacza operacyjnego. Pokazano wpływ temperatury na pasmo częstotliwościowe wewnętrznego wzmacniacza.
    The paper presents results of tests on behaviour of an OPT101 optoelectronic sensor (Figs. 1, 2) being a photodiode integrated with an internal operational amplifier. The sensor is a converter of luminous emittance to voltage. Fig. 3 shows a measuring position. The sensor was tested at temperature TX, and the model sensor was at temperature T = 20 °C. In Figs. 4 and Fig. 5 there are presented characteristics of voltage VI at the sensor output as a function of temperature T for five different values of the voltage at the sensor model output VM. There are also included the results of determining the photodiode current ID as a function of temperature for five different values of VM (Fig. 8). The internal amplifier gain was also tested and it was proved that the amplifier gain in low temperatures close to 77K depended strongly on the current of the feedback loop consisting of the internal operational amplifier; the higher the current, the lower the amplification decrease (Fig. 10). In the paper there is also discussed the influence of the temperature on the internal amplifier frequency band (Fig. 11). In the summary there is stated that, when taking into consideration the maximum relative error of 3% , it is possible to use the sensor in the temperature range from -180 °C to 20 °C.
    Źródło:
    Pomiary Automatyka Kontrola; 2011, R. 57, nr 12, 12; 1537-1539
    0032-4140
    Pojawia się w:
    Pomiary Automatyka Kontrola
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Ocena efektu samopodgrzewania układu PLD w niskich temperaturach
    Evaluation of self-heating of PLD structure in low temperatures
    Autorzy:
    Arnold, K.
    Pająkowski, J.
    Michalak, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/156501.pdf
    Data publikacji:
    2012
    Wydawca:
    Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
    Tematy:
    czas propagacji
    niskie temperatury
    samopodgrzewanie
    PLD
    propagation delay
    low temperature
    self-heating
    Opis:
    W pracy opisano zachowanie programowalnego układu PLD po poddaniu go działaniu niskich temperatur, obniżanych do temperatury ciekłego azotu. Przedstawiono wyniki badań eksperymentalnych, zmierzających do określenia wpływu temperatury i poboru mocy przez wykonaną w technologii CMOS strukturę EE PLD na czasy propagacji zintegrowanych bramek logicznych. Zaprezentowano charakterystyki średniego czasu propagacji pojedynczej bramki w zakresie niskich temperatur i porównano uzyskane wyniki z prognozami, formułowanymi w oparciu o zjawisko samopodgrzewania struktury półprzewodnikowej.
    In this paper behavior of a programmable logic device (PLD) in the low temperature range, including temperature of liquid nitrogen, is presented. There are given the results of experiments in which we tried to determine the influence of temperature and power consumption on the propagation delay of integrated logic gates implemented in an EE PLD CMOS structure. The thermal conditions of work resulting from the ambient temperature, clock signal frequency, value of voltage supply and current consumption connected with output loads and switching frequency are discussed. The PLD device properties in the nominal range of ambient temperatures and expected behavior after reducing the temperature are described. The main idea of the circuit for average propagation delay measuring (Fig. 1) and the voltage-current dependence for recommended test output loads (Figs. 2 and 3) are discussed. The test circuit with pull-up resistors for increasing self-heating effect is proposed (Fig. 4). The results for the propagation delay (Fig. 5) and current consumption (Fig. 6) at 1 kHz and 1 MHz switching fre-quency as a function of the temperature changing from -196°C to 20°C are shown. The propagation delay vs. temperature (Figs. 7 and 8) and the current consumption vs. temperature (Fig. 9) for the circuit with external pull-up resistors are presented. The influence of voltage supply value changes on the obtained results is taken into consideration. The results are discussed and compared with expectations.
    Źródło:
    Pomiary Automatyka Kontrola; 2012, R. 58, nr 7, 7; 641-643
    0032-4140
    Pojawia się w:
    Pomiary Automatyka Kontrola
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-4 z 4

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies