Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "rezystancja" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-3 z 3
    Tytuł:
    Research on a magnetic field sensor with a frequency output signal based on a tunnel-resonance diode
    Badania magnetycznego czujnika pola z sygnałem wyjściowym częstotliwościowym w oparciu o diodę tunelowo-rezonansową
    Autorzy:
    Osadchuk, Alexander. V.
    Osadchuk, Vladimir. S.
    Osadchuk, Iaroslav A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1841342.pdf
    Data publikacji:
    2020
    Wydawca:
    Politechnika Lubelska. Wydawnictwo Politechniki Lubelskiej
    Tematy:
    self-oscillator
    tunneling resonant diode
    negative differential resistance
    frequency
    quantum heterostructure
    samoscylator
    tunelowa dioda rezonansowa
    ujemna rezystancja różnicowa
    częstotliwość
    heterostruktura kwantowa
    Opis:
    Based on the consideration of physical processes in a tunnel-resonant diode under the action of a magnetic field, the construction of an autogenerating magnetic field sensor with a frequency output signalis proposed. The use of devices with negative differential resistance makes it possible to significantly simplify the design of magnetic field sensors in the entire RF frequency range. Depending on the operating modes of the sensor, anoutput signal can be obtained in the form of harmonic oscillations, as well as in the form of pulse oscillations of a special form.The study of the characteristics of the magnetic field sensor is based on the complete equivalent circuit of the tunnel-resonant diode.Theequivalent circuit takes into account both the capacitive and inductive properties of the tunneling resonant diode.The inductive component exists under any operating conditions, as a result of the fact that the current flowing through thedevice is always lagging behind the voltage that caused it, which corresponds to the inductive response of a tunnel-resonant diode.
    Na podstawie uwzględnienia procesów fizycznych zachodzących w diodzie tunelowo-rezonansowej pod działaniem pola magnetycznego proponuje się skonstruowanie autogeneracyjnego czujnika pola magnetycznego o częstotliwościowym sygnale wyjściowym. Zastosowanie urządzeń o ujemnej rezystancji różnicowej pozwala znacznie uprościć konstrukcję czujników pola magnetycznego w całym zakresie częstotliwości RF. W zależności od trybu pracy czujnika sygnał wyjściowy można uzyskać w postaci oscylacji harmonicznych, a także w postaci oscylacji impulsów ospecjalnej postaci.Badanie charakterystyk czujnika pola magnetycznego opiera się na pełnym obwodzie zastępczym tunelowej diody rezonansowej. Obwód zastępczy uwzględnia zarówno właściwości pojemnościowe, jak i indukcyjnetunelowej diody rezonansowej. Składowa indukcyjna istnieje w każdych warunkach pracy, na skutek tego, że prąd przepływający przez urządzenie jest zawsze opóźniony w stosunku do napięcia, które go spowodowało, co odpowiada odpowiedzi indukcyjnej diody tunelowo-rezonansowej.
    Źródło:
    Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska; 2020, 10, 4; 51-56
    2083-0157
    2391-6761
    Pojawia się w:
    Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Research on a magnetic field sensor with a frequency output signal based on a tunnel-resonance diode
    Badania magnetycznego czujnika pola z sygnałem wyjściowym częstotliwościowym w oparciu o diodę tunelowo-rezonansową
    Autorzy:
    Osadchuk, Alexander. V.
    Osadchuk, Vladimir. S.
    Osadchuk, Iaroslav A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1841376.pdf
    Data publikacji:
    2020
    Wydawca:
    Politechnika Lubelska. Wydawnictwo Politechniki Lubelskiej
    Tematy:
    self-oscillator
    tunneling resonant diode
    negative differential resistance
    frequency
    quantum heterostructure
    samoscylator
    tunelowa dioda rezonansowa
    ujemna rezystancja różnicowa
    częstotliwość
    heterostruktura kwantowa
    Opis:
    Based on the consideration of physical processes in a tunnel-resonant diode under the action of a magnetic field, the construction of an autogenerating magnetic field sensor with a frequency output signalis proposed. The use of devices with negative differential resistance makes it possible to significantly simplify the design of magnetic field sensors in the entire RF frequency range. Depending on the operating modes of the sensor, anoutput signal can be obtained in the form of harmonic oscillations, as well as in the form of pulse oscillations of a special form.The study of the characteristics of the magnetic field sensor is based on the complete equivalent circuit of the tunnel-resonant diode.Theequivalent circuit takes into account both the capacitive and inductive properties of the tunneling resonant diode.The inductive component exists under any operating conditions, as a result of the fact that the current flowing through thedevice is always lagging behind the voltage that caused it, which corresponds to the inductive response of a tunnel-resonant diode.
    Na podstawie uwzględnienia procesów fizycznych zachodzących w diodzie tunelowo-rezonansowej pod działaniem pola magnetycznego proponuje się skonstruowanie autogeneracyjnego czujnika pola magnetycznego o częstotliwościowym sygnale wyjściowym. Zastosowanie urządzeń o ujemnej rezystancji różnicowej pozwala znacznie uprościć konstrukcję czujników pola magnetycznego w całym zakresie częstotliwości RF. W zależności od trybu pracy czujnika sygnał wyjściowy można uzyskać w postaci oscylacji harmonicznych, a także w postaci oscylacji impulsów ospecjalnej postaci.Badanie charakterystyk czujnika pola magnetycznego opiera się na pełnym obwodzie zastępczym tunelowej diody rezonansowej. Obwód zastępczy uwzględnia zarówno właściwości pojemnościowe, jak i indukcyjnetunelowej diody rezonansowej. Składowa indukcyjna istnieje w każdych warunkach pracy, na skutek tego, że prąd przepływający przez urządzenie jest zawsze opóźniony w stosunku do napięcia, które go spowodowało, co odpowiada odpowiedzi indukcyjnej diody tunelowo-rezonansowej.
    Źródło:
    Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska; 2020, 10, 4; 51-56
    2083-0157
    2391-6761
    Pojawia się w:
    Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Self-oscillating parametric humidity sensor with frequency output signal
    Samooscylacyjny parametrycznyczujnik wilgotności z częstotliwościowym sygnałem wyjściowym
    Autorzy:
    Osadchuk, Iaroslav O.
    Osadchuk, Oleksandr V.
    Osadchuk, Vladimir. S.
    Krylik, Lyudmila. V.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/27315405.pdf
    Data publikacji:
    2023
    Wydawca:
    Politechnika Lubelska. Wydawnictwo Politechniki Lubelskiej
    Tematy:
    self-oscillating parametric humidity sensor with frequency output
    negative differential resistance
    humidity-sensitive resistor
    samooscylacyjny parametryczny czujnik wilgotności z wyjściem częstotliwościowym
    ujemna rezystancja różnicowa
    rezystor wrażliwy na wilgoć
    Opis:
    A self-oscillating parametric humidity sensor has been developed that implements the principle of "humidity-frequency" conversion into hybrid integrated circuit based on a microelectronic transistor structure with a negative differential resistance, in which the humidity-sensitive element is a resistor of the HR202 type. For the purposes of determining parameters self-oscillating parametric humidity sensor with frequency output a mathematical model has been developed that takes into account the effect of humidity on a sensitive resistive element, which is an integral element of the device. Based on the mathematical model, analytical expressions for the transformation function and the sensitivity equation are obtained. It is shown that the main contribution to the conversion function is made by relative humidity. The computer simulation and experimental studies of a self-oscillating parametric humidity sensor with a frequency output signal contributed to obtaining the main parameters and characteristics, such as the dependence of the generation frequency on changes in relative humidity in the range from 30% to 99%, the change in sensitivity on relative humidity, the dependence of the active and reactive components of the impedance in the frequency range from 50 kHz to 2 GHz; standing wave ratio, change in logarithmic magnitude and spectra of the output signal of a parametric humidity sensor with a frequency output signal in the LTE-800 Downlink frequency range. The obtained electrical characteristics confirm the operability of the developed device. The sensitivity of the developed self-oscillating parametric humidity sensor in the range of relative humidity change from 30% to 99% has a value from 332.8 kHz/% to 130.2 kHz/%.
    Opracowano samooscylujący parametryczny czujnik wilgotności realizujący zasadę konwersji „wilgotność-częstotliwość” do hybrydowego układu scalonego opartego na mikroelektronicznej strukturze tranzystorowej o ujemnej rezystancji różnicowej, w której elementem czułym na wilgotność jest rezystor typu HR202 typ. Na potrzeby wyznaczania parametrów samooscylującego parametrycznego czujnika wilgotności z wyjściem częstotliwościowym opracowano model matematyczny uwzględniający wpływ wilgoci na czuły element rezystancyjny, będący integralną częścią urządzenia. Na podstawie modelu matematycznego uzyskuje się wyrażenia analityczne dla funkcji transformacji i równania wrażliwości. Pokazano, że główny udział w funkcji konwersji ma wilgotność względna. Symulacja komputerowa i badania eksperymentalne samooscylującego parametrycznego czujnika wilgotności z wyjściowym sygnałem częstotliwościowym przyczyniły się do uzyskania głównych parametrów i charakterystyk, takich jak zależność częstotliwości generacji od zmian wilgotności względnej w zakresie od 30% do 99%, zmiana czułości na wilgotność względną, zależność składowej czynnej i reaktywnej impedancji w zakresie częstotliwości od 50 kHz do 2 GHz; współczynnika fali stojącej, zmiany wielkości logarytmicznej i widma sygnału wyjściowego parametrycznego czujnika wilgotności przy częstotliwościowym sygnale wyjściowym w zakresie częstotliwości LTE-800 Downlink. Uzyskane charakterystyki elektryczne potwierdzają sprawność opracowanego urządzenia. Czułość opracowanego samooscylującego parametrycznego czujnika wilgotności w zakresie zmian wilgotności względnej od 30% do 99% przyjmuje wartość od 332,8 kHz/% do 130,2 kHz/%.
    Źródło:
    Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska; 2023, 13, 1; 42--49
    2083-0157
    2391-6761
    Pojawia się w:
    Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-3 z 3

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies