Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Olender, V." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-1 z 1
Tytuł:
Native Deep-Level Defects in MBE-Grown p-Type CdTe
Autorzy:
Olender, K.
Wosiński, T.
Mąkosa, A.
Dłużewski, P.
Kolkovsky, V.
Karczewski, G.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1492964.pdf
Data publikacji:
2011-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Gs
68.37.Lp
61.72.J-
61.72.Lk
Opis:
Deep-level transient spectroscopy was used to study the defect levels in p-type CdTe layers grown by the molecular-beam epitaxy technique on lattice-mismatched GaAs substrates. In our measurements we have observed five hole traps. Two of the traps, displaying exponential capture kinetics, have been assigned to native point defects, the Cd vacancy and a complex formed of Cd vacancy and Te antisite, produced in the CdTe layers during their growth. The other two traps have been attributed to electronic states of threading dislocations on the ground of their logarithmic capture kinetics. The last trap, which was observed only when the investigated space charge region was close to the metal-semiconductor interface, has been ascribed to surface states.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 5; 946-949
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-1 z 1

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies