Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Olejniczak, Z." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-4 z 4
Tytuł:
Scanning Tunneling Microscopy/Spectroscopy Investigations of the Interference Effects Caused by the Circular Pits on the Thermally Oxidized graphite Surface
Autorzy:
Klusek, Z.
Kalinowski, M. W.
Olejniczak, W.
Kobierski, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1968772.pdf
Data publikacji:
1998-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
33.60.Fy
61.16.Ch
71.20.-b
Opis:
The thermal oxidation of the graphite leads to the removal of monoatomic carbon layers from the surface and formation of circular pits on the exposed plane. Near the pit edges the scanning tunneling spectroscopy measurements show a series of very narrow flat regions on the I/V characteristics. The observed I/V flat regions appear only when the characteristic is recorded very close to the pit edges. The appearance of tunneling current steps can be explained by the oscillating character of the local density of states near the pit edges. A simple quantum mechanical model in 2D based on boundary condition for an electron wave function is proposed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1998, 93, 2; 415-420
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
A Fully Computerized Scanning Tunnelling Microscope
Autorzy:
Chwiałkowski, M.
Klusek, Z.
Kobierski, P.
Olejniczak, W.
Sławski, M.
Witek, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1929317.pdf
Data publikacji:
1993-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
07.80.+x
Opis:
A new, fully computerized and inexpensive, scanning tunnelling microscope was designed and built. Its key design feature is the application of the high sensitivity bimorph, for the coarse positioning of the bimorph is > 0.03 mm and can be divided up to the 12 bit number of steps. The bimorph positioning implies that this microscope is fully computer controlled, and using of bimorph instead of inch-worm implies low cost of the unit. The microscope can create images of the surface in the constant current mode and in the imaging current mode. The presented microscope works with the z-axis analog or digital feedback loop optionally. All parameters of the analog and digital feedback loop are computer controlled. Due to the digital z-axis feedback loop benefits, electron tunneling spectroscopy mode is naturally accessible. The performance of the microscope was tested in air by imaging of surface of HOPG (high oriented pyrolytic graphite).
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1993, 83, 5; 621-628
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
GaSb Dots Grown on GaAs Surface by Metalorganic Chemical Vapour Deposition
Autorzy:
Bożek, R.
Babiński, A.
Baranowski, J. M.
Stępniewski, R.
Klusek, Z.
Olejniczak, W.
Starowieyski, K.
Wróbel, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1934054.pdf
Data publikacji:
1995-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.15.Gh
68.55.-a
Opis:
We report metaloorganic chemical vapour deposition growth of an anisotropic GaSb islands on GaAs (001) surface with a typical dimensions around 200 nm. Results of investigations employing scanning electron microscope, scanning tunnelling microscope and ph9tocapacitance are presented.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 5; 974-976
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
High-Temperature Scanning Tunnelling Spectroscopy of Transition Metal Oxides
Autorzy:
Klusek, Z.
Datta, P. K.
Kowalczyk, P.
Pierzgalski, S.
Busiakiewicz, A.
Olejniczak, W.
Basu, A.
Brinkman, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2036892.pdf
Data publikacji:
2003
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.30.+h
73.20.At
72.80.Ga
Opis:
In situ high-temperature scanning tunnelling spectroscopy measure-ments recorded on the heavily reduced TiO$\text{}_{2}$(110) surface which contains Ti$\text{}_{2}$O$\text{}_{3}$ regions showed disappearance of the energy gap accompanied by substantial decrease in amplitude of the band edge states with increasing temperature. It indicates smooth insulator-metal transition caused by bands overlap in Ti$\text{}_{2}$O$\text{}_{3}$, which takes place at elevated temperatures. In situ high-temperature scanning tunnelling microscopy and spectroscopy were used to study the influence of temperature on the electronic properties of Ni$\text{}_{x}$Mn$\text{}_{3-x}$O$\text{}_{3-δ}$ (0.4< x<1) thin films deposited by rf magnetron sputtering at three different oxygen/argon (2.5%, 10%, 15%) containing ambient. The morphology and distribution of the local density of states of the observed films did not show any difference for the films deposited at different conditions. The distribution of the local density of states was temperature dependent. The changes in the shape of the local density of states observed at 473 K were reversible with temperature implying that no permanent change of the electronic structure occurred.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2003, 104, 3-4; 245-258
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-4 z 4

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies