Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Chrobak, D." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-4 z 4
Tytuł:
Influence of Phase Transformations on Incipient Plasticity of Si-Nanospheres
Autorzy:
Chrobak, D.
Nowak, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1033040.pdf
Data publikacji:
2017-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
62.20.-x
62.50.-p
64.70.kg
Opis:
Our finding of the current spike effect highlighted for the first time in 2009 offers an enhanced understanding of the link between nanoscale mechanical deformation and electrical behavior, and ultimately suggests key advances in unique phase-change applications in future electronics. Certainly, crystal imperfections affect the properties of the nanoparticles themselves, e.g., their biocompatibility and biodegradability. The potential role of dislocations having a profound impact on the use of Si nanoparticles was largely overlooked, since plastic deformation of bulk Si is dominated by amorphization and phase transformations. Here we show an effect of bulk → nanoparticle transition (deconfinement) on incipient plasticity of Si-nanovolume. Our results provide a fresh insight into the dilemma concerning dislocation or phase transformation origin of nanoscale plastic deformation of semiconductor nanoobjects.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2017, 131, 5; 1318-1331
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Nanoscale deformation of GaAs affected by silicon doping
Autorzy:
Majtyka, A.
Nowak, R.
Chrobak, D.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1112264.pdf
Data publikacji:
2016-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
64.70.kg
61.72.J-
Opis:
Effect of silicon doping on the elastic-plastic transition of GaAs crystal is demonstrated by results of nanoindentations and ab initio simulations. The performed experiments show that an increase of silicon concentration causes a decrease of the contact pressure at the onset of permanent nanodeformation of GaAs crystal. Ab initio calculations demonstrate that presence of Si atoms in the crystal lattice suppresses the shear modulus as well as the pressure of equilibrium between zinc-blende and rock-salt phases of GaAs. Furthermore, it is argued that the effect of dislocations pinning to Si dopants is essential for clarification of GaAs yielding.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2016, 130, 4; 1127-1130
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Elastic constants and analytic bond order potential for atomistic simulations of simple cubic tungsten trioxide
Autorzy:
Dendzik, Z.
Chrobak, D.
Nowak, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1943224.pdf
Data publikacji:
2009
Wydawca:
Politechnika Gdańska
Tematy:
tungsten trioxide
DFT
elastic constans
bond-order potential
Opis:
A set of elastic constants was calculated and a parametrization of the potential was derived for simple cubic tungsten trioxide based on an analytical bond-order scheme. It was show that the obtained parametrization provided a good description of interatomic forces and such properties as the lattice constant, the bulk modulus and the elastic constants.
Źródło:
TASK Quarterly. Scientific Bulletin of Academic Computer Centre in Gdansk; 2009, 13, 1-2; 93-98
1428-6394
Pojawia się w:
TASK Quarterly. Scientific Bulletin of Academic Computer Centre in Gdansk
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Elastic-plastic transition in MBE-grown GaSb semiconducting crystal examined by nanoindentation
Autorzy:
Majtyka, A.
Trębala, M.
Tukiainen, A.
Chrobak, D.
Borgieł, W.
Räisänen, J.
Nowak, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1075863.pdf
Data publikacji:
2016-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.40.Jj
62.20.F-
81.15.Hi
81.05.Ea
Opis:
The present paper concerns the elastic-plastic nanodeformation of Te-doped GaSb crystals grown by molecular beam epitaxy on the n-type of GaSb substrate. The conventional analysis of nanoindentation data obtained with sharp triangular (Berkovich) and spherical tip revealed the elastic modulus (E=83.07± 1.78 GPa), hardness (H=5.19±0.25 GPa) and "true hardness" (H_{T}=5.73±0.04 GPa). The registered pop-in event which indicates the elastic-plastic transition in GaSb crystal points towards the corresponding yield strength (σ_{Y}=3.8±0.1 GPa). The origin of incipient plasticity in GaSb crystal is discussed in terms of elastic-plastic deformation energy concept.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2016, 130, 4; 1131-1133
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-4 z 4

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies