Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Novikov, I." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Exponential machines
Autorzy:
Novikov, A.
Trofimov, M.
Oseledets, I.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/201849.pdf
Data publikacji:
2018
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
tensor decomposition
tensor train
factorization machines
Riemannian optimization
optymalizacja
dekompozycja tensorowa
tensor metryczny Riemanna
Opis:
Modeling interactions between features improves the performance of machine learning solutions in many domains (e.g. recommender systems or sentiment analysis). In this paper, we introduce Exponential machines (ExM), a predictor that models all interactions of every order. The key idea is to represent an exponentially large tensor of parameters in a factorized format called tensor train (TT). The tensor train format regularizes the model and lets you control the number of underlying parameters. To train the model, we develop a stochastic Riemannian optimization procedure, which allows us to fit tensors with ¼ 256 entries. We show that the model achieves state-of-the-art performance on synthetic data with high-order interactions and that it works on par with high-order factorization machines on a recommender system dataset MovieLens 100 K.
Źródło:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2018, 66, 6; 789-797
0239-7528
Pojawia się w:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Magnetotransport in Si ⟨Sb⟩ Delta-Layer after Swift Heavy Ion-Induced Modification
Autorzy:
Fedotov, A.
Skuratov, V.
Yurasov, D.
Novikov, A.
Svito, I.
Apel, P.
Zukowski, P.
Fedotova, V.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1030140.pdf
Data publikacji:
2017-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
72.20.My
73.20.Fz
73.40.-c
61.80.Jh
Opis:
In the present paper the investigations of the influence of swift heavy ion irradiation on the magnetotransport in the antimony (Sb) δ-layer in silicon are reported. Temperature and magnetic field dependences of the resistance R(T,B) and the Hall coefficient R_H(T,B) in the temperature range of 2K < T < 300K and B ≤ 8T before and after the 167 MeV Xe⁺²⁶ ion irradiation (ion fluence of 10⁸ cm¯²) were measured. At the temperatures below 50K there is observed the transition from the Arrhenius log R(1/T) to a logarithmic R ≈ -log(T) dependence both before and after the swift heavy ion exposure which confirms the assumption that the carrier transport goes through the δ-layer mainly. Moreover, the transition from the positive to negative magnetoresistance was observed with the temperature decrease that is characteristic of the two-dimensional quantum corrections to the conductivity in the case of weak localization regime. The appropriate Thouless lengths L_{Th}(T) ≈ A × T^{p} (where p and A are dependent on the scattering mechanism) indicated their ≈ 25-30% decrease after the swift heavy ion exposure. It was shown that the exponent p values were close to the theoretical one of p = 1, confirming the realization of 2D weak localization regime in the carrier transport.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2017, 132, 2; 229-232
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies