Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Suffczyński, J." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-3 z 3
Tytuł:
Excitation Mechanisms of CdTe/ZnTe Quantum Dots under Non-Resonant and Quasi-Resonant Regime
Autorzy:
Kazimierczuk, T.
Gaj, J. A.
Golnik, A.
Goryca, M.
Nawrocki, M.
Koperski, M.
Smoleński, T.
Suffczyński, J.
Wojnar, P.
Kossacki, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2047917.pdf
Data publikacji:
2011-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.67.Hc
78.55.Et
Opis:
We discuss possible mechanisms of quantum dot population control. A set of experiments, including time-resolved photoluminescence, single photon correlations, excitation correlation, and photoluminescence excitation is used to determine the actual mechanism under non-resonant and quasi-resonant regime.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 5; 588-591
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Control of Photon Polarization in GaAs/AlAs Single Quantum Dot Emission
Autorzy:
Suffczyński, J.
Trajnerowicz, A.
Kazimierczuk, T.
Piętka, B.
Kowalik, K.
Kossacki, P.
Golnik, A.
Nawrocki, M.
Gaj, J. A.
Wysmołek, A.
Stępniewski, R.
Potemski, M.
Thierry-Mieg, V.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2047725.pdf
Data publikacji:
2007-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.55.Cr
78.66.Fd
78.67.Hc
78.47.+p
Opis:
We study polarization resolved correlation between photons emitted in cascaded biexciton-exciton recombination from a single quantum dot formed in type II GaAs/AlAs bilayer. Magnetic field induced transition from anisotropy controlled to the Zeeman controlled emission was demonstrated by a circular polarization correlation between the emitted photons. A simple model describing the effect allowed us to determine the anisotropic exchange splitting of the excitonic state. This method of the anisotropic exchange splitting determination can be useful in the case when other methods are not sensitive enough.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2007, 112, 2; 461-466
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Magnetooptical Properties of (Ga,Fe)N Layers
Autorzy:
Papierska, J.
Rousset, J.
Pacuski, W.
Kossacki, P.
Golnik, A.
Nawrocki, M.
Gaj, J.
Suffczyński, J.
Kowalik, I.
Stefanowicz, W.
Sawicki, M.
Dietl, T.
Navarro-Quezada, A.
Faina, B.
Li, T.
Bonanni, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1492954.pdf
Data publikacji:
2011-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
75.50.Pp
75.30.Hx
78.20.Ls
71.35.Ji
Opis:
Magnetooptical properties of (Ga,Fe)N layers containing various concentrations of Fe-rich nanocrystals embedded in paramagnetic (Ga,Fe)N layers are reported. Previous studies of such samples demonstrated that magnetization consists of a paramagnetic contribution due to substitutional diluted Fe ions as well as of ferromagnetic and antiferromagnetic components originating from Fe-rich nanocrystals, whose relative abundance can be controlled by the growth conditions. The nanocrystals are found to broaden and to reduce the magnitude of the excitonic features. However, the ferromagnetic contribution, clearly seen in SQUID magnetometry, is not revealed by magnetic circular dichroism. Possible reasons for differences in magnetic response determined by magnetic circular dichroism and SQUID measurements are discussed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 5; 921-923
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-3 z 3

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies