Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Natarajan, S." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-5 z 5
    Tytuł:
    Growth and mineral constituents’ variations in halophytic species under salinity
    Autorzy:
    Silambarasan, N.
    Natarajan, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/11313.pdf
    Data publikacji:
    2014
    Wydawca:
    Przedsiębiorstwo Wydawnictw Naukowych Darwin / Scientific Publishing House DARWIN
    Tematy:
    growth
    mineral constituent
    variation
    halophytic plant
    plant species
    Clerodendron inerme
    salinity
    sodium chloride
    morphological parameter
    mineral content
    sodium
    potassium
    calcium
    Opis:
    The present investigation was made to study the effect of different concentrations of sodium chloride on the growth and mineral constituents in different parts of Clerodendron inerme. The plant and could survive a wide range of 100-1000 mM of NaCl. The upper limit for the survival of Clerodendron inerme was 500 mM NaCl. However, favourable growth response by seedlings was confined to 200 mM NaCl. The morphological parameters such as shoot and length, number of leaves, total leaf area, fresh and dry mass and mineral constituents such as sodium, potassium and calcium were assessed.
    Źródło:
    International Letters of Natural Sciences; 2014, 05
    2300-9675
    Pojawia się w:
    International Letters of Natural Sciences
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Germination and seedling growth of Zea mays L. under different levels of sodium chloride stress
    Autorzy:
    Sozharajan, R.
    Natarajan, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/11383.pdf
    Data publikacji:
    2014
    Wydawca:
    Przedsiębiorstwo Wydawnictw Naukowych Darwin / Scientific Publishing House DARWIN
    Tematy:
    germination
    seedling
    plant growth
    Zea mays
    seed
    different level
    sodium chloride stress
    water content
    inhibition
    Opis:
    Salt stress is one of the most severe environmental factors that reduces and limits growth and development of plants. Abiotic stresses such as heavy metals, salinity, drought, temperature, UV-radiation, ozone causes drastic yield reduction in most of the crops. Especially salt stress affects around 20 of NaCl on germination and seedling growth of Zea mays L. Seeds of Zea mays were germinated in glass Petri- 100 × 15 mm diameter lined with blotting paper. Ten seeds were placed in each petri-dish. Petridishes were irrigated with 25, 50, 75, 100, 125, 150, 175 and 200 mM concentrations of NaCl. A control was moistened with ten milliliters of distilled water. The germination percentage, water absorption of the seeds, water uptake percentage and the growth parameters were observed. The results obtained showed that the inhibition of the germination percentage, germination rate, water uptake, growth and biomass accumulation of the seedlings were observed to decrease with increasing NaCl concentrations. At the highest level of stress both plumule and radical decreased significantly. The salt stress decreased seed germination, biomass and growth of maize seedlings due to ion toxicity, decrease osmotic potential and oxidative stress.
    Źródło:
    International Letters of Natural Sciences; 2014, 07
    2300-9675
    Pojawia się w:
    International Letters of Natural Sciences
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Grafen otrzymywany metodą elektrolityczną na podłożach z węglika krzemu
    Graphene obtained by electrolytic method on silicon carbide substrates
    Autorzy:
    Stańczyk, B.
    Dobrzański, L.
    Jagoda, A.
    Możdżonek, M.
    Natarajan, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192048.pdf
    Data publikacji:
    2014
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    grafen
    metoda elektrolityczna
    graphene
    electrochemical metod
    Opis:
    W artykule przedstawiono nową technikę osadzania warstw grafenu na podłożach z węglika krzemu metodą elektrolityczną. Polega ona na zastosowaniu jako materiału elektrod grafitu i SiC oraz elektrolitu organicznego poli–styrenosulfonianu sodu (PSS). Widma Ramana osadzanych warstw wskazują na to, że otrzymano grafen. Istnienie wiązań typu C=C potwierdza spektroskopia FTIR. Prowadzono także proces z roztworów na bazie tlenku grafenu. Ponadto w procesie z rozcieńczonym elektrolitem uzyskano rzadką odmianę alotropową węglika krzemu - moissanit, który syntetycznie jest produkowany przede wszystkim na potrzeby przemysłu elektronicznego.
    We present a new electrochemical deposition method of graphene layers on silicon carbide substrates. The technological arrangement was comprised of graphite, SiC electrodes and organic electrolyte, i.e. poly(sodium-4-styrenesulphonate), and in the case of an alternative technique suspension with graphene oxide was applied. Graphene layers consisting of flakes were obtained on SiC electrodes, which was concluded based on a Raman Spectroscopy analysis. Moreover, during the process with diluted electrolyte solution we achieved a rare allotropic form of silicon carbide called moissanit, which is commonly used in electronic applications.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2014, T. 42, nr 3, 3; 20-25
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Analiza odkształceń sieci krystalicznej w sąsiedztwie dyslokacji
    Analysis of crystal lattice deformations in the vicinity of dislocations
    Autorzy:
    Jóźwik, P.
    Turos, A.
    Jagielski, J.
    Natarajan, S.
    Nowicki, L.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192188.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    analiza defektów złożonych
    kanałowanie jonów
    symulacje Monte Carlo
    complex defect analysis
    ion channeling
    Monte Carlo simulations
    Opis:
    W pracy opisano procedury symulacji Monte Carlo procesu rozpraszania wstecznego w kryształach zawierających dyslokacje. Sigmoidalny kształt ugiętych rzędów (płaszczyzn) atomowych można przybliżyć funkcją arctan, co stanowi model dystorsji sieci krystalicznej w pobliżu półpłaszczyzny dyslokacji krawędziowej. Badania strukturalne kryształów AlGaN i SrTiO3 za pomocą HRTEM pozwoliły wyznaczyć parametry geometryczne zaburzeń sieci krystalicznej w sąsiedztwie dyslokacji (kąt ugięcia w punkcie przegięcia funkcji arctan oraz odległość między jej asymptotami). Zależność każdego z tych parametrów od odległości od krawędzi dyslokacji można przybliżyć funkcją ekspotencjalnego zaniku i wyznaczyć współczynniki tej funkcji. Dane te zostały wykorzystane w symulacjach Monte Carlo widm rozpraszania wstecznego AlGaN oraz SrTiO3 i pozwoliły na ilościową parametryzację rozkładu dyslokacji w defektowanych kryształach.
    A procedure of Monte Carlo simulation of a backscattering process in crystals containing dislocations was described in this publication. Sigmoidally bent atomic rows (planes) can be approximated by an arctan function being a model of the lattice distortion in the vicinity of a dislocation. HRTEM analysis of AlGaN and SrTiO3 crystals allowed determination of the geometrical parameters of crystalline structure distortion in the vicinity of a dislocation (a bending angle at the inflexion point of the arctan function as well as the distance between its asymptotes). A dependence of each of these parameters on the distance from a dislocation edge can be approximated by an exponential decay function. The parameters of this function can be calculated from the experimental data. The parameters obtained were used in Monte Carlo simulation of the backscattering process in AlGaN and SrTiO3 and enabled quantitative determination of the depth distribution of dislocations in defected crystals.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2015, T. 43, nr 2, 2; 18-26
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Lofty frequency and reproducible plant regeneration from mature nodal explants of ‘‘Egusi’’melon (Citrullus colocynthis L.)
    Autorzy:
    Thangavel, P.
    Natarajan, S.
    Shanmugam, V.
    Sulaiman, S.M.
    Ramasamy, R.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/80168.pdf
    Data publikacji:
    2019
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    nodal explant
    Citrullus colocynthis
    melon
    sterilization
    mercuric chloride
    shoot bud
    benzylaminopurine
    multiple shoot culture
    Źródło:
    BioTechnologia. Journal of Biotechnology Computational Biology and Bionanotechnology; 2019, 100, 3
    0860-7796
    Pojawia się w:
    BioTechnologia. Journal of Biotechnology Computational Biology and Bionanotechnology
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-5 z 5

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies