Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "73.50.Bk" wg kryterium: Wszystkie pola


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Impurity-Scattering Limited Electron Mobility in Free Standing Quantum Wires: Image Charge Effect
Autorzy:
Vagner, P.
Mos̆ko, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1952718.pdf
Data publikacji:
1996-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.50.-h
73.50.Bk
Opis:
We calculate the impurity-scattering limited mobility of the one-dimensional electron gas in a rectangular GaAs quantum wire confined in the vertical (growth) direction by n-modulation doped AlGaAs layers and free standing along the transverse direction. The scattering potential of the ionized impurity is obtained by solving the Poisson equation with z-dependent electrostatic permittivity in order to take into account the image charge effect due to the abrupt permittivity change at the GaAs/air interfaces. We show that the "image impurity" scattering tends to drastically reduce the electron mobility for sufficiently small (≈10 nm) transverse wire widths.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 5; 1103-1107
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Near-Band Edge Spectral Hole in Quantum Well: No Evidence for Subpicosecond Plasma Thermalization
Autorzy:
Mos̆ko, M.
Mos̆ková, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1952682.pdf
Data publikacji:
1996-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.50.-h
73.50.Bk
78.47.+p
Opis:
We show that at low carrier energies and densities the carriers in a two-dimensional Coulomb gas interact via classical unscreened carrier-carrier collisions. This allows us to calculate exactly the thermalization due to the two-dimensional carrier-carrier collisions in a nonthermal low-density (≈10$\text{}^{10}$ cm$\text{}^{-2}$) two-dimensional plasma excited near the band edge of an undoped GaAs quantum well. The thermalization is found to be 10-15 times slower than the 200 fs thermalization deduced from the previous spectral-hole burning measurements, which means that the spectral hole does not reflect the thermalization process. We also show that the Born approximation fails in describing such carrier-carrier collisions.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 5; 1055-1059
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies