- Tytuł:
- Optical Properties of GaN Epilayers grown by Gas Source Molecular Beam Epitaxy on AlN Buffer Layer on (111) Si
- Autorzy:
-
Godlewski, M.
Bergman, J. P.
Monemar, B.
Rossner, U.
Barski, A. - Powiązania:
- https://bibliotekanauki.pl/articles/1950766.pdf
- Data publikacji:
- 1996-10
- Wydawca:
- Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
- Tematy:
-
71.55.Eq
71.35.+z
78.47.+p - Opis:
- Optical properties of GaN/AlN/Si (111) epilayers grown by MBE are studied. The observed decay transients of excitonic emissions and their temperature dependence is explained by an efficient transfer link between bound and free excitons.
- Źródło:
-
Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 4; 789-792
0587-4246
1898-794X - Pojawia się w:
- Acta Physica Polonica A
- Dostawca treści:
- Biblioteka Nauki
Artykuł