Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Misiewicz, E." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Metastability of Band-Gap Energy in GaInNAs Compound Investigated by Photoreflectance
Autorzy:
Kudrawiec, R.
Misiewicz, J.
Pavelescu, E.-M.
Konttinen, J.
Pessa, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2038258.pdf
Data publikacji:
2004-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.22.-f
78.66.-w
78.30.-j
Opis:
The band-gap energy of GaInNAs layers lattice-matched to GaAs substrate and annealed under different temperatures is investigated by photoreflectance spectroscopy. Different nitrogen nearest-neighbor environments of N atom appear in GaInNAs layers due to the post-growth annealing. It leads to an energy-fine structure of the band gap, i.e. well separated photoreflectance resonances related to different nitrogen nearest-neighbor environments (N-Ga$\text{}_{4-m}$In$\text{}_{m}$ (0≤ m≤ 4) short-range-order clusters). The temperature dependence of the band gap E(T) related to different N-Ga$\text{}_{4-m}$In$\text{}_{m}$ clusters is investigated in 10-280 K temperature range, and Varshni and Bose-Einstein parameters for E(T) are determined.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2004, 106, 2; 249-263
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Near IR Refractive Index for GaInN Heavily Doped with Silicon
Autorzy:
Cywiński, G.
Kudrawiec, R.
Rzodkiewicz, W.
Kryśko, M.
Litwin-Staszewska, E.
Misiewicz, J.
Skierbiszewski, C.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1791356.pdf
Data publikacji:
2009-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.72.uj
78.66.Fd
81.15.Hi
68.55.-a
78.20.-e
Opis:
The authors report on growth and results of infrared measurements of GaInN heavily doped with silicon. The lattice matched to GaN epitaxial layer of $Ga_{0.998}In_{0.002}N:Si$ has been grown in plasma assisted molecular beam epitaxy in the metal rich conditions. The room temperature Hall concentration and mobility of electrons are 2× $10^{20} cm^{-3}$ and 67 $cm^{2}$/(Vs), respectively. The refractive index has been determined by variable angle spectroscopic ellipsometry. The refractive index exhibited a significant reduction of its value (from 2.25 to 2 at 1.55 μm) at near IR range where are the main interests of potential applications for nitride based intersubband devices. Reported here values of refractive indices at 1.55 and 1.3 μm are appropriate for fabrication of cladding layers with the required contrast to GaN for intersubband devices. The observed drop of refractive index is attributed to the carrier-induced plasma edge effect, which has been directly observed in reflectance spectrum.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2009, 116, 5; 936-938
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies