Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Andreev, I." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-3 z 3
Tytuł:
Electrical and Optical Characteristics of $n-GaSb//n-GaIn_{0.24}AsSb//p-GaAl_{0.34}AsSb$ Heterostructure Photodiode
Autorzy:
Ahmetoglu, M.
Kucur, B.
Andreev, I.
Kunitsyna, E.
Mikhailova, M.
Yakovlev, Y.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1401231.pdf
Data publikacji:
2015-04
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
72.20.-i
73.40.Kp
72.40.+w
Opis:
In the present paper, electrical and optical properties of $n-GaSb//n-GaIn_{0.24}AsSb//p-GaAl_{0.34}AsSb$ double heterostructure (DH) with a diameter of 0.3 mm are reported. The current-voltage (I-V) characteristics of the structure were investigated at several temperatures in both, dark and under the illumination conditions. The effect of illumination was studied at different intensity values. Short circuit current and open circuit voltage as a function of intensity of incident light in photovoltaic mode are investigated.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2015, 127, 4; 1007-1009
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Electrical Properties of GaInAsSb/GaSb/GaAlAsSb Double Heterostructure with Low Diameter
Autorzy:
Kucur, B.
Ahmetoglu, M.
Andreev, I.
Kunitsyna, E.
Mikhailova, M.
Yakovlev, Y.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1194577.pdf
Data publikacji:
2014-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.40.-c
78.66.-w
85.60.Dw
Opis:
GaInAsSb/GaSb/GaAlAsSb double heterostructures are attractive for optoelectronic devices working in the 1.5-4.8 μm wavelength region. In this paper, the current mechanisms of liquid phase epitaxy grown GaInAsSb based double heterostructures with 100 μm diameter were investigated in the temperature range 77-350 K. It was found that diffusion current dominates at the high temperature (> 240 K) and small forward bias region, while generation-recombination current dominates at intermediate temperatures (242-171 K). At low temperature region (< 171 K), the tunneling mechanism of the current flow dominates in both forward and reverse biases.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2014, 125, 2; 411-413
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Electrical Characteristics and Temperature Dependence of Photovoltaic Parameters of GaInAsSb Based TPV Diode
Autorzy:
Kucur, B.
Ahmetoglu, M.
Andreev, I.
Kunitsyna, E.
Mikhailova, M.
Yakovlev, Y.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1398767.pdf
Data publikacji:
2016-04
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.40.Lq
72.40.+w
85.60.-q
Opis:
In this paper, electrical characterization of low bandgap GaInAsSb based thermophotovoltaic (TPV) diodes were investigated, as well as the temperature dependence of photovoltaic parameters such as short circuit current $(I_{sc})$ and open circuit voltage $(V_{oc})$. Investigation of the dark current mechanisms of the structure was carried out at several temperatures. The effect of light intensity on current-voltage characteristics was also investigated.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2016, 129, 4; 767-769
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-3 z 3

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies