Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Obrębski, M." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
CMOS Readout Circuit Integrated with Ionizing Radiation Detectors
Autorzy:
Szymański, A.
Obrębski, D.
Marczewski, J.
Tomaszewski, D.
Grodner, M.
Pieczyński, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/226502.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
readout electronics
ASIC
SOI
ionizing radiation detectors
Opis:
This paper describes the work performed in ITE on integration in one CMOS chip the ionizing radiation detectors with dedicated readout electronics. At the beginning, some realizations of silicon detectors of ionizing radiation are presented together with most important issues related to these devices. Next, two developed test structures for readout electronics are discussed in detail together with main features of non-typical silicon proces deployed.
Źródło:
International Journal of Electronics and Telecommunications; 2014, 60, 1; 117-124
2300-1933
Pojawia się w:
International Journal of Electronics and Telecommunications
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Development of the NMOS-based THz detectors and the readout systems for THz spectroscopy and imaging
Autorzy:
Kołaciński, C.
Obrębski, D.
Marczewski, J.
Zbieć, M.
Kucharski, K.
Zagrajek, P.
Kopyt, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/397805.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:
NMOS-based terahertz detector
readout system
detektor terahercowy
obwód odczytujący
Opis:
This paper summarizes the work performed within the Polish applied research project THzOnLine aiming at multipixel THz detectors based on selective NMOS transistors and its application in biology, medicine and security systems, completed in 2016. It starts with presentation of techniques applied for increasing the efficiency of THz detectors, i.e. used to maximize the output voltage yielded from NMOS-based detecting devices when exposed to a THz radiation. In the second part of this work the authors focuse on issues related to development of the readout electronics for these devices, as well as present the collection of integrated circuits and two complete measurement systems constructed by them.
Źródło:
International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2017, 8, 3; 101-109
2080-8755
2353-9607
Pojawia się w:
International Journal of Microelectronics and Computer Science
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies