Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Marczewski, J." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-8 z 8
    Tytuł:
    Anomalous Behavior of the Hall Effect in III-V Heterostructures
    Autorzy:
    Dziuba, Z.
    Górska, M.
    Marczewski, J.
    Przesławski, T.
    Regiński, K.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2012953.pdf
    Data publikacji:
    2000-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.72.Lk
    72.80.Ey
    Opis:
    The Hall effect and magnetoresistance were measured in the InAs/GaAs heterostructure at temperatures from 300 K down to 3 K, in a magnetic field range from 0.01 to 1.5 T. The anomalous magnetic field dependence of the Hall coefficient in the InAs/GaAs heterostructure in magnetic fields below 0.1 T was explained as due to an extraordinary Hall effect caused by skew scattering on dislocations.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2000, 97, 2; 331-336
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    A versatile tool for extraction of MOSFETs parameters
    Autorzy:
    Tomaszewski, D.
    Kociubiński, A.
    Marczewski, J.
    Kucharski, K.
    Domański, K.
    Grabiec, P.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/308856.pdf
    Data publikacji:
    2005
    Wydawca:
    Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
    Tematy:
    MOSFETs parameters
    SPICE
    least squares method
    Opis:
    Extraction of MOSFET parameters is a very important task for the purposes of MOS integrated circuits characterization and design. A versatile tool for the MOSFET parameter extraction has been developed in the Institute of Electron Technology (IET). It is used to monitor the technologies applied for fabrication of several groups of devices, e.g., CMOS ASICs, SOI pixel detectors. At present two SPICE MOSFET models (LEVEL = 1, 2) have been implemented in the extraction tool. The LEVEL = 3 model is currently being implemented. The tool combines different methods of parameter extraction based on local as well as global fitting of models to experimental data.
    Źródło:
    Journal of Telecommunications and Information Technology; 2005, 1; 129-134
    1509-4553
    1899-8852
    Pojawia się w:
    Journal of Telecommunications and Information Technology
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    CMOS Readout Circuit Integrated with Ionizing Radiation Detectors
    Autorzy:
    Szymański, A.
    Obrębski, D.
    Marczewski, J.
    Tomaszewski, D.
    Grodner, M.
    Pieczyński, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/226502.pdf
    Data publikacji:
    2014
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    readout electronics
    ASIC
    SOI
    ionizing radiation detectors
    Opis:
    This paper describes the work performed in ITE on integration in one CMOS chip the ionizing radiation detectors with dedicated readout electronics. At the beginning, some realizations of silicon detectors of ionizing radiation are presented together with most important issues related to these devices. Next, two developed test structures for readout electronics are discussed in detail together with main features of non-typical silicon proces deployed.
    Źródło:
    International Journal of Electronics and Telecommunications; 2014, 60, 1; 117-124
    2300-1933
    Pojawia się w:
    International Journal of Electronics and Telecommunications
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    An Influence of Silicon Substrate Parameters on a Responsivity of MOSFET-Based Terahertz Detectors
    Autorzy:
    Kucharski, K.
    Zagrajek, P.
    Tomaszewski, D.
    Panas, A.
    Głuszko, G.
    Marczewski, J.
    Kopyt, P.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1186027.pdf
    Data publikacji:
    2016-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    85.30.Tv
    85.60.Gz
    42.79.Pw
    Opis:
    Silicon n-channel MOS transistors are a promising solution for sub-terahertz radiation detection. Their sensitivity is strongly related to the device construction. A type and thickness of the device substrate are key parameters affecting the responsivity, because the silicon substrate is a medium for the radiation propagation and the radiation energy loss, which degrades the detection efficiency. This work is aimed at analysis of the silicon substrate characteristics effect on operation of the MOSFETs as the terahertz radiation sensors. A manufacturing of the MOSFETs on three different substrate types including changing the substrate thickness is described in the paper. Next, the fabricated devices were exposed to THz radiation and their photoresponses were measured. It may be concluded that MOSFETs on silicon-on-insulator wafers with locally thinned substrates demonstrate the highest photoresponse. However, the experiments with the MOSFETs on high resisivity wafers give also promising results.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2016, 130, 5; 1193-1195
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Development of the NMOS-based THz detectors and the readout systems for THz spectroscopy and imaging
    Autorzy:
    Kołaciński, C.
    Obrębski, D.
    Marczewski, J.
    Zbieć, M.
    Kucharski, K.
    Zagrajek, P.
    Kopyt, P.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/397805.pdf
    Data publikacji:
    2017
    Wydawca:
    Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
    Tematy:
    NMOS-based terahertz detector
    readout system
    detektor terahercowy
    obwód odczytujący
    Opis:
    This paper summarizes the work performed within the Polish applied research project THzOnLine aiming at multipixel THz detectors based on selective NMOS transistors and its application in biology, medicine and security systems, completed in 2016. It starts with presentation of techniques applied for increasing the efficiency of THz detectors, i.e. used to maximize the output voltage yielded from NMOS-based detecting devices when exposed to a THz radiation. In the second part of this work the authors focuse on issues related to development of the readout electronics for these devices, as well as present the collection of integrated circuits and two complete measurement systems constructed by them.
    Źródło:
    International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2017, 8, 3; 101-109
    2080-8755
    2353-9607
    Pojawia się w:
    International Journal of Microelectronics and Computer Science
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Identification of Residual Impurities in Si-Doped MBE Grown GaAs
    Autorzy:
    Kaniewska, M.
    Regiński, K.
    Kaniewski, J.
    Muszalski, J.
    Ornoch, L.
    Adamczewska, J.
    Marczewski, J.
    Bugajski, M.
    Mizera, E.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1933820.pdf
    Data publikacji:
    1995-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    71.55.Eq
    73.40.Νs
    73.20.Hb
    Opis:
    The changes of dopant vaporization enthalpy in GaAs:Si grown by molecular beam epitaxy revealed the presence of residual donors related to group VI elements. This has been confirmed by deep level transient spectroscopy studies of AlGaAs:Si layers grown in the same MBE system. It is argued that a commonly observed deep trap labelled E2 is probably related to Te, Se or S. The measurements have been performed on near-ideal Al Schottky barriers grown in situ by MBE.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 4; 775-778
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Terahertz Photovoltaic Response of Si-MOSFETs: Spin Related Effect
    Autorzy:
    Videlier, H.
    Dyakonova, N.
    Teppe, F.
    Consejo, C.
    Chenaud, B.
    Knap, W.
    Lusakowski, J.
    Tomaszewski, D.
    Marczewski, J.
    Grabiec, P.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1492958.pdf
    Data publikacji:
    2011-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    85.30.Tv
    Opis:
    We report on investigations of photovoltaic response of Si-MOSFETs subjected to terahertz radiation in high magnetic fields. Then a DC drain-to-source voltage is developed that shows singularities in magnetic fields corresponding to paramagnetic resonance conditions. These singularities are investigated as a function of incident frequency, temperature and two-dimensional carrier density. We tentatively attribute these resonances to spin transitions of the electrons bound to Si dopants and discuss the possible physical mechanism of the photovoltaic signal generation.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 5; 927-929
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    TSSOI as an efficient tool for diagnostics of SOI technology in Institute of Electron Technology
    Autorzy:
    Barański, M.
    Domański, K.
    Grabiec, P.
    Grodner, M.
    Jaroszewicz, B.
    Kociubiński, A.
    Kucewicz, W.
    Kucharski, K.
    Marczewski, J.
    Niemiec, H.
    Sapor, M.
    Tomaszewski, D.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/308825.pdf
    Data publikacji:
    2005
    Wydawca:
    Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
    Tematy:
    SOI CMOS technology
    pixel detector
    test structure
    Opis:
    This paper reports a test structure for characterization of a new technology combining a standard CMOS process with pixel detector manufacturing technique. These processes are combined on a single thick-_lm SOI wafer. Preliminary results of the measurements performed on both MOS SOI transistors and dedicated SOI test structures are described in detail.
    Źródło:
    Journal of Telecommunications and Information Technology; 2005, 1; 85-93
    1509-4553
    1899-8852
    Pojawia się w:
    Journal of Telecommunications and Information Technology
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-8 z 8

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies