Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Lu, Yao" wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Energy Band and Absorption Coefficient of Quantum Dots in a Well Structure
Autorzy:
Zhang, P.
Lu, X.
Zhang, C.
Yao, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1419887.pdf
Data publikacji:
2012-07
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.21.La
73.63.Kv
Opis:
Building on the effective-mass envelope function theory, this paper focuses on the study of the energy band and the absorption coefficient of $InAs//In_{x}Ga_{1 - x}As$ quantum dots in a well (DWELL) structure. In contrast to $InAs//In_{0.15}Ga_{0.85}As$ quantum DWELL, the $InAs//In_{0.2}Ga_{0.8}As$ quantum DWELL has lower ground states. With the thickness of $In_{0.15}Ga_{0.85}As$ layer changing from 7 nm to 9 nm and $In_{0.2}Ga_{0.8}As$ layer changing from 9 nm to 12 nm, the calculation shows that their absorption coefficient spectra takes a red shift in the long-wave infrared and far-infrared ranges, respectively. Moreover, when the thickness of the $In_{x}Ga_{1 - x}As$ layer is defined as 9 nm, the absorption coefficient spectra of $InAs//In_{0.2}Ga_{0.8}As$ DWELL shows a obvious red shift comparing with that of $InAs//In_{0.15}Ga_{0.85}As$ DWELL.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2012, 122, 1; 197-201
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Solution Growth of Well-Aligned ZnO Nanorods on Sapphire Substrate
Autorzy:
Jia, G.
Hao, B.
Lu, X.
Wang, X.
Li, Y.
Yao, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1399510.pdf
Data publikacji:
2013-07
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.37.Yz
78.40.Fy
68.55.J-
Opis:
Vertically well-aligned ZnO nanorods arrays were synthesized on sapphire substrates by chemical bath deposition. Those sapphire substrates were seeded to control the density and orientation of ZnO nanorods using sol-gel method. Well-aligned and uniformly distributed ZnO nanorods in a large scale were obtained with strongly (002) preferential orientation. The structural properties were characterized by X-ray diffraction spectrometer and morphological characteristics were analyzed by scanning electron microscopy, respectively. The ZnO nanorods are obvious hexangular wurtzite structure and preferentially oriented along the c-axis (002) and growth vertically to the substrates. The optical properties were further thoroughly studied. What is more, the influences of the strain between substrate and ZnO nanorods due to thickness of the ZnO seed-layer on the characteristics and optical properties of ZnO were also analyzed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2013, 124, 1; 74-77
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies