Autor: Staszewska, J. - Katalog OPAC zbiorów

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Lattice Constant of Doped Semiconductor
Autorzy:: Leszczyński, M.
Litwin-Staszewska, E.
Suski, T.
Bąk-Misiuk, J.
Domagała, J.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1933910.pdf
Data publikacji:: 1995-11
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 61.72.Vv
65.70.+y
Opis:: The paper shows an influence of doping on lattice constant of a semiconductor. Three effects are discussed: (i) "size" effect caused by a different ionic radii of dopant and host atoms, (ii) lattice expansion by free electrons proportionally to the deformation potential of the conduction-band minimum occupied by this charge, (iii) different thermal expansion of the undoped and doped samples. The experiments have been performed by using the high resolution X-ray diffraction at 77-770 K on AlGaAs:Te and GaAs:Si.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 5; 837-840
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: High Resistivity GaN Single Crystalline Substrates
Autorzy:: Porowski, S.
Boćkowski, M.
Łucznik, B.
Grzegory, I.
Wróblewski, M.
Teisseyre, H.
Leszczyński, M.
Litwin-Staszewska, E.
Suski, T.
Trautman, P.
Pakuła, K.
Baranowski, J.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1968415.pdf
Data publikacji:: 1997-11
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 71.55.Eq
72.80.Ey
Opis:: High resistivity 10$\text{}^{4}$-10$\text{}^{6}$ Ω cm (300 K) GaN single crystals were obtained by solution growth under high N$\text{}_{2}$ pressure from melted Ga with 0.1-0.5at.% of Mg. Properties of these crystals are compared with properties of conductive crystals grown by a similar method from pure Ga melt. In particular, it is shown that Mg-doped GaN crystals have better structural quality in terms of FWHM of X-ray rocking curve and low angle boundaries. Temperature dependence of electrical resistivity suggests hopping mechanism of conductivity. It is also shown that strain free GaN homoepitaxial layers can be grown on the Mg-doped GaN substrates.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 5; 958-962
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Blue Laser on High N$\text{}_{2}$ Pressure-Grown Bulk GaN
Autorzy:: Grzegory, I.
Boćkowski, M.
Krukowski, S.
Łucznik, B.
Wróblewski, M.
Weyher, J.
Leszczyński, M.
Prystawko, P.
Czernecki, R.
Lehnert, J.
Nowak, G.
Perlin, P.
Teisseyre, H.
Purgał, W.
Krupczyński, W.
Suski, T.
Dmowski, L.
Litwin-Staszewska, E.
Skierbiszewski, C.
Łepkowski, S.
Porowski, S.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/2030423.pdf
Data publikacji:: 2001-12
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Opis:: In this note we report briefly on the details of pulsed-current operated "blue" laser diode, constructed in our laboratories, which utilizes bulk GaN substrate. As described in Ref. [1] the substrate GaN crystal was grown by HNPSG method, and the laser structure was deposited on the conducting substrate by MOCVD techniques (for the details see Sec. 2 and Sec. 4 of Ref.~[1], respectively).
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2001, 100, Supplement; 229-232
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Informacja