Autor: Ciszewski, A - Katalog OPAC zbiorów

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: PTCDI-C8 Adsorption on Si(100)
Autorzy:: Lament, K.
Mazur, P.
Zuber, S.
Ciszewski, A.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1399078.pdf
Data publikacji:: 2013-11
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 81.07.Pr
79.60.-i
68.37.Ef
Opis:: Adsorption of N, N'-dioctyl-3,4,9,10-perylenedicarboximide (PTCDI-C8) on the Si(100) surface has been examined using X-ray photoelectron spectroscopy and scanning tunneling microscopy. X-ray photoelectron spectroscopy results show that the bonds are formed between the carbonyl groups of the molecules and the substrate. Scanning tunneling microscopy results show that the first and further layers are disordered.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2013, 124, 5; 775-776
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Electronic Properties of Structures Containing Films of Alq₃ and LiBr Deposited on Si(111) Crystal
Autorzy:: Sito, J.
Grodzicki, M.
Lament, K.
Wasielewski, R.
Mazur, P.
Ciszewski, A.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1033793.pdf
Data publikacji:: 2017-08
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 81.07.Pr
73.40.Ty
79.60.-i
Opis:: The electronic structures of Alq₃/Si(111) and Alq₃/LiBr/Si(111) interfaces are presented in this report. The studies were carried out in situ in ultrahigh vacuum by ultraviolet photoelectron spectroscopy. Alq₃ and LiBr layers were vapour deposited onto a single crystal of n-type Si(111). The energy level diagrams were prepared for the structures. The formation of the LiBr interfacial layer results in a decrease of the energy barrier at the interface.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2017, 132, 2; 357-360
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Ru/GaN(0001) Interface Properties
Autorzy:: Wasielewski, R.
Grodzicki, M.
Sito, J.
Lament, K.
Mazur, P.
Ciszewski, A.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1033790.pdf
Data publikacji:: 2017-08
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 68.47.Fg
73.30.+y
82.80.Pv
Opis:: We report the results of our studies of ruthenium layer structures adsorbed on GaN(0001). Ruthenium was evaporated at room temperature under ultrahigh vacuum conditions onto n-type GaN substrates epitaxially grown on sapphire. While X-ray photoelectron spectroscopy confirmed the presence of Ru bonds in the deposited adlayers, the ultraviolet photoelectron spectroscopy show a peak at the Fermi level as well as lines originating from ruthenium. The height of the Schottky barrier was calculated based on the data measured by X-ray photoelectron spectroscopy and ultraviolet photoelectron spectroscopy and amounts to 1.5 eV.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2017, 132, 2; 354-357
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Informacja