Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Svane, A." wg kryterium: Wszystkie pola


Wyświetlanie 1-1 z 1
Tytuł:
Electronic Band Structure of In$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$N under Pressure
Autorzy:
Gorczyca, I.
Christensen, N. E.
Svane, A.
Laaksonen, K.
Nieminen, R. M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2047377.pdf
Data publikacji:
2007-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.15.Mb
71.55.Eq
71.20.-b
Opis:
The electronic band structures of zinc-blende In$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$N alloys with x varying from 0.03 to 0.5 are examined within the density functional theory. The calculations, including structural optimizations, are performed by means of the full-potential linear muffin-tin-orbital and pseudopotential methods. The effects of varying the composition, x, and of applying external pressure are studied. A composition-dependent band gap bowing parameter in the range of 1.6-2 eV is obtained. A strong nonlinearity in the composition dependence of the pressure coefficient of the band gap is found.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2007, 112, 2; 203-208
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-1 z 1

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies