Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Bashmakov, I." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
AC-Conductivity of Thin Polycrystalline Tin Dioxide Films
Autorzy:
Ksenevich, V.
Gorbachuk, N.
Dauzhenka, T.
Bashmakov, I.
Poklonski, N.
Wieck, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1505486.pdf
Data publikacji:
2011-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.61.Le
Opis:
The electrical properties of polycrystalline tin dioxide films were investigated by impedance spectroscopy in the frequency range 100 Hz-1 MHz at temperatures 4.2 K, 77 K and 300 K. Analysis of the experimental data by means of complex nonlinear least squares method made it possible to divide the contributions of grain bulk and grain boundaries to the conductivity. It was found that at room temperature charge transport processes are mainly determined by the grain volume while at the low temperatures contribution from the grain boundaries to the impedance of the system prevails.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 2; 146-147
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Electrical Properties and Magnetoresistance of Nanogranular $SnO_2$ Films
Autorzy:
Ksenevich, V.
Dovzhenko, T.
Dorosinets, V.
Bashmakov, I.
Melnikov, A.
Wieck, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1813403.pdf
Data publikacji:
2008-03
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.43.Qt
73.50.Fq
Opis:
Magnetotransport properties of the nanogranular $SnO_2$ films were invesigated. Non-linear current-voltage (I-V) characteristics were observed at low temperatures. The temperature dependence of the resistance and non-ohmic I-V curves can be well approximated by fluctuation-induced tunnelling model, indicating importance of the contacts barriers between $SnO_2$ grains. Magnetoresistance was measured within temperature range 2-15.3 K and could be consistent with the variable-range hopping conduction mechanism due to existence of localized states on the surface of $SnO_2$ grains.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2008, 113, 3; 1043-1046
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies