- Tytuł:
- The temperature dependence of subthreshold characteristics of Si and SiC power MOSFETs
- Autorzy:
-
Kraśniewski, J.
Janke, W. - Powiązania:
- https://bibliotekanauki.pl/articles/118323.pdf
- Data publikacji:
- 2016
- Wydawca:
- Politechnika Koszalińska. Wydawnictwo Uczelniane
- Tematy:
-
MOSFET
power transistor
subthreshold
temperature dependence
tranzystor mocy
obszar podprogowy
zależność od temperatury - Opis:
-
In the paper, subthreshold characteristics of Si and SiC MOSFET power transistors in a wide range of current and temperature are considered. Representative examples of measured iD-vGS dependencies for temperatures from 20°C up to over 140°C are presented and discussed. Substantial differences of the shapes obtained for Si and SiC devices are observed. The subthreshold slope and subthreshold swing coefficient are extracted from measured curves for two types of devices and compared.
W niniejszym artykule porównano charakterystyki w obszarze podprogowym tranzystorów mocy MOSFET z krzemu i węglika krzemu w szerokim zakresie prądu i temperatury. Dla reprezentatywnej partii tranzystorów przedstawiono i omówiono pomiary zależności iD-vGS w szerokim zakresie temperatur od 20°C do ponad 140°C. Dodatkowo zaprezentowano różnice w wartości nachylenia oraz wahania współczynnika w obszarze podprogowym od temperatury otoczenia dla badanych tranzystorów z Si i SiC. - Źródło:
-
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej; 2016, 9; 51-58
1897-7421 - Pojawia się w:
- Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej
- Dostawca treści:
- Biblioteka Nauki
Artykuł