Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "reflectivity" wg kryterium: Wszystkie pola


Wyświetlanie 1-4 z 4
Tytuł:
Reflectivity Study of HgSe$\text{}_{1-x}$Te$\text{}_{x}$ Crystals
Autorzy:
Kowalski, B. J.
Dybko, K.
Lemańska, A.
Orłowski, B. A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1923860.pdf
Data publikacji:
1992-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.20.Ci
Opis:
The room temperature reflectivity spectra of HgSe$\text{}_{1-x}$Te$\text{}_{x}$ (x = 0, 0.4, 0.5, 1.0) crystals were measured in the visible and ultraviolet range from 1.5 to 12 eV. The maxima characteristic of the binary HgA$\text{}^{IV}$ compounds can be revealed in the mixed crystals spectra, but their position depends on the crystal composition. There is no duplication of the spectral features in spite of the different energy position of the maxima for HgSe and HgTe. This suggests that the virtual crystal approximation could be used to describe basic optical properties of HgSe$\text{}_{1-x}$Te$\text{}_{x}$.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 5; 845-848
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Reflectivity Study of Hg$\text{}_{1-x}$Co$\text{}_{x}$Se Crystals
Autorzy:
Guziewicz, E.
Kowalski, B. J.
Orłowski, B. A.
Szuszkiewicz, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1931782.pdf
Data publikacji:
1994-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.20.Fi
Opis:
The reflectivity spectra of Hg$\text{}_{1-x}$Co$\text{}_{x}$Se (x = 0.0, 0.024, 0.031) crystals were measured in the vacuum ultraviolet photon energy range from 4 to 12 eV to find the influence of Co ions on the valence band electronic structure of the HgSe crystal. The structure of the reflectivity spectra was interpreted in terms of the electronic band structure of the binary material (HgSe) assuming direct allowed interband transitions.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1994, 86, 5; 875-878
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Reflectivity Study of the Zn$\text{}_{1-x}$Co$\text{}_{x}$Se Crystals
Autorzy:
Kowalski, B. J.
Gołacki, Z.
Orłowski, B. A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1890987.pdf
Data publikacji:
1991-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.20.Ci
Opis:
The room temperature reflectivity spectra of the Zn$\text{}_{1-x}$Co$\text{}_{x}$Se (x = 0, 0.03, 0.05) crystals have been measured in the visible and ultraviolet range from 1.7 to 12 eV. The structure of the spectra was interpreted in terms of the electronic band structure of the binary material (ŻnSe). The experimental results were compared with the reflectivity spectra of the Fe-based semi magnetic semiconductors [1], and the interpretation was confronted with the conclusions derived from the photoemission experiments performed for Cd$\text{}_{1-x}$Co$\text{}_{x}$Se [2] and the tight-binding CPA calculations of the band structure of Zn$\text{}_{1-x}$Co$\text{}_{x}$Se [3].
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1991, 80, 3; 393-396
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
X-Ray Photoelectron Spectroscopy and Optical Reflectivity Studies of Si Surfaces Prepared by Chemical Etching
Autorzy:
Iwanowski, R. J.
Sobczak, J. W.
Kowalski, B. J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1931749.pdf
Data publikacji:
1994-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
79.60.Bm
78.40.Fy
Opis:
Complementary X-ray photoelectron spectroscopy and optical reflectivity studies of crystalline Si(111) surfaces prepared by two different wet chemical etching processes were performed. These included aqueous HF solution etch or diluted CP-4 bath. Optical reflectivity spectra of Si surfaces, measured in the range 3.7-11 eV, were found strongly dependent on the applied etching process. Analysis of the core level X-ray photoelectron spectroscopy data has shown similarity of the surface structure, irrespectively of the etching procedure. Finally, comparison of optical reflectivity and valence band X-ray photoelectron spectra revealed a qualitative correlation between them indicating dominant influence of the bulk (here, the subsurface region containing polishing-induced defects) in the case studied. This paper is the first one which presents correlations between optical reflectivity and X-ray photoelectron spectroscopy data for Si and thus illustrates a bulk sensitivity of both techniques considered.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1994, 86, 5; 825-830
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-4 z 4

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies