Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "81.10.Bk" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-3 z 3
Tytuł:
PVT-Grown Single Crystals of Cd$\text{}_{1-x}$Zn$\text{}_{x}$Te (x ≤ 0.25) and ZnTe as Substrates for Epitaxy
Autorzy:
Mycielski, A.
Szadkowski, A.
Łusakowska, E.
Kowalczyk, L.
Domagała, J.
Bąk-Misiuk, J.
Wilamowski, Z.
Witkowska, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1991957.pdf
Data publikacji:
1998-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.05.Dz
81.10.Bk
Opis:
The process of growth of single crystals of Cd$\text{}_{1-x}$Zn$\text{}_{x}$Te (x ≤ 0.25) and ZnTe by physical vapour transport has been optimized and the twin-free single crystals with a very good crystal structure and low density of dislocations are grown as substrates for MBE and other techniques of epitaxy. Characterization of the crystals is described.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 3; 441-445
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Stimulated Emission in Zn(Se,S) Single Crystals
Autorzy:
Kowalczyk, L.
Mycielski, A.
Szadkowski, A.
Testelin, C.
Rigaux, C.
Menant, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1968254.pdf
Data publikacji:
1997-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.45.+h
81.10.Bk
78.55.Et
Opis:
Two different types of optically pumped stimulated emission were observed at 1.8 K in the high quality Zn(Se,S) crystals grown by low temperature physical vapour transport. One type, occurring at moderate excitation levels, is ascribed to the recombination of excitons localized because of chemical disorder in the two-anion mixed crystal. The other type, occurring at high excitation levels, is related to the inelastic exciton-exciton scattering.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 5; 871-874
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Experimental and Theoretical Analysis οf PbTe-CdTe Solid Solution Grown by Physical Vapour Transport Method
Autorzy:
Szot, M.
Szczerbakow, A.
Dybko, K.
Kowalczyk, L.
Smajek, E.
Domukhovski, V.
Łusakowska, E.
Dziawa, P.
Mycielski, A.
Story, T.
Bukała, M.
Galicka, M.
Sankowski, P.
Buczko, R.
Kacman, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1791366.pdf
Data publikacji:
2009-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.10.Bk
61.50.Ah
71.20.Nr
78.60.Lc
72.20.Fr
Opis:
Bulk monocrystals of $Pb_{1-x}Cd_{x}Te$, with the Cd content x up to 0.11, were grown by physical vapour transport method. The structural, electrical and optical properties of these ternary crystals were studied experimentally and theoretically. All investigated samples exhibit rock-salt structure and high crystal quality, which was confirmed by X-ray rocking curve width parameter of about 100 arcsec. The decrease of the lattice parameter with increasing Cd content x was found experimentally, in agreement with ab initio calculations. The band structures of $Pb_{1-x}Cd_{x}Te$ mixed crystals for x values up to 0.2 were calculated using tight binding approach. The calculated band gap in the L-point increases with the Cd content in qualitative agreement with photoluminescence measurements in the infrared. For all studied $Pb_{1-x}Cd_{x}Te$ samples, the Hall effect and electrical conductivity measurements, performed in the temperature range from 4 to 300 K, revealed p-type conductivity.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2009, 116, 5; 959-961
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-3 z 3

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies