Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Bocheńska, K." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-1 z 1
Tytuł:
Implanted manganese redistribution in Si after He+ irradiation and hydrogen pulse plasma treatment
Autorzy:
Werner, Z.
Pochrybniak, C.
Barlak, M.
Piekoszewski, J.
Korman, A.
Heller, R.
Szymczyk, W.
Bocheńska, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/147018.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Instytut Chemii i Techniki Jądrowej
Tematy:
dilute magnetic semiconductors (DMS)
Mn-implanted Si
ion beam induced epitaxial crystallization
Opis:
Si-Mn alloy with a Mn content of a few percent is potentially a candidate for room temperature (RT) dilute magnetic semiconductor (DMS). However, the present methods of material manufacture suffer from problems with poor Mn solubility and thermodynamical limitations. We study a non-equilibrium method in which silicon is first implanted with 160 keV manganese ions to a dose of 1 × 1016 ions/cm2 and next either irradiated with 1.5 MeV 4He+ ions from the Warsaw Van de Graaff accelerator at 400°C or treated with high-energy hydrogen plasma pulses. Conclusion from Rutherford backscattering spectrometry (RBS) examination of the samples is that both approaches lead to recovery of crystalline surface layer with manganese occupying off-substitutional sites. The potential development of the method is discussed.
Źródło:
Nukleonika; 2011, 56, 1; 5-8
0029-5922
1508-5791
Pojawia się w:
Nukleonika
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-1 z 1

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies