Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Zagrajek, P." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
An Influence of Silicon Substrate Parameters on a Responsivity of MOSFET-Based Terahertz Detectors
Autorzy:
Kucharski, K.
Zagrajek, P.
Tomaszewski, D.
Panas, A.
Głuszko, G.
Marczewski, J.
Kopyt, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1186027.pdf
Data publikacji:
2016-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
85.30.Tv
85.60.Gz
42.79.Pw
Opis:
Silicon n-channel MOS transistors are a promising solution for sub-terahertz radiation detection. Their sensitivity is strongly related to the device construction. A type and thickness of the device substrate are key parameters affecting the responsivity, because the silicon substrate is a medium for the radiation propagation and the radiation energy loss, which degrades the detection efficiency. This work is aimed at analysis of the silicon substrate characteristics effect on operation of the MOSFETs as the terahertz radiation sensors. A manufacturing of the MOSFETs on three different substrate types including changing the substrate thickness is described in the paper. Next, the fabricated devices were exposed to THz radiation and their photoresponses were measured. It may be concluded that MOSFETs on silicon-on-insulator wafers with locally thinned substrates demonstrate the highest photoresponse. However, the experiments with the MOSFETs on high resisivity wafers give also promising results.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2016, 130, 5; 1193-1195
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Development of the NMOS-based THz detectors and the readout systems for THz spectroscopy and imaging
Autorzy:
Kołaciński, C.
Obrębski, D.
Marczewski, J.
Zbieć, M.
Kucharski, K.
Zagrajek, P.
Kopyt, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/397805.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:
NMOS-based terahertz detector
readout system
detektor terahercowy
obwód odczytujący
Opis:
This paper summarizes the work performed within the Polish applied research project THzOnLine aiming at multipixel THz detectors based on selective NMOS transistors and its application in biology, medicine and security systems, completed in 2016. It starts with presentation of techniques applied for increasing the efficiency of THz detectors, i.e. used to maximize the output voltage yielded from NMOS-based detecting devices when exposed to a THz radiation. In the second part of this work the authors focuse on issues related to development of the readout electronics for these devices, as well as present the collection of integrated circuits and two complete measurement systems constructed by them.
Źródło:
International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2017, 8, 3; 101-109
2080-8755
2353-9607
Pojawia się w:
International Journal of Microelectronics and Computer Science
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies