Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Kisiel, R" wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-9 z 9
    Tytuł:
    Theoretical Study of Optical and XANES Spectra for CdTe within the k-dependent Matrix Element Approach
    Autorzy:
    Markowski, R.
    Oleszkiewicz, J.
    Kisiel, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1923768.pdf
    Data publikacji:
    1992-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.70.Dm
    78.20.Bh
    71.25.Tn
    Opis:
    The reflectivity and X-ray absorption near-edge structure spectra for CdTe were calculated with the inclusion of the transition matrix elements from band structure obtained within self-consistent, relativistic linear muffin tin orbital method. The results were compared with experimental data for the case of CdTe and with our previous calculations.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 5; 785-788
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    The Influence of the Dipol Transition Matrix Element on the XANES and Optical Spectra for CdTe
    Autorzy:
    Markowski, R.
    Oleszkiewicz, J.
    Kisiel, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1890915.pdf
    Data publikacji:
    1991-09
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.70.Dm
    78.20.Bh
    71.25.Tn
    Opis:
    The reflectivity and X-ray absorption near-edge spectra (XANES) for CdTe have been calculated with inclusion of the transition matrix element from band structure obtained from self-consistent linear muffin-tin-orbital (LMTO) method. The result has been compared with experimental data for the case of CdTe.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1991, 80, 3; 369-372
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    X-Ray Absorption Near Edge Spectra for CdTe - Theoretical Study
    Autorzy:
    Oleszkiewicz, J.
    Markowski, R.
    Kisiel, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1920906.pdf
    Data publikacji:
    1992-08
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.70.Dm
    78.20.Bh
    78.20.Dj
    Opis:
    The theoretical band structure of the CdTe was calculated using conventional, ab initio, self-consistent, relativistic LMTO method. The projected density of states and the dielectric function were produced within the local density approximation. Spin-orbit coupling was included in the perturbation approach. X-ray absorption spectra for the Cd L$\text{}_{1,3}$- and Te L$\text{}_{1,3}$-edges were calculated and the results compared with experimental data. The teoretical results were obtained from the calculations with inclusion of k-dependent transition matrix elements, spin-orbit coupling, extended set of basis functions and finite lifetime of initial and final states. They were compared with other calculations which use common constant matrix element approximation. The work presents final conclusion concerning validity of using constant matrix element approximation within one-electron scheme.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 2; 323-328
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Wpływ narażeń środowiskowych na napięcie Volty przetwornika E-U
    The influence of environmental hazards on Volta Voltage of E-U transducer
    Autorzy:
    Pelesz, A.
    Kisiel, A.
    Kacprzyk, R.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/158970.pdf
    Data publikacji:
    2012
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
    Tematy:
    pole elektryczne
    napięcie kontaktowe
    electric field meter
    contact voltage
    Opis:
    Jednym z czynników ograniczających czułość i stabilność mierników pól elektrycznych, takich jak młynek polowy, są szumy w układzie przetwarzania wynikające z niestabilnego kontaktu występującego pomiędzy obracającą się przesłoną a masą przyrządu. Źródłem zakłóceń mogą być również zmiany napięcia kontaktowego powstającego układzie przetwarzania na styku elementów metalowych – elektrod pomiarowych i obracającej się przesłony. W przypadku mierników pola narażonych na wpływ czynników zewnętrznych napięcie kontaktowe może ulegać zmianom na skutek osadzania się warstwy zabrudzeń, tworzących warstwy pośrednie na powierzchniach przesłony oraz elektrody indukcyjnej miernika. Celem pracy było zbadanie wpływu czynników środowiskowych na zmianę napięcia kontaktowego elementów układu przetwarzania wykonanych z różnych metali. Otrzymane wyniki pomiarów wskazują, że dla wszystkich badanych materiałów (miedź, nikiel, cynk) przebieg zależności napięcia kontaktowego U (napięcia Volty) w funkcji czasu ma podobny charakter. Dla t < 5000 - 10000 min napięcie Volty zmienia się w przybliżeniu zgodnie z równaniem: [WZÓR] gdzie stała C ≅ 130 ± 10 mV/dek nie zależy od rodzaju metalu, ale jest związana z właściwościami środowiska, w którym zainstalowano przetwornik.
    One of the factors limiting the sensitivity and stability of electric field meters, such as Mill Field, are noises in the processing system resulting from the unstable contact between the rotating shutter and the mass of the instrument. The interferences can also result from change of the contact voltage in processing unit, formed at the interface between metal elements – measuring electrodes and a rotating shutter. In the case of field meters exposed to the influence of external factors contact voltage may vary due to deposition of the dirt layers, which form the intermediate layers on the surface of the shutter and the induction electrode of the meter. The aim of this study was to investigate the influence of environmental factors on the change of contact voltage of processing system components made of different metals. The results obtained show that for all the tested materials (copper, nickel, zinc) dependences of contact voltage U (Volta voltage) as a function of time are similar. For t < 5000 - 10 000 min Volta voltage varied approximately according to the equation: [FORMULA] where the constant C = 130 ± 10 mV / dec does not depend on the type of metal, but is related to the environment conditions. The change of U was strongly affected by dirt, so the values of contact voltage were highly unstable during the measurement (pollution by the air flow and rain caused a strong decline in the value of U). Knowing U(t) relationship it is possible to compensate the influence of the contact voltage on the measurements by the electric field meter properly.
    Źródło:
    Prace Instytutu Elektrotechniki; 2012, 259; 85-86
    0032-6216
    Pojawia się w:
    Prace Instytutu Elektrotechniki
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Struktura i fotowoltaiczne właściwości warstw Zn-In-O
    Structure and photovoltaic properties of Zn-In-O films
    Autorzy:
    Kisiel, A.
    Ziaja, J.
    Chowaniec, R.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/159190.pdf
    Data publikacji:
    2012
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
    Tematy:
    rozpylanie magnetronowe
    fotowoltaika
    fotoprąd
    magnetron sputtering
    photovoltaics
    photocurrent
    Opis:
    Celem pracy było wytworzenie i zbadanie fotowoltaicznych właściwości cienkich warstw tlenku cynku z indem. Do otrzymania warstw Zn-In-O zastosowano technikę rozpylania magnetronowego w atmosferze gazu reaktywnego, którym był tlen. Spośród wielu parametrów tego procesu, które mogą wpływać na właściwości warstw, zmieniana była tylko częstotliwość grupowa danej serii próbek (od 0,52 do 4,03 kHz). Pozostałe parametry były stałe (p = 1.0·10-2 Tr, P = 200 W, t = 25 min). Właściwości fotowoltaiczne uzyskanych warstw określano przez pomiary wartości natężenia prądu w zależności od długości fali i wyznaczenie charakterystyk prądowo-napięciowych bez oświetlenia oraz przy naświetleniu światłem o wybranych długościach fal. Otrzymane wyniki wskazują, że wartość fotoprądu ulegała zmianie w zależności od długości fali świetlnej. Wielkość tych zmian zależała od wartości częstotliwości zastosowanej podczas nanoszenia warstw ZnInO. Największe wartości fotoprądu (do kilkuset mikroamperów) uzyskano w przypadku próbek otrzymanych przy najwyższej z zastosowanych częstotliwości – około 4 kHz. Przeprowadzone badania pokazują, że uzyskane warstwy ZnInO wykazują właściwości fotowoltaiczne. Zmiana jednego z parametrów formowania – częstotliwości grupowej impulsów, wpływa na wartość zmierzonych fotoprądów. W przyszłości istotne byłoby również zbadanie wpływu innych czynników na właściwości fotowoltaiczne warstw ZnInO.
    The aim of the study was to manufacture and investigation of photovoltaic properties of Zn-In-O thin films. The samples were obtained by magnetron sputtering method at the atmosphere of reactive gas (oxygen). There are many parameters, which can influence properties of manufactured films. During experiment only group frequency of the impulses was changed, in the range from 0.52 to 4.03 kHz. Other factors of magnetron sputtering process, such as power, time of deposition, temperature and vacuum level were constant (p = 1.0·10-2 Tr, P = 200 W, t = 25 min). Photovoltaic properties of formed ZnInO films were tested by measurement of photocurrent intensity as a function of wavelength and determination of current-voltage characteristics without illumination and for selected wavelength. The results obtained indicate that photocurrent value varied with wavelength change. These changes depended on the impulses group frequency value applied during formation of layers. The thin ZnInO films manufactured at the frequency 4 kHz showed the highest photocurrent values (about hundreds of miliampers) in the whole measured spectral range. The carried out experiments demonstrate that oxide zinc with indium thin films obtained during sputtering process show photovoltaic properties. Impulses frequency group significantly affected the photovoltaic activity of the samples. In the future work influence of other technological parameters of magnetron sputtering process on the ZnInO films photocurrent value will be investigate.
    Źródło:
    Prace Instytutu Elektrotechniki; 2012, 259; 69-70
    0032-6216
    Pojawia się w:
    Prace Instytutu Elektrotechniki
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    X-Ray Absorption Near Edge Structure Analysis of HgMnSe, HgFeSe and HgTeSe
    Autorzy:
    Burattini, E.
    Kisiel, A.
    Markowski, R.
    Dalba, G.
    Giriat, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1924330.pdf
    Data publikacji:
    1993-01
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.70.Dm
    Opis:
    Experimental studies of the Se K X-ray absorption edges have been carried out in HgTe$\text{}_{0.5}$Se$\text{}_{0.5}$, Hg$\text{}_{0.8}$Mn$\text{}_{0.2}$Se and Hg$\text{}_{0.9}$Fe$\text{}_{0.1}$Se. A comparison is made for Hg$\text{}_{0.5}$Mn$\text{}_{0.5}$Se and Hg$\text{}_{0.5}$Fe$\text{}_{0.5}$Se theoretical results obtained by the self-consistent, semi-relativistic LMTO method within the LD approximation. Small differences of Se K edge XANES have been shown for HgTeSe and HgSe in contrary to evident differences for HgMnSe and HgFeSe. This behaviour of the absorption Se K edges is related to significant, hybridized contribution of the 3d and 4s Mn or Fe unoccupied states. The maximal contributions of the hybridized bands of the hypothetic zinc-blende MnSe or FeSe were estimated using the virtual crystal model. These maximal contributions are situated at about 6 eV and 17 eV in zinc-blende MnSe and at -0.8 eV and 5.5 eV in zinc-blende FeSe. For HgFeSe apart from the evidence of the strongly localized resonant donor (empty for low Fe concentrations) the complementary hybridized contribution of Fe 3d empty states also situated around the conduction band minimum should be taken into consideration.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1993, 83, 1; 107-114
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    The XANES K-Edge Spectra for HgMnSe and HgFeSe
    Autorzy:
    Kisiel, A.
    Oleszkiewicz, J.
    Goniakowski, J.
    Markowski, R.
    Burattini, E.
    Dalba, G.
    Rocca, F.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1890922.pdf
    Data publikacji:
    1991-09
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.70.Dm
    Opis:
    X-ray absorption near-edge structure for Hg$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Se and Hg$\text{}_{1-x}$Fe$\text{}_{x}$Se was studied with the use of synchrotron radiation. The self-consistent, semirelativistic LMTO method within the LD approximation was used to calculate electronic band structure and K-edge spectra of these semimagnetic semiconductors. The theoretical results for X-ray absorption spectra were compared with experimental data.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1991, 80, 3; 373-376
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Electronic Structure of Zinc-Blende Zn$\text{}_{0.5}$Co$\text{}_{0.5}$Se: Theoretical Study
    Autorzy:
    Hołda, A.
    Markowski, R.
    Dębowska, D.
    Kisiel, A.
    Zimnal-Starnawska, M.
    Piacentini, M.
    Zema, N.
    Lama, F.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1950806.pdf
    Data publikacji:
    1996-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    71.20.-b
    71.20.Cf
    71.70.-d
    Opis:
    In this paper we present partial densities of states for spin-polarized antiferromagnetic phase of Zn$\text{}_{0.5}$Co$\text{}_{0.5}$Se as well as schematic layouts of the bands, obtained using the ab initio self-consistent semi-relativistic linear muffin tin orbital method. We also present, from theoretical point of view, the analysis of influence of the transition metal cobalt on the electronic structure of a pure ZnSe.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 4; 817-820
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Electronic Structure of Zinc-Blende Zn$\text{}_{0.5}$V$\text{}_{0.5}$Se: Theoretical Study
    Autorzy:
    Markowski, R.
    Hołda, A.
    Dębowska, D.
    Kisiel, A.
    Zimnal-Starnawska, M.
    Piacentini, M.
    Zema, N.
    Lama, F.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1934068.pdf
    Data publikacji:
    1995-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    71.20.-b
    71.70.-d
    71.20.Cf
    Opis:
    In this paper we present a comprehensive study of electronic structure of Zn$\text{}_{0.5}$V$\text{}_{0.5}$Se from the theoretical point of view. Partial and total density of states for spin-polarized antiferromagnetic phase of Zn$\text{}_{0.5}$V$\text{}_{0.5}$Se as well as schematic layouts of the bands have been obtained using the ab initio self-consistent semirelativistic linear muffin-tin orbital method.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 5; 1023-1027
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-9 z 9

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies