- Tytuł:
-
Advanced memristor model with a modified Biolek window and a voltage-dependent variable exponent
Zaawansowany model memrystora ze modyfikowanym oknem Biolek oraz eksponentą zależną od napięcia - Autorzy:
-
Mladenov, V.
Kirilov, S. - Powiązania:
- https://bibliotekanauki.pl/articles/408364.pdf
- Data publikacji:
- 2018
- Wydawca:
- Politechnika Lubelska. Wydawnictwo Politechniki Lubelskiej
- Tematy:
-
memristor
nonlinear ionic dopant drift
modified Biolek window function
voltage-dependent exponent
memrystor
nieliniowy dryft domieszki jonowej
zmodyfikowana funkcja okna Biolek
wykładnik zależny od napięcia - Opis:
-
The main idea of the present research is to propose a new nonlinear ionic drift memristor model suitable for computer simulations of memristor
elements for different voltages. For this purpose, a modified Biolek window function with a voltage-dependent exponent is applied. The proposed modified
memristor model is based on Biolek model and due to this and to the use of a voltage-dependent positive integer exponent in the modified Biolek window
function it has a new improved property - changing the model nonlinearity extent dependent on the integer exponent in accordance with the memristor
voltage. Several computer simulations were made for soft-switching and hard-switching modes and also for pseudo-sinusoidal alternating voltage with an
exponentially increasing amplitude and the respective basic important time diagrams, state-flux and i-v relationships are established.
Główną ideą niniejszej pracy jest zaproponowanie nowego modelu nieliniowego dryfu jonowego, odpowiedniego do komputerowych symulacji elementów memrystorowych dla różnych napięć. W tym celu stosowana jest zmodyfikowana funkcja okna Biolek z wykładnikiem zależnym od napięcia. Zaproponowany zmodyfikowany model memrystora oparty jest na modelu Biolek i dzięki temu oraz zastosowaniu zależnego od napięcia dodatniego współczynnika całkowitego w zmodyfikowanej funkcji okna Biolek ma on nową ulepszoną właściwość - zmieniając nieliniową zależność modelu od wykładnika całkowitego zgodnie z napięciem memrystora. Przeprowadzono kilka symulacji komputerowych dla trybów przełączania miękkiego i twardego, a także dla pseudo-sinusoidalnego napięcia przemiennego z wykładniczo rosnącą amplitudą i ustalono odpowiednie podstawowe wykresy czasowe, i zależności stan-strumień oraz prądowo-napięciowe. - Źródło:
-
Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska; 2018, 8, 2; 15-20
2083-0157
2391-6761 - Pojawia się w:
- Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska
- Dostawca treści:
- Biblioteka Nauki
Artykuł