Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "ZMR" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-1 z 1
Tytuł:
High-temperature instability processes in SOI structures and MOSFETs
Autorzy:
Nazarov, A.N.
Kilchytska, V.I.
Vovk, Ja.N.
Colinge, J.P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/307654.pdf
Data publikacji:
2001
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
SOI
MOSFET
high-temperature
instability
ZMR
SIMOX
Opis:
The paper reviews the problems related to BOX high-temperature instability in SOI structures and MOSFETs. The methods of bias-temperature research applied to SOI structures and SOI MOSFETs are analysed and the results of combined electrical studies of ZMR, and SIMOX SOI structures are presented. The studies are focused mainly on electrical discharging processes in the BOX at high temperature and its link with new instability phenomena such as high-temperature kink effects in SOI MOSFETs.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2001, 1; 18-26
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-1 z 1

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies