Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Kaszyńska, M." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-4 z 4
    Tytuł:
    Electric Conductivity of Carbon Nanoparticles Stimulated by Electric Field
    Autorzy:
    Markowski, D.
    Kempiński, W.
    Kempiński, M.
    Trybuła, Z.
    Kaszyńska, K.
    Śliwińska-Bartkowiak, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1535906.pdf
    Data publikacji:
    2010-09
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.22.Pr
    73.21.La
    73.23.Hk
    73.25.+i
    73.63.-b
    73.23.-b
    Opis:
    Host-guest interactions can be the unique method of spin manipulation in nanoscale. Strong changes in spin localization are generated when potential barriers between nanographitic units of activated carbon fibers are modified by interaction with adsorbed molecules. Stronger modifications occur when dipolar guest molecules are stimulated with external electric field. We report experimental results which show the influence of electric field on the spin localization in activated carbon fibers.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2010, 118, 3; 457-458
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    The Local Order in KTaO$\text{}_{3}$ Admixtured by the Ions of Li$\text{}^{+}$
    Autorzy:
    Kaszyńska, K.
    Trybuła, Z.
    Glinchuk, M. D.
    Bykov, I. P.
    Laguta, V. V.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2043642.pdf
    Data publikacji:
    2005-08
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    64.70.-p
    36.40.Ei
    77.22.Gm
    74.72.-h
    74.76.Bz
    Opis:
    The low temperature behavior of the KTaO$\text{}_{3}$ type incipient ferroelectric crystals is of constant interest. The quantum fluctuations reduce the transition to the ferroelectric state in these crystals. It is possible that the small amount of the dopant Li$\text{}^{+}$ can lead, through the elastic interactions, to local glass-like short-range order or even to the relaxor ferroelectric order for x>2.6%. We presented that the low lithium doped x=0.005 KTaO$\text{}_{3}$ crystals exhibit the dielectric dispersion ofε andε", suggesting the glass-like behavior in the low temperature range.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2005, 108, 2; 379-383
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Superconductivity of $MgB_2$ Layers Prepared on Silicon Substrate by Implantation of Magnesium Ions into Boron Substrate
    Autorzy:
    Trybuła, Z.
    Kempiński, W.
    Łoś, Sz.
    Kaszyńska, K.
    Trybuła, M.
    Piekoszewski, J.
    Werner, Z.
    Barlak, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1536977.pdf
    Data publikacji:
    2010-08
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    74.70.-b
    74.78.-w
    Opis:
    The results of investigation of the $MgB_2$ layers prepared on silicon substrate by implantation of Mg ions into boron substrate are presented. After implantation the annealing processes were carried out at temperatures 673 K, 773 K, and 873 K in a furnace in an atmosphere of flowing Ar-4%$H_2$ gas mixture. The samples were characterized by: four-probe electric conductivity measurements and magnetically modulated microwave absorption. Our results showed that due to silicon substrate the diffusion of implanted Mg ions into boron materials should be limited, and the superconducting phase forms a continuous $MgB_2$ layer and the resistivity for all samples fall down to zero below $T_{c}$. The transition temperature $T_{c}$ becomes higher with increasing annealing temperature: $T_{c}$=18 K (for annealing at $T_{A}$=673 K), $T_{c}$=20 K (for annealing at $T_{A}$=773 K), and $T_{c}$=27 K (for annealing at $T_{A}$=873 K).
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2010, 118, 2; 323-325
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    The Evolution of Superconducting Phase $MgB_x$
    Autorzy:
    Łoś, Sz.
    Kempiński, W.
    Piekara-Sady, L.
    Andrzejewski, B.
    Jurga, W.
    Kaszyńska, K.
    Piekoszewski, J.
    Werner, Z.
    Barlak, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1812318.pdf
    Data publikacji:
    2008-07
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    74.70.-b
    74.78.-w
    Opis:
    Thin layers of $MgB_x$ were studied in order to define evolution of superconducting phase after Mg ions implantation into boron substrate. Three fluencies of energies 140, 80, and 40 keV were used to establish proper stoichiometry to synthesize homogeneous $MgB_2$ film. Additionally, the annealing processes were carried out at temperatures 400, 500, and 600°C in a furnace in an atmosphere of flowing $Ar-4%H_2$ gas mixture. The quality of the superconducting material was examined by magnetically modulated microwave absorption, and magnetic and resistivity measurements. The results showed that $T_c$ becomes higher with increasing annealing temperature. However, the fraction of superconducting phase decreases, due to partial evaporation of Mg ions and their deeper migration into boron substrate.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2008, 114, 1; 179-184
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-4 z 4

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies