Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Karwasz, M." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Amorphous Carbon Thin Films Deposited on Si and PET: Study of Interface States
Autorzy:
Mariazzi, S.
Macchi, C.
Karwasz, G. P.
Brusa, R. S.
Laidani, N.
Bartali, R.
Gottardi, G.
Anderle, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2043339.pdf
Data publikacji:
2005-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.55.Ac
71.60.+z
73.20.At
78.70.Bj
Opis:
Thin carbon films with various thicknesses, deposited on different substrates (Si and poly-ethylene-terephthalate) at the same operating conditions in a radio frequency plasma enhanced chemical vapour deposition system were characterized by Doppler broadening spectroscopy. The films and the substrates were depth profiled by a slow positron beam. The aim of these measurements was to study the open volume structure and the interface of the films. It was found that, independently from the substrate, the films were homogeneous and exhibited the same open volume distribution. On the contrary, the effective positron diffusion length in the Si substrate was found to change with the thickness of the carbon films. This behaviour was interpreted as a change in the electric field at the carbon/silicon interface.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2005, 107, 5; 842-847
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Surfaces of Electron-Emitting Glasses Studied by a Slow Positron Beam
Autorzy:
Pliszka, D.
Gazda, M.
Kusz, B.
Trzebiatowski, K.
Karwasz, G. P.
Deng, W.
Brusa, R. S.
Zecca, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2025748.pdf
Data publikacji:
2001
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.60.+z
78.70.Bj
Opis:
Semi-conducting glasses used for electron multipliers and microchannel plate devices are obtained by surface modification of Pb or Bi-reach silicon-based glasses. The reduced layer extends down to 200-500 nm, much more than the effective depth of the electron-emitting layer. By the use of slow-positron beam we monitor the structural changes undergoing in near-to-surface layers after isothermal annealing. The measurements suggest a possible correlation between secondary-electron emission coefficient and the Doppler-broadening S-parameter. On these samples there were also performed atomic force microscopy, secondary electron emission, differential scanning calorimetry, and electric conductivity measurements.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2001, 99, 3-4; 465-472
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies