Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Kański, R." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Magnetic Properties of Short Period InGaMnAs/InGaAs Superlattices
Autorzy:
Sadowski, J.
Mathieu, R.
Svedlindh, P.
Kanski, J.
Karlsteen, M.
Świątek, K.
Domagała, J. Z.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2035614.pdf
Data publikacji:
2002
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
75.75.+a
75.50.Pp
75.25.+z
Opis:
We have observed a paramagnetic-to-ferromagnetic phase transition in short period InGaMnAs/InGaAs superlattices. The thicknesses of magnetic InGaMnAs layers in the structures studied was chosen to be 4 or 8 molecular layers (12Å or 24Å). The non-magnetic InGaAs spacer layers are 12Å thick. The composition (In content) in InGaMnAs and InGaAs was chosen in such a way that magnetic layers were: deep potential wells, high potential barriers, or shallow potential wells. For superlattices with 8 monolayer thick InGaMnAs magnetic layers and 4 monolayer thick InGaAs non-magnetic spacers the temperatures of paramagnetic-to-ferromagnetic phase transition do not depend on the band offsets between InGaMnAs and InGaAs adjusted by the In content.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2002, 102, 4-5; 687-694
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Solid Phase Epitaxy of Ferromagnetic MnAs Layer and Quantum Dots on Annealed GaMnAs
Autorzy:
Sadowski, J.
Kanski, J.
Adell, M.
Domagała, J. Z.
Janik, E.
Łusakowska, E.
Brucas, R.
Hanson, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2044534.pdf
Data publikacji:
2005-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.10.Jt
81.15.Hi
68.65.Hb
68.37.Ps
Opis:
We show that post growth annealing of GaMnAs under As capping at temperatures in the range of 180-210ºC leads to significant surface modifications. Depending on GaMnAs layer thickness and composition, we obtain either a smooth continuous reacted (MnAs) surface layer or 3D islands (quantum dots). The surface modifications are due to a solid phase epitaxial process, in which Mn interstitials diffusing to the GaMnAs surface are bound with the As.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2005, 108, 5; 851-858
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies