Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Kamiński, M. M." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-15 z 17
Tytuł:
Monitorowanie polskiej sieci stacji referencyjnych GPS
Monitoring of the Polish GPS reference stations network
Autorzy:
Figurski, M.
Gałuszkiewicz, M.
Kamiński, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/385590.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie. Wydawnictwo AGH
Tematy:
GPS
stacje permanentne
monitoring stacji GNSS
permanent station
GNSS station monitoring
Opis:
W związku z dynamicznym rozwojem stacji permanentnych GNSS na terenie Polski wraca problem kontroli pracy stacji oraz realizacji sytemu ETRS'89. Od kilku lat są w obiegu współrzędne stacji permanentnych GNSS, których źródło pochodzenia nie jest znane. Jedną z możliwości rozwiązania tego problemu jest koncepcja monitorowania stacji permanentnych zgodnie ze standardami EPN. Referat zawiera koncepcję takiego rozwiązania oraz wyniki obliczeń, które wykonano w 2006 r. W analizie wyników zostanie przedstawione również porównanie współrzędnych z wynikami uzyskanymi w systemie ASG-PL.
Dynamic development of permanent GNSS stations in Poland restores the problem of supervising the stations' performance and ETRS'89 system realization. Although the permanent GNSS stations' coordinates have been used for a few years now, their source is unknown. Permanent stations monitoring according to the EPN standards is one of the possibilities to solve the problem. The paper presents a concept of such a solution and the computation results obtained in 2006. The results analysis presents also a comparison of the coordinates with the results from the ASG-PL system.
Źródło:
Geomatics and Environmental Engineering; 2007, 1, 1/1; 111-124
1898-1135
Pojawia się w:
Geomatics and Environmental Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Effect of Deep-Level Defects on Transient Photoconductivity of Semi-Insulating 4H-SiC
Autorzy:
Suproniuk, M.
Kamiński, P.
Kozłowski, R.
Pawłowski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1364028.pdf
Data publikacji:
2014-04
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
72.40.+w
71.55.-i
72.20.-i
Opis:
A model enabling the equilibrium conductivity and transient photoconductivity of semi-insulating 4H-SiC to be simulated has been demonstrated. Using this model, the simulations of both equilibrium conductivity and transient photoconductivity have been carried out. Both the simulation and experimental results have shown that the evolution of photoconductivity in time after switching on the band-to-band generation of electron-hole pairs is strongly affected by the properties of deep level defects. The results of transient photocurrent measurements confirm the simulations results indicating that the $Z_{1/2}$ center is a very effective recombination center in semi-insulating 4H-SiC having detrimental effect on the transient photoconductivity.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2014, 125, 4; 1042-1048
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Wpływ energii fotonów na obraz prążków widmowych otrzymywanych metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej dla centrów defektowych w półizolujących monokryształach 4H-SiC:V
Effect of photon energy on image of spectral fringes obtained by photoinduced transient spectroscopy for defect centres in semi-insulating 4H-SiC:V single crystals
Autorzy:
Miczuga, M.
Kamiński, P.
Kozłowski, R.
Pawłowski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/208341.pdf
Data publikacji:
2009
Wydawca:
Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego
Tematy:
PITS
centra defektowe
półizolujący SiC
defect centres
SI SiC
Opis:
Określono wpływ energii fotonów na jakość obrazu prążków widmowych otrzymywanych metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej dla centrów defektowych w półizolujących monokryształach 4H-SiC:V. Badania przeprowadzono dla centrów związanych z atomami Al, dla których termiczna emisja nośników ładunku obserwowana jest w zakresie temperatur 100-250 K. Zaproponowano mechanizm wyjaśniający znacznie lepszą jakość obrazu otrzymanego dla impulsu UV o energii fotonów 3,31 eV niż dla impulsu UV o energii fotonów 3,82 eV.
Effect of the photon energy on the quality of the spectral fringes image obtained by photoinduced transient spectroscopy for defect centres in semi-insulating 4H-SiC:V single crystals have been determined. The studies were carried out for the centres related to Al atoms for which the thermal emission of charge carriers occurs in the temperatures range of 100-250 K. A mechanism explaining much better image quality when using UV pulse with the photon energy of 3.31 eV than that when using UV pulse with the photon energy of 3.82 eV has been proposed.
Źródło:
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej; 2009, 58, 1; 351-360
1234-5865
Pojawia się w:
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Laser cladding by tru laser cell of SSAB BORON B27 STEEL applied in agriculture
Napawanie laserem tru laser cell stali SSAB BORON B27 stosowanej w rolnictwie
Autorzy:
Kapcińska-Popowska, D.
Gościański, M.
Piasecki, M.
Kamiński, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/334882.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Przemysłowy Instytut Maszyn Rolniczych
Tematy:
laser cladding
microstructure
microhardness
SSAB BORON B27 steel
napawanie laserowe
mikrostruktura
mikrotwardość
stal SSAB BORON B27
Opis:
The article presents the effect of conventional heat treatment applied after overlaying welding with laser on properties of SSAB BORON B27 STEEL used in agriculture. In order to select the optimum parameters of laser processing and heat treatment for the best tribological properties of strength microhardness tests were carried out as well as observation of microstructures.
W artykule przedstawiono wpływ konwencjonalnej obróbki cieplnej zastosowanej po napawaniu laserowym na właściwości stali SSAB BORON B27 stosowanej w rolnictwie. W celu wytypowania optymalnych parametrów obróbki laserowej i cieplnej dla uzyskania najlepszych właściwości tribologicznych i wytrzymałościowych przeprowadzono badania mikrotwardości oraz obserwację mikrostruktur.
Źródło:
Journal of Research and Applications in Agricultural Engineering; 2017, 62, 1; 74-77
1642-686X
2719-423X
Pojawia się w:
Journal of Research and Applications in Agricultural Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Time differences in operation states of “Stena Baltica” ferry during the open water areas passages
Autorzy:
Jurdziński, M.
Guze, S.
Kamiński, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2069690.pdf
Data publikacji:
2009
Wydawca:
Uniwersytet Morski w Gdyni. Polskie Towarzystwo Bezpieczeństwa i Niezawodności
Tematy:
navigation
reliability
large system
asymptotic approach
limit reliability function
Opis:
The paper deals with analysis of ships operation states in open water areas effected by environmental constraints influencing on ship sea keeping parameters in application to “Stena Baltica” ferry operated at the Baltic Sea between Gdynia and Karlskrona harbors.
Źródło:
Journal of Polish Safety and Reliability Association; 2009, 1; 171--178
2084-5316
Pojawia się w:
Journal of Polish Safety and Reliability Association
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Obrazowanie struktury defektowej kryształów półizolującego GaAs poprzez analizę relaksacyjnych przebiegów fotoprądu z zastosowaniem odwrotnego przekształcenia Laplacea
Imaging of defect structure of semi-insulating GaAs crystals by analysis of photocurrent relaxation wave forms with implementation of inverse Laplace transform
Autorzy:
Pawłowski, M.
Kamiński, P.
Kozłowski, R.
Kozubal, M.
Żelazko, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192000.pdf
Data publikacji:
2006
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
niestacjonarna spektroskopia fotoprądowa
odwrotne przekształcenie Laplace'a
metoda korelacyjna
obraz prążków widmowych
obrazowanie struktury defektowej kryształów
aproksymacja neuronowa
Opis:
Metodę niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej z wykorzystaniem odwrotnego przekształcenia Laplace'a (ILT PITS) zastosowano do obrazowania struktury defektowej monokryształów półizolującego GaAs. Zoptymalizowano oprogramowanie umożliwiające trójwymiarową wizualizację temperaturowych zmian stałych czasowych niestacjonarnych przebiegów fotoprądu. Do wyznaczania parametrów centrów defektowych na podstawie przebiegu linii grzbietowych fałd odpowiadających termicznej emisji nośników ładunku zastosowano aproksymację neuronową. Zobrazowanie struktury defektowej otrzymano w wyniku nałożenia obrazu właściwości centrów defektowych uzyskanego za pomocą odwrotnego przekształcenia Laplace'a na obraz prążków widmowych uzyskany metodą korelacyjną.
Photoinduced transient spectroscopy with implementation of the inverse Laplace transform algorithm (ILT PITS) has been employed to imaging the defect structure of SI GaAs crystals. The computer program for three-dimensional visualisation of the temperature changes of time constants of the photocurrent transients has been optimised. The parameters of defect centres were determined by a neural approximation of the ridgelines of the folds related to the thermal emission of charge carriers. The image of defect structure is obtained by combining the image of the defect centres properties produced by using the inverse Laplace transform with the spectral fringes received by means of the correlation procedure.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2006, T. 34, nr 1-2, 1-2; 48-77
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Centra defektowe w wysokorezystywnych warstwach epitaksjalnych GaN
Defect centres in high-resistivity epitaxial GaN
Autorzy:
Kamiński, P.
Kozłowski, R.
Kozubal, M.
Żelazko, J.
Miczuga, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192441.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
HRPITS
centrum defektowe
GaN
defect center
Opis:
Metodę wysokorozdzielczej, niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej (HRPITS) zastosowano do badania centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych GaN otrzymanych metodą MOCYD. Metodę tę wykorzystano do badania centrów kompensujących w warstwach GaN:Mg typu p poddanych obróbce termicznej w 780°C, a także w niedomieszkowanych, wysokorezystywnych warstwach GaN osadzonych na podłożach Al2O3 i 6H-SiC: V. Dominującym mechanizmem aktywacji atomów magnezu podczas obróbki termicznej warstw GaN:Mg jest rozpad neutralnych kompleksów Mg-H. Domieszkowaniu magnezem towarzyszy proces samokompensacji polegający na tworzeniu się kompleksów Mg-VN, które są głębokimi donorami (Ec-0,59 eV) kompensującymi płytkie akceptory MgGa- (Ev+0,17 eV). Określono centra defektowe biorące udział w kompensacji ładunkowej niedomieszkowanej, wysokorezystywnej warstwy GaN, stanowiącej warstwę buforową dla tranzystora HEMT, osadzonej na podłożu Al2O3 z warstwą zarodkową AlN. Otrzymane wyniki wskazują, że w mechanizmie kompensacji biorą udział nie tylko defekty rodzime, ale również atomy zanieczyszczeń Si, C, O i H. Stwierdzono, że struktura defektowa niedomieszkowanej warstwy GaN osadzonej na podłożu SI 6H-SiC:V z warstwą zarodkową GaN jest złożona, podobnie jak warstwy osadzonej na podłożu Al2O3 z warstwą zarodkową AlN.
High-resolution photoinduced transient spectroscopy (HRPITS) was employed to study defect centres in epitaxial GaN grown by MOCVD technique. This method was applied to investigate compensation centres in p-type GaN:Mg epitaxial layers, as well as in the undoped high-resistivity GaN layers grown on both Al2O3 and 6H-SiC:V substrates. It was found that the main mechanism leading to the electrical activation of Mg atoms in epitaxial layers of GaN:Mg is the decomposition of neutral Mg-H complexes. Doping with magnesium involves a self-compensation process consisting in the formation of Mg-VN complexes, which are deep donors (Ec-0.59 eV) compensating shallow acceptors MgGa (E+0.17 eV). Defect centres responsible for charge compensation in a high-resistivity GaN HEMT buffer layer, grown on a sapphire substrate with an AlN nucleation layer, were detected. The obtained results indicate that the compensation is either due to native defects or due to contamination with Si, C, O and H atoms. The defect structure of an undoped, high-resistivity GaN layer, with a GaN nucleation layer grown on a SI 6H-SiC:V substrate, proved to be significantly complex, just as in the case of the layer grown on an the Al2O3 substrate with an AlN nucleation layer.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2011, T. 39, nr 1, 1; 18-35
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Właściwości elektryczne monokryształów krzemu wzbogaconych w azot
Electrical properties of nitrogen-enriched silicon single crystals
Autorzy:
Kamiński, P.
Kwestarz, M.
Surma, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192044.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
wysokorezystywne monokryształy krzemu
FZ
domieszkowanie azotem
high-resistivity silicon single crystals
nitrogen doping
Opis:
W artykule omówiono właściwości elektryczne monokryształów krzemu domieszkowanych azotem. Opisano sposób wbudowywania się atomów azotu do sieci krystalicznej Si. Przedstawiono mechanizm wpływu atomów azotu na anihilację mikrodefektów typu voids związanych z agregatami luk. Dla wzbogaconego w azot monokryształu krzemu o wysokiej rezystywności otrzymanego metodą pionowego topienia strefowego (FZ – Floating Zone) pokazano radialny rozkład rezystywności oraz radialny rozkład koncentracji azotu. Stwierdzono możliwość wpływu kompleksów złożonych z atomów azotu i atomów tlenu (N - O) na właściwości elektryczne otrzymywanych metodą FZ monokryształów Si wzbogaconych w azot.
This paper presents the electrical properties of silicon single crystals doped with nitrogen. The incorporation of nitrogen atoms into the Si lattice is described. The mechanism showing the effect of the nitrogen atoms on the annihilation of void type microdefects associated with vacancy aggregates is given. For a high resistivity, nitrogen-enriched silicon single crystal, obtained by the Floating Zone (FZ) method, the radial distributions of both resistivity and nitrogen concentration are shown. The possible effect of nitrogen-oxygen (N - O) complexes on the electrical properties of nitrogen-enriched FZ Si single crystals is discussed.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2015, T. 43, nr 4, 4; 31-38
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Przekształcenia zdjęć satelitarnych Meteosat do projekcji modelu COAMPS
Transformation of Meteosat satellite images to COAMPS model projection
Autorzy:
Figurski, M.
Kroszczyński, K.
Kamiński, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/210967.pdf
Data publikacji:
2010
Wydawca:
Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego
Tematy:
refrakcja troposferyczna
projekcja geostacjonarna
model mezoskalowy
tropospheric refraction
geostationary projection
mesoscale model
Opis:
W artykule przedstawiono wyniki prac związanych z konstrukcją odwzorowań zdjęć satelitarnych MSG (Meteosat Second Generation), zgodnych z projekcjami niehydrostatycznych modeli mezoskalowych typu COAMPS™ (Coupled Ocean/Atmosphere Mesoscale Prediction System) i Weather Research and Forecasting (WRF). System odbioru zdjęć MSG i model COAMPS™ zostały uruchomione i pracują w trybie operacyjnym w Zakładzie Geomatyki Stosowanej Wydziału Inżynierii Lądowej i Geodezji Wojskowej Akademii Technicznej. Celem prowadzonych prac jest umożliwienie automatyzacji analizy danych pochodzących z różnych źródeł w kontekście wpływu zachmurzenia, wilgotności atmosfery na refrakcję i wartość opóźnienia skośnego GPS. Prezentowana praca stanowi część badań związanych z operacyjnym wyznaczaniem opóźnienia skośnego.
The paper presents the results of research concerning constructing projections of MSG (Meteosat Second Generation) satellite images compatible with projections of non-hydrostatic mesoscale models: COAMPS™ (Coupled Ocean/Atmosphere Mesoscale Prediction System) of the Naval Research Laboratory (NRL), and the WRF (Weather Research and Forecasting). The MSG imagery acquisition system and COAMPS™ model run in the operational mode in the Applied Geomatics Section of the Faculty of Civil Engineering and Geodesy, Military University of Technology. The research aim is to develop automated analysis of data originating from various sources for assessment of the impact of cloudiness (humidity) in the atmosphere on refraction and GPS slant delay. This work is a phase of research concerning operational methods of GPS slant delay determination.
Źródło:
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej; 2010, 59, 2; 17-26
1234-5865
Pojawia się w:
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Badanie centrów defektowych w heterostrukturach laserowych AlGaAsy GaAs ze studnią kwantową GaAsP
Investigation of defect centres in laser heterostructures of AIGaAs/GaAs with GaAsP quantum well
Autorzy:
Kamiński, P.
Kozubal, M.
Kozłowski, R.
Kozłowska, A.
Teodorczyk, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192180.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
heterostruktura laserowa
centra defektowe
studnia kwantowa
warstwa falowodowa
metoda niestacjonarnej spektroskopii pojemnościowej
Opis:
Metodę niestacjonarnej spektroskopii pojemnościowej (DLTS) zastosowano do badania centrów defektowych w laserach heterozłączowych AlGaAs/GaAs ze studnią kwantową GaAsP emitujących promieniowanie o długości fali X = 808 nm. W warstwach falowodowych laserów wykryto 5 pułapek oznaczonych jako T1a, T1b, T2, T3 i T4 o energii aktywacji odpowiednio 205, 215, 370, 380 i 470 meV. Pułapki T1a (205 meV), T2 (370 meV), T3 (380 meV) i T4 (470 meV) zidentyfikowane zostały jako pułapki elektronowe występujące w niedomieszkowanej warstwie falowodowej A10.35Ga0.65As typu n. Stwierdzono ponadto, że pułapki T2, T3, T4 są centrami DX zlokalizowanymi w otoczeniu o różnej konfiguracji atomowej, spowodowanej fluktuacjami składu warstwy Al035Ga065As. W szczególności dominujące pułapki T3 (380 meV) są centrami DX zlokalizowanymi w sąsiedztwie jednego atomu A1 i dwóch atomów Ga. W laserach nie poddanych starzeniu koncentracja tych pułapek jest dwukrotnie większa od koncentracji pułapek T4 (470 meV), pięciokrotnie większa od koncentracji pułapek T1a (205 meV) i T2 (370 meV) oraz ponad trzykrotnie większa od koncentracji pułapek T1b (215 meV). W wyniku procesu starzenia najsilniej (ponad dwukrotnie) wzrasta koncentracja pułapek T2 (370 meV). W przybliżeniu dwukrotny wzrost koncentracji obserwowany jest również w przypadku pułapki T1a (205 meV). W obszarze studni kwantowej wykryto 3 pułapki elektronowe charakteryzujące się energią aktywacji równą odpowiednio 200, 205 i 250 meV, które przypisano centrom DX zlokalizowanym w otoczeniu o różnej konfiguracji atomów arsenu i fosforu, spowodowanej fluktuacjami składu warstwy GaAs0.9P0.1. W obszarze tym wykryto ponadto pułapki o energii aktywacji 310 meV, które związane są prawdopodobnie z rodzimymi defektami punktowymi generowanymi wskutek wspinania się dyslokacji nachylonych pochodzących od dyslokacji niedopasowania.
Deep level transient spectroscopy (DLTS) has been applied to investigation of defect centres in heterostructures of AIGaAs/GaAs with GaAsP quantum well used for production of high-power laser diodes emitting the beam with the wavelength of 808 nm. In undoped A1035Ga065As cladding layers, five traps Tla(205 meV), T1b (215 meV), T2 (370 meV), T3 (380 meV) and T4 (470 meV) were revealed. The traps T1a, T2, T3 and T4 were found to be electron traps located in the cladding layer of w-type. The latter three traps are related to DX centres surrounded by different atomic composition due to alloy fluctuation effect. The traps T3 (380 meV), identified as DX centres localized in the vicinity of one Al atom and two Ga atoms, are predominant and their concentration is two times higher than that of traps T4 (470 meV), five times higher than the concentrations of traps T1a (205 meV) and T2 (370 meV) and three times higher than the concentration of traps T1b (215 meV). As a result of the aging processes, a strong increase (more than twofold) in the concentration of traps T2 (370 meV) was observed. The concentration of trap T1a (205 meV) was also approximately doubled. In the quantum well layer of GaAs0.9P0.1, three electron traps with activation energies of 200, 205 and 250 were revealed. These traps are likely to be related to DX centres surrounded by different quantity of arsenic and phosphorus atoms due to alloy fluctuation effect. Moreover, a trap with the activation energy of 310 meV was detected. This trap is presumably related to a native defect resulting from climbing of inclined dislocations originated from the misfit dislocations.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2007, T. 35, nr 2, 2; 5-23
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Mechanical strength and fracture toughness of brittle monocrystalline and ceramic materials
Wytrzymałość mechaniczna i odporność na pękanie kruchych materiałów monokrystalicznych i ceramicznych
Autorzy:
Boniecki, M.
Kamiński, P.
Wesołowski, W.
Krzyżak, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192433.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
Y2O3 ceramics
high-purity silicon
fracture toughness
bending strength
ceramika Y2O3
krzem
odporność na pękanie
wytrzymałość na zginanie
Opis:
The article compares the mechanical properties of a n-type silicon single crystal with an orientation <100> and resistivity ~ 2000 Ωcm, obtained by the floating zone (FZ) method, with the mechanical properties of Y2O3 ceramics. Both materials are characterized by a high value of transmission coefficient of electromagnetic radiation in the wavelength range from 2 μm to 8 μm and they can be used as optical windows in a near infrared range. However, the choice of a material type for the specific applications may depend on their mechanical properties. these properties have been determined both at room temperature and at elevated temperature, i.e. 700°C for si and 800°C for Y2O3 ceramics. We have found that at room temperature the fracture toughness of the Si single crystal KIc = 1.3 ± 0.1 MPam1/2 and the four-point bending strength σc = 289 ± 61 MPa. For Y2O3 ceramics these parameters are 1.8 ± 0.2 MPam1/2 and 184 ± 20 MPa, respectively. At 700°C the mechanical parameters for the Si single crystal are: KIc = 20 ± 3 MPam1/2 and σc = 592 ± 86 MPa. for Y2O3 ceramics at 800°C, KIc = 1.7 ± 0.1 MPam1/2 and σc = 230 ± 23 MPa. The presented data show that at elevated temperatures both fracture toughness and bending strength of the Si single crystal are significantly greater than the values of those parameters found for Y2O3 ceramics.
W artykule porównano właściwości mechaniczne monokrystalicznego krzemu typu n o orientacji <100> i rezystywności ~ 2000 Ωcm, otrzymanego metodą beztyglową, z właściwościami mechanicznymi ceramiki Y2O3. Oba materiały charakteryzują się dużym współczynnikiem transmisji promieniowania elektromagnetycznego w zakresie długości fali od 2 μm do 8 μm i mogą być stosowane jako okna optyczne w zakresie bliskiej podczerwieni. Wybór rodzaju materiału dla konkretnych zastosowań może być jednak uzależniony od ich właściwości mechanicznych. Właściwości te określano zarówno w temperaturze pokojowej, jak i w temperaturze podwyższonej do 700°C w przypadku Si oraz do 800°C w przypadku ceramiki Y2O3. Stwierdzono, że dla Si w temperaturze pokojowej odporność na pękanie KIc = 1,3 ± 0,1 MPam1/2,a wytrzymałość na zginanie czteropunktowe σc = 289 ± 61 MPa. Dla Y2O3 parametry KIc i σc przyjmują wartości wynoszące w tej temperaturze odpowiednio 1,8 ± 0,2 MPam1/2 i 184 ± 20 MPa. W temperaturze 700°C wartości parametrów KIc i σc dla Si są równe odpowiednio 20 ± 3 MPam1/2 oraz 592 ± 86 MPa, zaś dla ceramiki Y2O3 w 800°C KIc = 1,7 ± 0,1MPam1/2 i σc = 230 ± 23 MPa. Prezentowane dane wskazują, że w temperaturze pokojowej wytrzymałość na zginanie czteropunktowe monokrystalicznego Si jest znacząco większa niż ceramiki Y2O3. W podwyższonych temperaturach zarówno odporność na pękanie, jak i wytrzymałość na zginanie monokrystalicznego Si jest wielokrotnie większa niż w przypadku ceramiki Y2O3.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2016, T. 44, nr 4, 4; 8-16
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Problemy metrologiczne związane z wyznaczaniem koncentracji centrów defektowych w półprzewodnikach wysokorezystywnych o szerokiej przerwie energetycznej
Metrological issues related to estimation of defect center concentration in high-resistivity wide bandgap semiconductors
Autorzy:
Miczuga, M.
Kamiński, P.
Kozłowski, P.
Kopczyński, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/153726.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:
centra defektowe
emisja termiczna
HRPITS
SI GaP
defect centers
thermal emission
Opis:
Możliwość wyznaczania koncentracji centrów defektowych na podstawie widm otrzymywanych metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej o wysokiej rozdzielczości (HRPITS) jest bardzo ważna dla oceny jakości półprzewodników wysokorezystywnych o szerokiej przerwie energetycznej. Dotychczas nie określono jednak procedury pomiarowej, która pozwalałaby na uzyskanie jednoznacznych wartości koncentracji pułapek nośników ładunku w tych materiałach. W artykule omówiono problemy metrologiczne, których rozwiązanie jest niezbędne dla opracowania takiej procedury. Pokazano, że w celu określenia koncentracji pułapek oprócz pomiaru widm HRPITS należy wykonać pomiar iloczynu ruchliwości i czasu życia (ž×?) nośników ładunku w funkcji temperatury oraz określić temperaturową zależność współczynnika absorpcji materiału dla energii fotonów zastosowanej do generowania nadmiarowych nośników ładunku. Działanie zaproponowanej procedury zademonstrowano poprzez wyznaczenie koncentracji głębokich centrów defektowych w półizolującym monokrysztale GaP. Dalsze prace będą koncentrowały się na określeniu niepewności otrzymywanych wyników i udoskonaleniu modelu fizycznego.
Determination of defect center concentration from the high-resolution photoinduced transient spectroscopy (HRPITS) measurements is of great importance in terms of quality assessment of high-resistivity wide bandgap semiconductors. So far, however, a procedure allowing determining unambiguously the concentrations of charge carriers traps in these materials has not been found. In this paper, we address the metrological issues that should be taken into account for working out such a procedure. It is shown that establishing the trap concentrations requires not only the HRPITS spectra measurements but also the measurements of the charge carrier mobility and lifetime product (ž×?) as a function of temperature and the knowledge on the temperature dependence of the material absorption coefficient for the photon energy used to generate the excess charge carriers. The proposed procedure has been applied to finding the concen-trations of deep defect centers in a crystal of semi-insulating GaP. Further works will concentrate on calculating the result uncertainty and refining the physical model.
Źródło:
Pomiary Automatyka Kontrola; 2011, R. 57, nr 11, 11; 1368-1371
0032-4140
Pojawia się w:
Pomiary Automatyka Kontrola
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Transition Metal-Related Centres in Silicon Studied by High-Resolution Deep Level Transient Spectroscopy
Autorzy:
Dobaczewski, L.
Kamiński, P.
Kozłowski, R.
Surma, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1933733.pdf
Data publikacji:
1995-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.40.Lq
71.55.Cn
68.55.Ln
Opis:
High-resolution Laplace-transform deep level transient spectroscopy technique has been used to study a fine structure in the carrier emission process for transition metal- and thermal donors-related defects in silicon. For the case of the transition metal centres the method revealed the fine structure when the defect has a similar emission characteristics to other defects in the crystal. The method also demonstrated the complex emission process for the thermal donors.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 4; 703-706
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Głębokie centra defektowe w krzemie o bardzo wysokiej rezystywności
Deep defect centers in ultra-high-resistivity FZ silicon
Autorzy:
Kamiński, P.
Kozłowski, R.
Krupka, J.
Kozubal, M.
Wodzyński, M.
Żelazko, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192092.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
głębokie centra defektowe
HRPITS
krzem o bardzo wysokiej rezystywności
deep defect centers
ultra-high-resistivity silicon
Opis:
W artykule przedstawiono unikatowe wyniki badań rozkładu rezystywności oraz rozkładu właściwości i koncentracji centrów defektowych na płytce krzemowej o promieniu R = 75 mm, pochodzącej z monokryształu o bardzo wysokiej czystości otrzymanego metodą FZ. Do określenia właściwości i koncentracji centrów defektowych zastosowano metodę niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej o wysokiej rozdzielczości (HRPITS). Do wyznaczania stałych czasowych składowych wykładniczych relaksacyjnych przebiegów fotoprądu, zmierzonych w zakresie temperatur 250 – 320 K wykorzystano procedurę numeryczną opartą na odwrotnym przekształceniu Laplace’a. W obszarze środkowym płytki o rezystywności ~ 6,0×104 Ωcm, wykryto trzy rodzaje pułapek charakteryzujących się energią aktywacji 420 meV, 460 meV i 480 meV. W obszarze brzegowym płytki, którego rezystywność wynosiła ~ 3,0×104 Ωcm, oprócz pułapek występujących w obszarze środkowym wykryto pułapki o energii aktywacji 545 meV, których koncentracja wynosiła ~ 4,0×109 cm-3. Pułapki o energii aktywacji 420 meV i 545 meV przypisano odpowiednio lukom podwójnym (V2 -/0) i agregatom złożonym z pięciu luk (V5 -/0). Pułapki o energii aktywacji 460 meV są prawdopodobnie związane z lukami potrójnymi (V3 -/0) lub atomami Ni, zaś pułapki o energii aktywacji 480 meV mogą być przypisane zarówno agregatom złożonym z czterech luk (V4 -/0), jak i atomom Fe w położeniach międzywęzłowych.
The paper presents the unique results of the resistivity distribution and the distribution of the properties and concentrations of defect centers on a silicon wafer with a radius of R = 75 mm originating from a high-purity FZ single crystal. The electronic properties and concentrations of the defect centers have been studied by high resolution photoinduced transient spectroscopy (HRPITS). To determine the time constants of the exponential components in the photocurrent relaxation waveforms measured in the temperature range of 250 - 320 K we have used an advanced numerical procedure based on the inverse Laplace transformation. In the wafer central region, with the resistivity of ~ 6,0×104 Ωcm, three traps with the activation energies of 420 meV, 460 meV and 480 meV have been found. In the near edge-region of the wafer, with the resistivity of ~ 3.0 × 104 Ωcm, apart from the traps present in the central region, a trap with the activation energy of 545 meV has been detected and the concentration of this trap is ~ 4,0×109 cm-3. The traps with the activation energies of 420 meV and 545 meV are assigned to a divacancy (V2 -/0) and a pentavacancy (V5 -/0), respectively. The trap with the activation energy of 460 meV is likely to be associated with a trivacancy (V3 -/0) or a Ni atom, and the trap with the activation energy of 480 meV can be tentatively assigned to a tetravacancy or an interstitial Fe atom.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2014, T. 42, nr 4, 4; 16-24
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Centre of Applied Geomatics activities in the context of the EUREF Project
Autorzy:
Araszkiewicz, A.
Bogusz, J.
Figurski, M.
Kamiński, P.
Kroszczyński, K.
Szafranek, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/225686.pdf
Data publikacji:
2010
Wydawca:
Politechnika Warszawska. Wydział Geodezji i Kartografii
Tematy:
Centrum Geomatyki Stosowanej
projekt EUREF
EUREFF project
GNSS
przetwarzanie danych
Centre of Applied Geomatics
data processing
Źródło:
Reports on Geodesy; 2010, z. 1/88; 89-96
0867-3179
Pojawia się w:
Reports on Geodesy
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-15 z 17

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies