Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Jin, Y." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Synthesis and Characterization of a Water-Soluble Ionic Polyacetylene Derivative
Autorzy:
Gal, Y.
Jin, S.
Park, J.
Lim, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1398739.pdf
Data publikacji:
2016-04
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
72.80.L
73.61.P
78.20.C
78.30.J
Opis:
A new water-soluble ionic polyacetylene was synthesized by the acid-catalyzed polymerization of 2-ethynylpyridine using acrylic acid. The polymerization proceeded well to give a high yield of polymer. The acetylenic C ≡ C bond stretching (2110 cm¯¹) and acetylenic ≡ C-H bond stretching (3293 cm¯¹) peaks of 2-ethynylpyridine monomer were not seen in the FT-IR spectrum of polymer. The electro-optical and electrical properties of the ionic polyacetylene were measured and discussed. The resulting polymer showed strong maximum at 513 nm in the UV-Visible absorption, which is corresponding to photon energy of 2.42 eV. The energy gap width of polymer was estimated to be of 2.08 eV. It was observed that the electrochemical process of polymer is reproducible in the potential range of -1.80 to 1.60 V vs Ag/AgNO₃. HOMO and LUMO levels of polymer were 4.85 eV and 2.77 eV, respectively.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2016, 129, 4; 642-646
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Fabrication and Characterization of GaN/Polymer Composite p-n Junction with PEDOT Nanoparticle Interface Layer
Autorzy:
Kim, M.
Jin, S.
Choi, H.
Kim, G.
Yim, K.
Kim, S.
Nam, G.
Yoon, H.
Kim, Y.
Lee, D.
Kim, Jin
Kim, Jong
Leem, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1505152.pdf
Data publikacji:
2011-06
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.61.Ey
81.15.Gh
Opis:
A heavily Si-doped GaN/polymer hybrid structure with p-type poly(3,4-ethylene-dioxythiophene):beta-1,3-glucan (PEDOT nanoparticle) interface layer has been fabricated. The Si-doped GaN thin film with carrier concentration of 1 × $10^{19} cm^{-3}$ was grown by metal-organic chemical vapor deposition. The PEDOT nanoparticle with various sizes ranging from 60 to 120 nm was synthesized via a miniemulsion polymerization process. The electrical conductivity of the PEDOT nanoparticle is less than 1.2 S/cm. The current-voltage (I-V) characteristic of the hybrid structure shows diode-like behavior. The I-V characteristic was examined in the framework of the thermionic emission model. The ideality factor of the structure without PEDOT nanoparticle interface layer is 12.9. However, the ideality factor of the hybrid structure with PEDOT nanoparticle interface layer is obtained as 1.9. The value of ideality factor is dramatically decreased by inserting the PEDOT nanoparticle interface layer.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 6; 875-879
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies