Autor: Jasik, M. - Katalog OPAC zbiorów

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: The Influence of Mechanical, and Material Factors on the Biological Adaptation Processes of the Femoral Bone Implants
Autorzy:: Jasik, A.
Mroczek, M.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/351931.pdf
Data publikacji:: 2016
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:: orthopedic implants
stress
Finite Element Method (FEM)
Opis:: The study covers some aspects of the issue of determination of mutual connections between the mechanical and material factors, as well the biological implant adaptation processes. The main objective of the operation was adopted to develop models of cementless hip prosthesis company Fitmore Zimmer, taking into account the heterogeneity of material properties of bone tissue. These models were loaded in particular stages of the human gate and then they were used for the analysis of stress changes. The identification of the relations between the mechanical properties of osseous tissue required the conducting of computer simulations by means of the Finite Element Method (FEM).
Źródło:: Archives of Metallurgy and Materials; 2016, 61, 1; 189-194
1733-3490
Pojawia się w:: Archives of Metallurgy and Materials
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Metodyka oceny przepływu ciepła w zabiegach protezoplastyki
Methodology of estimation of the heat flow during endoprosthesoplasty
Autorzy:: Ziemba, S.
Jasik, A.
Plaza, M.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/285669.pdf
Data publikacji:: 2007
Wydawca:: Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie. Polskie Towarzystwo Biominerałów
Tematy:: protezoplastyka
endoprosthesoplasty
Źródło:: Engineering of Biomaterials; 2007, 10, no. 69-72; 99-101
1429-7248
Pojawia się w:: Engineering of Biomaterials
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: LT-InGaAs Layer Grown for Near Surface SESAM Application
Autorzy:: Jasik, A.
Muszalski, J.
Kosmala, M.
Pierściński, K.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1807666.pdf
Data publikacji:: 2009-12
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 61.72.jj
68.55.ag
68.65.Ac
81.15.Hi
81.65.Rv
Opis:: We have developed a mode-locked diode-pumped Yb:KYW laser generating nearly band-width limited pulses as short as 101 fs using semiconductor saturable absorber mirror (SESAM). With the nonsaturable losses of 1.94% and the modulation depth of 1.48% the self-starting and stable mode-locking was observed. The nonsaturable losses are mainly related to As_{Ga}^{0}-CB transitions in InGaAs QW absorbing layer and low temperature defects. Low temperature defects are eliminated by using higher growth temperature and lower ratio of group V to group III beam equivalent pressure than typically used. The InGaAs layer was grown by molecular beam epitaxy at the temperature as high as 420°C, under the V/III ratio as low as 10. No annealing was performed.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2009, 116, S; S-56-S-59
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Ultrashort pulses supported by SESAM absorber
Autorzy:: Jasik, A.
Muszalski, J.
Gaca, J.
Wójcik, M.
Pierściński, K.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/200639.pdf
Data publikacji:: 2010
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:: DBR
SESAM
mode-locking
femtosecond pulses
Opis:: We have developed a mode-locked diode-pumped Yb:KYW laser generating nearly band-width limited pulses as short as 101 fs. At 1.1 W absorbed power and 3% transmission output coupler, the laser delivers 150 mW for pulse duration of 110 fs, what corresponds to an efficiency of 14%. It was achieved using semiconductor saturable absorber mirror (SESAM) grown by molecular beam epitaxy. SESAM contains a distributed Bragg reflector (DBR) completed by single quantum well (SQW) playing role of an absorbing layer. The absorbers were crystallized in accordance with the predicted structure parameters under optimised growth conditions. The resonant-like type of structures ensured relatively high enhancement factor due to antireflective properties of SiO2 capping material and a wavelength independence of a group delay dispersion. The optimisation of the growth conditions of both an absorbing layer and DBR structure were widely carried out. Optical reflectance and high resolution X-ray diffraction have been used for characterization and verification of DBR structures. It results in reduction of the nonsaturable absorption in SESAM and self-starting mode-locking of the ultrashort pulses.
Źródło:: Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2010, 58, 4; 477-483
0239-7528
Pojawia się w:: Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Epidemiological Study of Canine Mast Cell Tumours According to the Histological Malignancy Grade
Autorzy:: Śmiech, Anna
Jasik, A.
Ślaska, B.
Łopuszyński, W.
Szczepanik, M.
Wilkołek, P.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/2087901.pdf
Data publikacji:: 2017
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Źródło:: Polish Journal of Veterinary Sciences; 2017, 3; 455-465
1505-1773
Pojawia się w:: Polish Journal of Veterinary Sciences
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Wpływ profilu interfejsów i zaburzeń grubości warstw w zwierciadłach Bragga na ich własności optyczne
Effects of composition grading at heterointefaces and variations in thickness of layers on Bragg Mirror quality
Autorzy:: Gaca, J.
Mazur, K.
Turos, A.
Wesołowski, M.
Wójcik, M.
Jasik, A.
Muszalski, J.
Pierściński, K.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/192359.pdf
Data publikacji:: 2013
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:: DBR
HRXRD
XRR
reflektometria optyczna
optical reflectivity
Opis:: Supersieci GaAs/AlAs i AlGaAs/AlAs przeznaczone do wykorzystania jako zwierciadła Bragga otrzymano zarówno metodą epitaksji z wiązek molekularnych MBE, jak i epitaksji z fazy gazowej z użyciem związków metaloorganicznych LP MOVPE. Supersieci te różniły się między sobą grubościami warstw, liczbą powtórzeń warstwy podwójnej (Al)GaAs/AlAs, jak i warunkami technologicznymi w których je wytwarzano. Dla każdej supersieci wyznaczono jej profil składu chemicznego, wykorzystując do tego celu wysokorozdzielczą dyfraktometrię rentgenowską (HRXRD), reflektometrię rentgenowską (XRR) oraz metodę wstecznego rozpraszania jonów (RBS), wspomagane analizą numeryczną. Szczególną uwagę zwracano na profil interfejsów pomiędzy warstwami i odstępstwa od zakładanej grubości warstw. Następnie stosując spektroskopię odbiciową dla każdej supersieci zmierzono spektralną zależność współczynnika odbicia. Pokazano zależność pomiędzy profilem składu chemicznego a zdolnością odbicia tych supersieci. Zidentyfikowano odstępstwa od typowej struktury zwierciadeł Bragga, którą stanowi supersieć o prostokątnym kształcie profilu składu chemicznego i zbadano ich wpływ na zdolność odbiciową tych zwierciadeł.
GaAs/AlAs, and AlGaAs/AlAs superlattices to be used as Bragg mirrors have been grown by means of Molecular Beam Epitaxy (MBE) or Low-Pressure Metal-Organic Vapor-Phase Epitaxy (LP MOVPE) techniques. These superlattices have differed in terms of: the thickness of layers, the number of periods, and growth conditions. The chemical composition profile for each superlattice has been determined by means of High Resolution X-ray Diffraction (HRXRD), X-ray Reflectometry (XRR), as well as RBS characterization techniques, and at the same time a numerical analysis has been performed. Special attention has been paid to the profile of interfaces between succeeding layers and variations in the thickness of layers. Next, Optical Reflectance (OR) has been applied to measure the reflectivity spectra for each sample. It has been shown that there is a strong correlation between the optical reflectivity of DBR mirrors and their chemical composition profile and structural quality. A departure from the designed structure of the DBR has been identified and its influence on the DBR’s reflectivity has been determined.
Źródło:: Materiały Elektroniczne; 2013, T. 41, nr 1, 1; 17-32
0209-0058
Pojawia się w:: Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: MOVPE InP based material for millimeter and submillimeter wave generation and amplification
Autorzy:: Strupiński, W.
Kosiel, K.
Jasik, A.
Jakieła, R.
Jeleński, A.
Kollberg, E.
Dillner, L.
Nawaz, M.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/308777.pdf
Data publikacji:: 2002
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: epitaxy InP
MOVPE
microwave generation
Opis:: The potential of the MOVPE growth process for millimeter and submillimeter wave generation and amplification is presented. The increase in layer quality, the improved homogeneity and purity, the precision of mono-layers growth and wide spectrum III-V compounds makes MOVPE techniques very attractive for modern device applications. The characterisation results of the heterostructures dedicated for HBV varactors and 2-DEG transistors (HEMT) are described.
Źródło:: Journal of Telecommunications and Information Technology; 2002, 1; 8-10
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:: Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Informacja

Wyszukujesz frazę "Jasik, M." wg kryterium: Autor

Źródło danych

Dostawca treści

Kolekcja

Rok wydania

Wydawca

Temat

Autor

Typ dokumentu

Język