Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "SiGe" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-3 z 3
Tytuł:
Silicon microelectronics: where we have come from and where we are heading
Autorzy:
Łukasiak, L.
Jakubowski, A.
Pióro, Z.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/308029.pdf
Data publikacji:
2004
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
MOSFET
scaling
SiGe
SOI
Opis:
The paper briefly presents the history of microelectronics and the limitations of its further progress, as well as possible solutions. The discussion includes the consequences of the reduction of gate-stack capacitance and difficulties associated with supply-voltage scaling, minimization of parasitic resistance, increased channel doping and small size. Novel device architectures (e.g. SON, double-gate transistor) and the advantages of silicon-germanium are considered, too.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2004, 1; 7-14
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Modeling of the inverse base width modulation effect in HBT transistor with graded SiGe base
Autorzy:
Zaręba, A.
Łukasiak, L.
Jakubowski, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/308625.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
heterojunction bipolar transistor
SiGe
base width modulation
Opis:
A model of the position of the edge of emitter-base junction in the base and collector current pre-exponential ideality factor in HBT transistor with a SiGe base is presented. The model is valid for transistors with nonuniform profiles of doping and Ge content. The importance of taking into account the dependence of the effective density of states in SiGe on local Ge content and that of electron diffusion coefficient in SiGe on drift field for modeling accuracy is studied.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2007, 3; 88-92
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Modeling SiGe-base HBT using APSYS 2000 - a 2D simulator
Autorzy:
Linkowski, A.
Łukasiak, L.
Jakubowski, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/308023.pdf
Data publikacji:
2004
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
base transit time
cut-off frequency
HBT
SiGe-base
Opis:
The paper is devoted to optimization of SiGe-base HBT with respect to operation speed by means of numerical simulation. The influence of design parameters on f(T) is studied.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2004, 1; 36-38
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-3 z 3

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies