Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Jagoda, A." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-5 z 5
Tytuł:
Presence of caffeine in the Rudawa River and its tributaries
Zawartość kofeiny w rzece Rudawie i jej dopływach
Autorzy:
Jagoda, A.
Żukowski, W.
Dąbrowska, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/126362.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Towarzystwo Chemii i Inżynierii Ekologicznej
Tematy:
watercourse
caffeine
water pollution
ciek
kofeina
zanieczyszczenie wody
Opis:
1,3,7-trimethylxanthine (caffeine) is an ingredient of coffee, tea, energy drinks, drugs and cosmetics. Generally, it is the most consumed pharmaceutical substance all over the world. Although it is easily metabolized, caffeine is present in wastewaters generated by households. Therefore, its detection in streams and rivers shows that untreated wastewaters are discharged into environment. Determination of caffeine in waterways could be an indicator of their anthropogenic pollution. Rudawa is the river flowing through southern Poland, with the river basin area about 318 km2. It is a left tributary of the Vistula River, with the river mouth located in the Krakow city. Rudawa is one of the drinking water supplies for the city. It provides about 40000 m3 of water per year. Water used as a source of drinking water must be the highest quality. Therefore the river on which drinking water intakes are located is the subject of the special monitoring. Water quality monitoring has always been important on Rudawa river and it continues to be monitored today. The aim of this study has been to check whether the caffeine is present in Rudawa waters, to determine its concentration and localization of potential sources of pollution. Samples taken from the river in twelve selected locations along the Rudawa River and its tributaries have been analyzed. Solid phase extraction combined with gas chromatography-mass spectrometry (GC-MS) has been used. Caffeine isotope 13-C3 in methanol, Sigma Aldrich, has been used as an internal standard. The concentration of caffeine in samples has ranged from 40 to 380 ng/dm3.
1,3,7-trimetyloksantyna (kofeina) jest składnikiem kawy, herbaty, napoi energetyzujących, leków i kosmetyków. Jest najpowszechniej spożywanym farmaceutykiem na całym świecie. Chociaż jest łatwo metabolizowana, kofeina jest obecna w ściekach powstających w gospodarstwach domowych. Wykrycie kofeiny w wodach powierzchniowych dowodzi, że ścieki są bez oczyszczenia odprowadzane do środowiska. Oznaczenie zawartości kofeiny w ciekach może być uznane za wskaźnik ich antropogennego zanieczyszczenia. Rudawa to rzeka płynąca w południowej Polsce o powierzchni zlewni około 318 km2, jest lewostronnym dopływem Wisły, do której uchodzi na terenie miasta Krakowa. Rudawa jest jednym ze źródeł zaopatrzenia mieszkańców miasta w wodę. Dostarcza około 40 000 m3 wody rocznie. Woda wykorzystywana jako źródło wody pitnej powinna być najwyższej jakości. Dlatego jakość wody rzeki, na której zlokalizowane jest ujęcie wody pitnej, powinna być pod szczególnym nadzorem. Monitorowanie jakości wody z rzeki Rudawy zawsze było prowadzone i jest nadal. Celem badania było sprawdzenie, czy kofeina występuje w wodach Rudawy, określenie jej stężenia i lokalizacji potencjalnych źródeł zanieczyszczeń. Pobrano dwanaście próbek wody z Rudawy i jej dopływów oraz przeprowadzono ich analizy metodą ekstrakcji do fazy stałej połączonej z chromatografią gazową ze spektrometrią mas (GC-MS). Zastosowano izotop 13-C3 kofeiny w metanolu (Sigma Aldrich) jako wzorzec wewnętrzny. Stężenie kofeiny w próbkach wahało się od 40 do 380 ng/dm3.
Źródło:
Proceedings of ECOpole; 2013, 7, 1; 87-91
1898-617X
2084-4557
Pojawia się w:
Proceedings of ECOpole
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Grafen otrzymywany metodą elektrolityczną na podłożach z węglika krzemu
Graphene obtained by electrolytic method on silicon carbide substrates
Autorzy:
Stańczyk, B.
Dobrzański, L.
Jagoda, A.
Możdżonek, M.
Natarajan, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192048.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
grafen
metoda elektrolityczna
graphene
electrochemical metod
Opis:
W artykule przedstawiono nową technikę osadzania warstw grafenu na podłożach z węglika krzemu metodą elektrolityczną. Polega ona na zastosowaniu jako materiału elektrod grafitu i SiC oraz elektrolitu organicznego poli–styrenosulfonianu sodu (PSS). Widma Ramana osadzanych warstw wskazują na to, że otrzymano grafen. Istnienie wiązań typu C=C potwierdza spektroskopia FTIR. Prowadzono także proces z roztworów na bazie tlenku grafenu. Ponadto w procesie z rozcieńczonym elektrolitem uzyskano rzadką odmianę alotropową węglika krzemu - moissanit, który syntetycznie jest produkowany przede wszystkim na potrzeby przemysłu elektronicznego.
We present a new electrochemical deposition method of graphene layers on silicon carbide substrates. The technological arrangement was comprised of graphite, SiC electrodes and organic electrolyte, i.e. poly(sodium-4-styrenesulphonate), and in the case of an alternative technique suspension with graphene oxide was applied. Graphene layers consisting of flakes were obtained on SiC electrodes, which was concluded based on a Raman Spectroscopy analysis. Moreover, during the process with diluted electrolyte solution we achieved a rare allotropic form of silicon carbide called moissanit, which is commonly used in electronic applications.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2014, T. 42, nr 3, 3; 20-25
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Otrzymywanie warstw SiCN metodą RF sputteringu
SiCN films deposited by RF magnetron sputtering
Autorzy:
Stańczyk, B.
Jagoda, A.
Dobrzański, L.
Caban, P.
Możdżonek, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192224.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
SiCN
sputtering
widmo podczerwieni
widmo optycznej absorpcji
dyfrakcja rentgenowska
SIMS
rf sputtering
absorption spectrum
IR spectrum
X-ray diffraction
Opis:
Węglik i azotek krzemu są obiecującymi materiałami, które dzięki swym właściwościom mogą być wykorzystane do uzyskiwania różnego rodzaju przyrządów elektronicznych. Oba są wysoko temperaturowymi półprzewodnikami używanymi jako izolatory i stosowanymi jako bariery dyfuzji w urządzeniach mikroelektronicznych. SiCN znajduje liczne praktyczne zastosowania w ogniwach słonecznych, płaskich monitorach telewizyjnych, pamięciach optycznych, jako warstwy antyrefleksyjne. Kontrola parametrów procesu sputteringu pozwala na uzyskiwanie warstw o różnych właściwościach fizycznych i chemicznych np. o różnej przerwie energetycznej, od 2,86 V dla SiC do 5 eV dla Si3N4 [1]. W artykule opisane zostały właściwości warstw SiCN otrzymane metodą reaktywnego sputteringu z targetu węglika krzemu oraz w atmosferze argonowo - azotowej. SiCN osadzany był na podłożach Si(111) oraz na podłożach krzemowych z warstwą AlN. Skład, struktura, powierzchnia uzyskiwanych warstw była określana za pomocą metod diagnostycznych takich jak: dyfrakcja rentgenowska (XRD), spektroskopia masowa jonów wtórnych (SIMS), mikroskopia sil atomowych (AFM). Badano wpływ parametrów sputteringu na jakość warstw analizując widma transmisji i z zakresu podczerwieni i światła widzialnego.(FTIR - spektroskopia optyczna w zakresie podczerwieni).
Silicon carbide and silicon nitride are prospective candidates for potential high-temperature structural applications because of their excellent mechanical properties [1]. Both are high-temperature semiconductor materials used as electrical insulators or diffusion barriers in microelectronic devices. Apparently, amorphous silicon carbide nitride (SiCxNy) has tenability over a very wide range of x and y. In this context, SiCXNY alloys are interesting materials, among which one can enumerate the SiC band gap (2,86eV) and insulating Si3N4 films (5eV) [1]. In our paper, we describe the properties of SiCN fabricated by magnetron sputtering from a silicon carbide target in a reactive atmosphere of nitrogen and argon. SiCN was deposited on both Si(111) substrates and silicon substrates with AlN layers. The composition, structure and surface roughness (RMS) of the SiCN films were characterized by X-Ray Diffraction (XRD), Secondary Ion Mass Spectroscopy (SIMS), Atomic Force Microscopy (AFM), and Scanning Electron Microscopy (SEM).The influence of the gas composition, gas flow rate and working gas pressure on the quality of layers was examined by the analysis of the spectrum of Optical Absorption and by Fourier Transform Infrared Spectroscopy (FTIR).
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2011, T. 39, nr 2, 2; 18-23
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Hydrofobowe pokrycia organiczne na gładkich podłożach i na podłożach z rozwiniętą powierzchnią
Hydrophobic organic layers on smooth and 3-dimensional developed surfaces
Autorzy:
Stańczyk, B.
Dobrzański, L.
Góra, K.
Jach, K.
Jagoda, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192244.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
powierzchnia hydrofobowa
kąt zwilżania
PMMA
PVDF
OTS
hydrophobic surface
wetting
contact angle
Opis:
W artykule scharakteryzowano własności hydrofobowe warstw organicznych uzyskanych na powierzchniach gładkich i z celowo rozwiniętą powierzchnią, której geometria była przedmiotem badań. Przebadano własności żywic takich jak: polifluorowinyliden, polimetakrylan metylu, octatrichlorosilan. Przedstawiono cechy tych materiałów w zależności od rodzaju nośnika, sposobu przygotowania roztworu roboczego oraz metody osadzania na różnych powierzchniach. Własności hydrofobowe otrzymanych warstw weryfikowano za pomocą pomiarów kąta zwilżania (CA) statycznej kropli wody i metodą dynamiczną. Uzyskano wartości CA na poziomie od ok. 135° do 180°.
In this paper we present the hydrophobic properties of organic layers obtained on both smooth and 3D surfaces. the geometry of which has been the research topic. We have investigated polymers such us: polyvinylidene fluoride, poly (methyl methacrylate), octatrichlorosilane. The properties of these layers depending on their preparation and deposition method have been determined. We have verified the wetting contact angle by performing static and dynamic measurements. The obtained values of the wetting contact angle have been in the 135° - 180° range.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2015, T. 43, nr 3, 3; 25-34
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Electron Microscopy and X-ray Diffraction Study of AlN Layers
Autorzy:
Kowalczyk, A.
Jagoda, A.
Mücklich, A.
Matz, W.
Pawłowska, M.
Ratajczak, R.
Turos, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2035486.pdf
Data publikacji:
2002-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
52.77.Dq
Opis:
AlN nanocrystalline layers and superstructures are used in the modern optoelectronic technology as reflecting mirrors in semiconductor lasers. In the present work the properties of AlN films prepared by sputtering methods from an AlN target in reactive Ar + N plasma were investigated. The characterisation was performed with HRTEM, SEM, glancing angle XRD and RBS methods. The present measurements confirmed the polycrystalline structure of AlN layers and enabled the evaluation of their grain size. The roughness and thickness of the layers were additionally determined by ellipsometric and profilometric measurements.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2002, 102, 2; 221-225
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-5 z 5

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies